助力砷化鎵準費米能級映射砷化鎵（GaAs）作為一種you秀的III-V族半導體化合物，在光伏應用中廣泛受到青睞，這歸功于電子遷移率、直接帶隙和精密調控的生長機制。GaAs單結器件已經實現了效率，接近驚人的30%閾值。迅速成為薄膜太陽能電池的優質材料。Photon etc.公司的基于體積布拉格光柵的高光譜成像平臺（IMA）可以對GaAs進行表征，IPVF（以前稱為IRDEP-光伏能源研究與開發研究所）的科學家利用IMA系統對GaAs太陽能電池進行表征。成功地在標準GaAs太陽能電池中獲取了光譜和空間分辨光致發光（PL）圖像。他們利用532nm激光器通過顯微鏡物鏡實現了整個視場的均勻照明，從而使得 ...

直接相關的準費米能級分裂（Δμeff）（見圖1（c）和（d））。借助太陽能電池和LED之間的互易關系，可以從EL圖像中推導出外部量子效率（EQE）。在樣品的整個表面上獲得微米級的基本特性有助于改進制造工藝，從而達到更高的電池效率。圖2.（a）集成PL發射和（b）集成EL發射的高光譜圖像。使用廣義普朗克定律，可以推導出（c）和（d）Δμeff映射。改編自[3]。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/details-1007.html相關文獻：[1] Yoshida S. et al. 2019,Solar frontier achiev ...

點處虛線表示費米能級。第1個主要帶結構研究表明，單層GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe和InTe的帶隙在2.0 - 3.3 eV之間(圖2)。在單分子層極限下，III-VI單硫族化合物具有準間接帶隙，主要價帶呈火山口形狀。這種形狀導致價帶蕞大值與Γ點略有偏離。進一步的復雜性可以通過考慮SOC效應的擾動來獲得，這在GaSe和InSe中已經得到了廣泛的研究。原子荷電性導致自旋態分裂和能帶混合，而晶體對稱性產生的荷電性會導致額外的自旋分裂并影響自旋弛豫。當考慮N(層數)大于時，這些系統的復雜性會加深。層序和層數可以改變帶隙，改變初級價帶形狀，誘導鐵電，調節自旋弛豫。其他效應，如鐵磁性，預測 ...

指電子處的準費米能級和空穴接觸在照明下的分裂。通常，測量有效QFLS（Δμeff），因為照明的樣品區域不是無限小的，并且延伸到具有多個晶界的較大區域。這些內部接口會導致內部損耗降低理想的QFLS。太陽能電池在熱平衡和室溫下的PL發射ΦPL可以通過廣義普朗克定律使用黑體的玻爾茲曼近似來描述。由于太陽能電池不是理想的黑體，因此必須考慮樣品吸收率，即吸收的光子與入射光子數的比率或吸收概率。光子發射的有效角度通常小于整個半球。只有在低于臨界角的角度下發射的光子才能離開鈣鈦礦樣品表面，而在較高的角度下會發生全內反射。在進行局部QFLS的計算之前，必須首先確定PL發射光譜的中心波長（PL峰值位置），因為該 ...