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CCD的電荷存儲構成CCD的基本單元是MOS（金屬-氧化物-半導體）結構。如下圖，在柵極不施壓的情況下，P型半導體中多數載流子空穴的分布是均勻的。在柵極施加小于P型半導體閾值電壓Uth時，在半導體內產生耗盡區。當柵極電壓繼續增加，并大于閾值電壓后，耗盡區的深度和柵極電壓成正比。將半導體與絕緣界面上的電勢記為表面電勢Φs，表面電勢隨著柵極電壓Ug的增加而增加。下圖描述了二者在不存在反型層電荷時，不同氧化層厚度下表面電勢和柵極電壓之間的關系。從曲線中看出，氧化層厚度越薄，曲線的直線性越好。當柵極電壓Ug不變時，表面電勢Φs和反型層電荷密度Qinv之間的關系。下圖可以看出，Φs隨著Qinv的增加而線 ...
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