及從同一位置捕獲的高光譜顯微照片中提取的PL強度圖（底部）；(b) P1和P2劃線（頂部）的單色（980 nm處的PL）PL圖像，以及跨P1和P2的PL線剖面（980 nm處）的統計分析（底部），顯示P1邊緣PL效應的程度（僅顯示具有代表性的剖面；平均值是對所有25個剖面進行的）。FWHM：半峰全寬。圖2. P1線邊緣內異常PL觀察。(a) 圖1(a)底部放大的插圖1和2；(b) 從圖1(a)底部的高光譜顯微照片中提取的四個代表區域的PL光譜，顯示PL-P1邊緣與參考區域之間的PL帶結構沒有明顯變化；(c) P1槽邊緣的SEM截面圖，表明P1邊緣的PL效應與CIGS材料厚度的變化無關（參考區域 ...

材，包括用于捕獲原子的單頻可調諧半導體激光器，單頻鈦寶石激光器，單頻染料激光器；用于波長鎖定的石英真空腔，波長鎖定電路，鎖相環，鎖相放大器，飽和吸收譜裝置，高精度標準具，吸收穩頻參考；用于移頻的聲光移頻器（AOM，AOFS），PDH電光調制器，鈮酸鋰電光調制器，用于啟偏的偏振光纖，以及用于波長精確測量的各種波長計等等。 ...