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更厚的半導體有源層導致更差的熱性能和更具有挑戰性的制造,等等。值得注意的是,2001年Beck等人基于9.1μm inp匹配設計首次演示了QC激光器的室溫(RT)連續工作(CW),而由于高應變InGaAs/InAlAs材料生長技術的改進和發展,才在MWIR波長下演示了高功率RT連續工作,從而實現了防止高能電子從較高激光能級泄漏到更高激光能級的設計活躍區域的能量水平。這是提高QC激光器的特征溫度T0和T1的關鍵因素之一,從而在高溫下實現高連續波功率發射。如今,量子級聯激光器是一種完全可部署的設備,可在室溫及以上環境下工作,能夠在具有挑戰性的環境條件下操作和存儲??偟膩碚f,這種技術的成熟程度正在接 ...
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