實現磁光技術研究InSe光自旋動力學在圖1中可以看到至少采用其中一種光學測量的實驗裝置。所有的測量都是在低溫下在高磁場的磁光低溫恒溫器中完成的。偏振PL的一般光學設置如圖1a所示。在輸入端，有一個短通濾波器(SPass)，一個線性偏振器(LP)和一個四分之一波片(QWP)。然后，圓形或線性極化光束通過50:50的分束器(BS)，其中50%被引導到attoDRY2100磁光低溫恒溫器(1.7 K基溫，9 T超導磁鐵)內的物鏡。然后，從樣品(S)反射的光束通過圓偏振收集光學元件(QWP和LP)，用長通濾光片(LPass)過濾，然后聚焦到光纖上，該光纖通向帶有CCD相機(Andor)的750毫米光譜 ...

過門控調節的載流子密度。例如，基于Gr的器件已經證明了長通道上的自旋輸運和自旋進動，并且被預測在沒有外場的情況下具有光學產生的自旋極化。不幸的是，由于弱自旋軌道耦合(SOC)的困擾，Gr對OISO的適用范圍有限。具有重要光學和自旋特性的二維材料的典型例子是過渡金屬二硫族化合物(TMDs)。強SOC通過光學選擇規則為控制贗自旋態創造了條件，再現了自旋材料的許多光學特征。激子和其他載流子可以被偏振光激發成“谷”，這是單層tmd在k空間中分離的直接帶隙躍遷。對這些谷偏振態的光學訪問模擬了OISO所需的選擇規則。谷的應用創造了一個與自旋電子學平行的“谷電子學”，其中基于谷的器件表現出“谷霍爾效應”和強 ...

減輕了與側向載流子擴散相關的挑戰，并且避免了樣品粗糙度引起的偽像問題，這些問題在逐點成像方法中經常遇到。此外，根據物鏡的放大倍數，記錄的圖像可以跨越幾平方毫米，從而便于全面分析。這里呈現的mapping是在激光zui大激發功率下記錄的。而在較弱激勵水平下發現的映射顯示出均勻的空間行為(未示出)，我們在這里觀察到輕微的空間變化。在接觸點和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值，在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值。zui大值和zui小值的差值在系統誤差范圍內，但可以在7±2meV下相對評估。盡管發現了輕微的空間變化，但我們注意到與同時測量的1.15V開路電壓很吻合，驗證了接觸處Δμ ...

o)可以激發載流子種群。當這個種群松弛時，每個載流子都有相同的機會落在任意一個自旋狀態，因為這些狀態在能量上是簡并的。這導致沒有凈自旋不平衡(無Polz)，并表現為等量的圓極化發射(σ+(?))。當施加磁場時，由于塞曼效應，自旋能級被分裂，導致自旋能級在能量上分離(塞曼)。當這種情況發生時，更多的載流子將放松到能量較低的自旋態。這就產生了相反螺旋度的發射PL之間的強度差異。然而，這兩個都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驅動的。如果在沒有磁場存在的情況下，圓偏振光入射產生凈自旋不平衡，并且在初始快速弛豫后可以觀察到圓發射之間的強度差異，則自旋優先定向到一個自旋狀態。在第三種情況下，圓偏振光將 ...

的變化會導致載流子濃度的變化，從而引起材料折射率和增益系數的改變，也會使激光器的發射波長以階梯形式跳躍變化。而MOGLabs的激光器控制器可以很好的解決這一問題，它是一款超低噪聲半導體激光器控制器，一款集電流控制、溫度控制、頻率鎖定等功能為一體的ECDL控制器，集八大功能于一體，提供用于驅動ECDL激光器和將其鎖定到外部參考源的重要部件。每一臺DLC控制器都包括：微分低噪聲探測器，700kHz帶寬；超低噪聲二極管電流源，< 100pA/√Hz，直流至1MHz；帶有珀爾帖TEC驅動的溫度控制器；掃描振蕩器；一對高壓壓電驅動；解調器（鎖相放大器）；微分光電探測器；交流調制源；伺服反饋回路濾波 ...

性，例如電荷載流子壽命長、擴散長度長、光吸收強 （104–105cm-1）、寬光譜范圍 （1.2–3.0eV） 的帶隙可調諧性、極低的缺陷密度和高缺陷容限、低電壓損耗以及光子回收，使它們對光伏應用具有吸引力。近年來，實驗室規模的PSCs經歷了功率轉換效率的巨大提升，達到25%以上，這在晶體硅基太陽能電池效率的范圍內。然而，由于工藝的可轉移性和鈣鈦礦薄膜質量的下降，PSC的效率正在從實驗室規模下降到大規模鈣鈦礦太陽能組件（PSM），這限制了商業化，從而限制了PSC的實際應用。薄膜的激光圖案化及其在PSM單片串聯互連中的應用。證明無論鈣鈦礦層堆棧的詳細配置如何，基于激光的圖案化的成功都是基于精確控 ...

持黑暗，導致載流子向這些區域橫向擴散。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復合。使用全局成像時生成的等勢體防止了電荷向更暗區域擴散。用于全局成像模式的均勻照明使得在現實條件下進行PL實驗成為可能，z低可達一個相當于太陽功率密度。預計儀器激發強度波動可達13%。激發輻照度的變化將帶來PL發射的比例變化，使這種效應易于識別。此外，在儀器軟件的輔助下，這些效應將減少到可以忽略的min程度。圖1(a)展示了在CIGS沉積前，P1劃線和P2激光劃線區域的光學顯微照片和PL顯微照片在同一位置的直接比較。正如預期的那樣，P2激光槽周圍的金屬化區域沒有PL發射。關于P1燒蝕線上的CIGS材料的PL空間均勻性 ...

范圍遠超光生載流子的遷移距離，可以很容易地理解SR熱效應內的CIGS區域不再是光活性的。作為參考，Brown通過電子束誘導電流（EBIC）報告了0.30到0.52μm的少數載流子擴散長度。相應地，Delamarre使用寬帶可調激光的光束誘導電流（LBIC）裝置繪制了1.09μm（標準偏差為0.10μm）的載流子擴散長度。上述陳述可以通過以下事實進一步解釋：CIGS的部分損傷不會完全耗盡光致輻射復合，而只會抑制它。熱誘導缺陷的逐漸增加將通過非輻射能量耗散途徑（如熱或紅外輻射）逐漸抑制光致輻射復合。在這方面，Schultz報告了圖形線邊緣的CIGS成分的激光誘導變化，也是短程距離。借助能量色散X射 ...