展示全部
非富勒烯受體光電二極管的響應(yīng)時(shí)間及器件穩(wěn)定性非富勒烯受體eh-IDTBR為電子受體，選擇PC71BM作為對(duì)比的富勒烯受體，因?yàn)镻C71BM是有機(jī)電子學(xué)中應(yīng)用廣泛的富勒烯衍生物之一。通過(guò)測(cè)量電流、線性動(dòng)態(tài)范圍和瞬態(tài)照片來(lái)評(píng)估它們的光電二極管特性。此外，研究了暗電流產(chǎn)生的陷阱密度和光致發(fā)光（PL）衰減曲線，以確定受體材料的暗電流抑制和快速光響應(yīng)效應(yīng)。圖1 a) 包含阻擋層的有機(jī)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖。插圖：由電子受體材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）組成的感光層的納米結(jié)構(gòu)填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結(jié)構(gòu)。通過(guò)以6 mW cm-2的入射功 ...
以通過(guò)泵浦/載流子注入在標(biāo)準(zhǔn)III-V半導(dǎo)體系統(tǒng)中輕松實(shí)現(xiàn)。由于在空間、功耗和速度方面，改變?cè)鲆?損耗系數(shù)比改變相位更有效，因此PT-ONN架構(gòu)可潛在地需要更小的占用空間并以更低的功率加速片上訓(xùn)練。(2)兩層宇稱時(shí)間對(duì)稱ONN。如圖2所示，在第一層，激光編碼N1個(gè)像素，光信號(hào)首先被發(fā)送到由(N1(N1-1)/2)個(gè)宇稱時(shí)間對(duì)稱耦合器組成的三角形陣列。然后，光經(jīng)過(guò)N2個(gè)放大器/衰減器，隨后為由(N2(N2-1)/2)個(gè)宇稱時(shí)間對(duì)稱耦合器組成的第二個(gè)三角形陣列，然后是N2個(gè)非線性元件。第二層用星號(hào)表示，包含了相似的元件，但是有N2和N3值。該層終止于N3個(gè)光電探測(cè)器。值N1、N2、N3分別表示輸入 ...
或 投遞簡(jiǎn)歷至: hr@auniontech.com
