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中文：摻雜半導體；英文：doped semiconductor

關鍵詞

解釋

為滿足應用需求，在半導體中摻入一定濃度的某種雜質原子，以改變其導電性和實現某種功能的半導體。為盡量減少因雜質摻入引起的內應力，應選擇與本征半導體格點上某元素原子半徑相近的雜質原子并最好以替代方式摻入本征半導體晶格中。

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