光纖軸線精確對準的條件，則連接損耗可以近似地由發射與接受纖芯面積的相對差值決定。圖1.光纖纖芯直徑差異例如，對漸變折射率光纖，50 um標準光纖芯徑的允許變化值為±3 um。對于最大偏差情況，光從芯徑為53 um的光纖中傳輸到47um的光纖中，其相差值為0.21。若光在纖芯中是均勻分布的，則計算損耗約為1 dB；類似地對單模光纖，其模場直徑為8.4±0.5um，在最大偏差情況下，相對差值亦為0.21，相應的損耗為1 dB。實際上大部分單模光纖接器的損耗的數量級在0.1-0.5 dB。圖2.光纖入射角數值孔徑數值孔徑差異對連接損耗的影響。若兩光纖的數值孔徑不同，入射光纖的數值孔徑（NA1）大于接 ...

面過于平坦，對準時不易定位，降低連接精度；若半徑過小，則會導致應力過分集中在較小端面，可能導致光纖變形甚至碎裂。光學特性：一個良好的光纖連接器除了外觀等物理特性需要符合標準以外，器件本身的光學特性也需要滿足一定的使用標準。通常來說，連接器在制作過程中需要考慮以下兩個方面的光學特性：反射損耗（Return Loss）也稱回波損耗，是指光信號在通過連接器時，入射光功率被反射回信號源的部分與入射光功率之比的分貝數，即RL=-10lg(pr/pin)通常來說，RL是負值，值越大越好，可以有效減小反射光對光源和光纖系統穩定性等性能的影響。插入損耗（Insertion Loss），是指對光纖連接器而言，輸 ...

和光學系統的對準和計量。波前傳感器可在單次測量中獲得完整的激光特性。波前傳感器是支持光刻系統制造商和集成商校準、鑒定和監控其紫外光源和系統的理想工具。在整個光刻過程中，都會對晶圓進行檢查。晶圓的檢測是晶圓制造過程中的關鍵部分。昊量光電推出的高分辨率紫外波前分析儀結合了高動態范圍、納米波前靈敏度和高分辨率，是集成在晶圓檢測機中的候選者。1）晶圓檢測：可以檢測晶圓表面的缺陷、薄膜厚度、平整度等參數。晶圓表面形貌測量：紫外波前分析儀可以通過配合望遠系統，通過測量打到晶圓表面光的反射確定晶圓表面的形貌特征。薄膜厚度測量：波前分析儀可以對薄膜進行雙透射測量，根據相位變化，從而確定薄膜的厚度或者得到薄膜的 ...

鏡。為了簡化對準過程并獲得zui佳成像效果，我們的光學元件還可以使用專門開發的支架進行精確對準。此外，安裝好的非球面光學元件與所有安裝好的非球面光學元件一樣，可以通過公制細牙螺紋輕松擰緊到其他元件上。進一步了解非球面安裝鏡頭的優勢。得益于其圓錐形的形狀，所有錐透鏡均可用于多種應用場合。昊量光電可以提供各種規格的標準品及定制化的非球面錐透鏡，主要優點在于：RMSi ≤ 0.07 μm的出色表面形狀偏差適用于高功率激光應用并有現貨供應激光損傷閾值：12 J/cm2，100 Hz，6 ns，532 nm可提供4種標準鍍膜（也可根據要求定制鍍膜）A: RMAX<1.0%, RAVG≤0.4%, ...

本小節主要是對準在橢偏數據位擬合得到的光學常數n、k，介電常數、以及對擬合的得到的其他參數，如中心能量、展寬等進行分析。首先通過300nm-800nm波段擬合得到的n、k值知該體系測不太適合長波段測試，其次對ε1、ε2在300-500nm波段擬合得到的數據比較光滑，與0s相比其余沉積時間在300-400nm波段出現新的波包，對應CU2OE1A激子系列吸收峰，0s時370nm附近出現的波包隨著沉積時間的增加有紅移的趨勢。相對于180s，介電常數實部和虛部相變化Δ和Δ以及變化率，反映出沉積體系在525-600nm波段對光的響應存在跳變，可能由等離子體共振導致。其次，從擬合得到的中心能量知，存在CU ...

2.9μm，對準后在紅外相機(Xenics-Gobi 640)上對波導輸出進行成像，在TM偏振下的輸出強度分布如圖1b所示。模態強度分布(COMSOL)模擬顯示，沿x軸和y軸的FWHM分別為10.1μm和2.3μm。采用熱電冷卻型碲化汞鎘(MCT)探測器(VIGO系統)記錄采集物鏡的信號。來自MCT探測器的信號被記錄在一臺計算機上，該計算機也對QCL進行了調諧，并使用軟件包(LaserTune)對光譜進行處理。作為一種簡單的紙基流體結構，用一條濾紙將含水分析物引入波導表面，并確定倏逝吸收路徑長度。在濾紙上蓋上一層副膜以避免樣品蒸發。已經證實，在波導表面存在濾紙本身不會顯著改變光傳輸。圖12.蛋 ...

槽陣列隨后被對準并連接到器件上，以實現光纖耦合器件結構。關于制造過程和器件結構的更多細節在參考文獻10中進行了解釋。圖3所示。基于TFLN的Mach-Zehnder傳感器芯片的制造工藝步驟。(a)離子注入和鈮酸鋰晶體與石英襯底的結合。虛線表示鋰鈮酸鹽層的離子注入層。(b)晶體離子切片工藝及TFLN生產。(c)極化電極沉積。(d)高壓極化過程。電子束光刻、蝕刻、波導形成和聚合物鈍化層沉積。箭頭表示TFLN層的自發極化方向。圖4所示。通過器件的典型極化電流。4．器件特性A.環形諧振式電場傳感器圖5(a)顯示了一個制造和封裝的基于微環諧振器的電磁場傳感器的圖像。可以看出，封裝的傳感器非常緊湊。目前封 ...

、穩定的空間對準。由于光子集成電路取代了多個大塊光學元件(以及它們的機械安裝和支架)，電光太赫茲傳感器的尺寸和重量大大減少。未來，具有成本效益的薄膜LNOI探測器芯片的晶圓級制造設想將變成現實。使用鈮酸鋰和光子集成的電光太赫茲波探測器由器件概念表示，其中入射太赫茲波電場使用等離子體天線和等離子體器件局部增強。我們的研究目標是通過開發一種光子集成的全介電電磁傳感器來推進技術。該設備對于射頻/毫米/太赫茲頻率電場和波的非侵入性測量非常重要，在這種環境中，沉積在鈮酸鋰上的金屬結構可能會扭曲待檢測的電場模式。結果光子集成電路薄膜LNOI電光太赫茲傳感器設計如圖1所示。它由一個Mach-Zehnder ...

組件實現精確對準的批量金屬化，該組件允許通過運動耦合在頂部陰影掩模和底板之間進行可重復的-?m級對齊。圖1說明了裝配前的金屬化反射鏡組件使用干涉輪廓顯微鏡(WYKO, NT 2000)測量金屬化和組裝鏡面的表面形貌。與之前記錄的數據相比，將釋放后金屬化與金屬涂層結構的各種鏡面強化技術相結合，可以顯著改善RMS平面度和增加曲率半徑。在整個透明孔徑上測量到的RMS平坦度小于40 nm，對應于min工作光譜區域2 um的小于波長的1/50。峰谷差小于210 nm，使得整個透明孔徑的曲率半徑大于80 cm，曲率半徑僅為2μm，遠小于一條條紋。所開發的工藝具有魯棒性和高度可重復性。圖22. 鏡像運動Ch ...

2.9μm，對準后在紅外相機(Xenics-Gobi 640)上對波導輸出進行成像，在TM偏振下的輸出強度分布如圖1b所示。模態強度分布(COMSOL)模擬顯示，沿x軸和y軸的FWHM分別為10.1μm和2.3μm。采用熱電冷卻型碲化汞鎘(MCT)探測器(VIGO系統)記錄采集物鏡的信號。來自MCT探測器的信號被記錄在一臺計算機上，該計算機也對QCL進行了調諧，并使用軟件包(LaserTune)對光譜進行處理。作為一種簡單的紙基流體結構，用一條濾紙將含水分析物引入波導表面，并確定倏逝吸收路徑長度。在濾紙上蓋上一層副膜以避免樣品蒸發。已經證實，在波導表面存在濾紙本身不會顯著改變光傳輸。圖2在雙蒸 ...