高響應度和低暗電流的波導耦合鍺光電二極管。作者:S. Lischke,A. Peczek ... L. Zimmermann原文鏈接: https://www.nature.com/articles/s41566-021-00893-w10 論文標題:3D納米打印中的兩步吸收代替雙光子吸收簡介:作為通過雙光子吸收進行高分辨率制造的替代方法,研究人員展示了一種使用廉價光源的兩步吸收過程。作者:Vincent Hahn,Tobias Messer... Martin Wegener原文鏈接: https://www.nature.com/articles/s41566-021-00906-8關于昊 ...
導致p-n結暗電流的不均勻分布從而引起信號的失真。綜上,想要提高PSD的線性度就需要分兩步走,首先針對PSD本身的材料和結構,其次是通過算法來對PSD的zui終輸出進行修正。在本文我們主要針對PSD的內部影響因素來談一談提高線性度的方式。與結構相對簡單,線性度也比較好的一維PSD相比,二維PSD的結構稍顯復雜,要保證兩個方向的線性度都很好就需要更加復雜的設計和工藝加工流程。二維四邊形PSD的等效電路圖如圖2所示。圖2該PSD的制作工藝較為簡單,暗電流小同時制作流程也比較短,適合大批量的生產,但是該PSD因為電極設置在同一個平面,電極距離很近,電極之間影響較大,導致容易失真的問題,線性度比較好的 ...
in的信號是暗電流的RMS信號(噪聲)。它主要由檢測器的讀出噪聲決定。對于Ariel光譜儀中使用的CMOSS11639檢測器,RMS噪聲約為13至14個ADC計數。這給出了~5000的動態范圍。因此,我們可以測量100%到0.02%的反射率。當然,0.02%將是檢測限(信號=噪聲);因此我們可以在低反射率水平下精確測量約0.1%的反射率差異。圖1(左)顯示了其中一項測量結果。反射光譜中干涉條紋的幅度約為0.1%,并且非常清晰:薄膜疊層模型與測量數據相符,并且可以準確確定厚度/n&k。圖1 低光學對比度測量–基材上的涂層,折射率差異<0.1反射條紋p-p幅度~0.1%。模型根據數據 ...
短占空比和低暗電流。與TG拉曼應用相比,SPAD探測器目前的一個缺點是,與ccd相比,在探測器陣列中匹配相當數量的像素是一個挑戰。這可能會對光譜分辨率產生影響,盡管有方法可以改善這一點,例如微透鏡陣列和亞像素采集的實現。目前的商用TG拉曼光譜儀提供的光譜分辨率約為5 (cm?1)波數,而一些基于CCD的系統可以達到1 (cm?1)以下。然而,大多數應用不需要子波數分辨率。5. TG拉曼spad探測器發展綜述Blacksberg等人和Nissinen等人在2011年首次展示了SPAD技術在TG RS中的應用。Nissinen小組使用300 ps脈沖Nd:YAG微芯片激光器的上升沿,在532 nm ...
以接受更高的暗電流檢測器,例如未冷卻的pmt。同年,Harries等人首次將TR實驗中的熒光背景抑制水平與在992 cm?1熒光團摻雜的苯拉曼帶上連續激發的水平進行了比較。當時的激光系統和探測器需要大型、復雜的設備,需要非常精確的設備校準。到1985年,Deffontaine等人正在測試皮秒(ps)時間門控的主動和被動方法,目的是結合同步條紋相機檢測和光學Kerrgate來提高信噪比;然而,他們注意到這種方法的適用性有限。同年,Watanabe等人利用快速門通PMT-MCP排列和570nm ps脈沖激光,在31 ps的超短TG窗口中證明了乙醇摻雜羅丹明6 G的熒光抑制。一年后,1986年,Ev ...
所有像素中的暗電流基本上都是相同的。CMOS 探測器也存在類似的選項(例如Hamamatsu S11639-11)。然而,在CMOS 探測器中,這種策略的效果要差得多,因為每個像素具有不同的暗信號,并且溫度/積分時間依賴性也不同。備用選項是在信號測量之前進行“暗”頻譜測量。對于快速和精確的光譜測量來說,這兩種方法都是不可接受的。ARIEL 光譜儀具有針對不同溫度和積分時間校準的暗電流。回歸系數存儲在光譜儀中,并根據檢測器溫度和所使用的積分時間進行加載。這樣可以快速準確地校正固件中的暗信號。暗信號對積分時間的依賴性是非線性的。在積分時間 < 10ms 時,暗信號變化非常小,在積分時間> ...
的制造。測量暗電流和光電流之間的差值,并將字母“T”成像為像素圖形。研究結果表明,將二維材料的電化學剝離與噴墨打印相結合是下一代、大規模和高性能光電器件的一種很有前途的方法。拉曼和PL的主要作用,就是分析通過TFSI修飾后MoS2納米片結構的改變,以及PL信號增強背后的原因。華中科技大學史鐵林教授簡介:男,教授,博士生導師,史鐵林(Shi Tielin,Professor),1964年1月出生,中共黨員,博士,教授,博士生導師,guo家級領軍人才,曾任機械學院黨委書記。1985年本科、1988年碩士畢業于西安交通大學,1991年博士畢業于華中理工大學,1993年博士后出站,進入華中科技大學(原 ...
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