鐵磁體和反鐵磁體的異質結構對鐵磁體和非磁性襯底之間界面的研究表明，與鐵磁性襯底的相互作用可能在襯底中誘導長程鐵磁有序，而其本身并不顯示鐵磁有序。感應磁化強度可以與鐵磁體的磁化強度平行或反平行，這取決于交換相互作用的符號。這可能會導致鐵磁層的產生，即使是在其整體形式是反鐵磁的材料，如觀察到的，如超薄的Cr膜在Fe上。在這種情況下，襯底中的長程順序——無論是反鐵磁體還是非磁性金屬——是由與鐵磁性襯底的相互作用決定的，并且可以預期它會顯示出同樣的溫度依賴性。事實上，Mn對Ni的這種感應磁序的溫度依賴性被研究了，發現與襯底的相同。當然，隨著反鐵磁層厚度的增加，整體反鐵磁態將占上風，每一層將顯示自己的有 ...

塊體砷化鎵中的磁光克爾效應塊體GaAs中pMOKE的起源可以通過考慮導帶中自旋向上和自旋向下狀態的不均勻占據來理解，如下側圖1所示。導帶中的自旋不平衡導致兩個自旋居群的費米能級存在差異。這對于能量接近帶隙能量的光子的吸收有重要的影響。能量僅略高于Eg的光子只能激發躍遷進入自旋下子帶。躍遷到自旋向上子帶只有在光子具有較大能量時才有可能。圖1.左:大塊砷化鎵中左圓偏振光(lc)和右圓偏振光(rc)的光躍遷，從重帶(hh)和光孔帶(lh)躍遷到導帶。右:計算出n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的吸收光譜。α0表示非極化情況下的吸收。此外，躍遷必須遵守砷化鎵中的偶極 ...

)As量子阱異質結構示意圖。Ene表示導電帶中電子的量子化能態。enh和Enlh分別是價帶中重空穴和輕空穴的能態在自旋led實驗中，通過直接比較電致發光在頂發射(電子自旋極化方向垂直于量子阱)和邊發射(電子自旋極化方向在平面上)的圓極化，驗證了這一效應。適用于10 nm和15 nm寬的量子阱在邊緣發射幾何結構中沒有發現明顯的圓極化，盡管在頂部發射中測量到了強烈的信號。然而，對于寬(體狀)量子阱(d≥50 nm)，在邊緣發射中甚至可以檢測到圓極化，這表明與窄量子阱相比，由于量子約束減弱，重空穴自旋獲得了面內分量因此，對于寬GaAs/(Al,Ga)As-QW系統，光學選擇規則應該仍然允許邊緣發射中 ...

以準確確定異質結構的多層膜結構;2）在醫學方面的應用中，橢偏成像技術可以和很多生物技術相結合，實現各個層面的應用。例如與人工智能技術相結合實時監測病人身體的癌細胞，及時做出反應，配合醫生對患者進行康復治療；3）將橢偏成像技術的zui新發展實用化，研制可用于工業生產過程中使用的成像橢偏儀，在半導體、微電子等產品的生產過程中實現實時監測；4）通過解決圖像傳感器的低頻響應和降低系統噪聲來減小圖像采集的誤差；5）建立包含成像橢偏儀的校準因素的系統模型, 以減小成像橢偏儀的測量誤差;6）對半導體工業常用薄膜材料建立準確的物理模型, 以減小系統的計算誤差;7）引入能夠同步進行數據獲取和數據處理的控制系統 ...

，晶格匹配對異質結構施加了限制，因為具有非常不同晶體結構的材料在組合時不能很好地耦合。傳統的半導體也傾向于形成三維結構，使得不配對的鍵更容易存在于表面。這些懸空鍵不僅使這些系統中的表面物理更加難以控制，而且使這些材料的薄膜變成準二維(2D)結構。幸運的是，在過去的二十年里，一種新的材料出現了，它具有真正的二維性質和光學定向自旋的能力。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-150.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光 ...

也可以在二維異質結構中進行逐層工程。這種工程方法可以通過結合相互補充的2D系統來利用。例如，在WSe2/Gr異質結構中，用于谷自旋操縱的大自旋-軌道耦合(WSe2)和用于電子器件的高電導(石墨烯)的配對對谷自旋動力學產生了新的影響。因此，逐層工程提出了一種很有前途的方法來構建具有增強控制和檢測自旋現象的二維系統。這就促使人們尋找與傳統半導體類似或更新穎的二維類似物，這些材料已經產生了大量的自旋電子研究。幾種二維半導體具有適合低維自旋器件的特性，如高電子遷移率和可通過門控調節的載流子密度。例如，基于Gr的器件已經證明了長通道上的自旋輸運和自旋進動，并且被預測在沒有外場的情況下具有光學產生的自旋極 ...