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非球面鏡|高數(shù)值孔徑(S-LAH64)
非球面鏡|低數(shù)值孔徑(N-BK7)
非球面鏡|熔融石英(FusedSilica)
非球面柱面鏡
錐透鏡
a|已安裝的非球面鏡/錐透鏡/非球面柱面鏡
墨烯器件放在拋光的銅板上(發(fā)射率約為0.1),然后把器件和銅板放在加熱板上(如圖二a所示).使用熱電偶來測(cè)量表面多層石墨烯的溫度,調(diào)節(jié)熱板的溫度,以保持表面多層石墨烯的溫度為35℃.使用Tix500熱像儀以恒定的發(fā)射率1記錄多層器件在不同插入偏壓下的熱像圖(如圖二b所示).偏壓范圍由離子液體的電化學(xué)窗口決定。圖二b顯示了器件的紅外溫度從0 V時(shí)的30.5°C降低到4V時(shí)的28.1°C,可以通過ε=ε1(T1 / T)^4來確定表面的發(fā)射率ε,其中ε1是用于熱成像的發(fā)射率,T1是紅外溫度,T是通過熱電偶測(cè)得的實(shí)際溫度,因此這意味著通過離子液體嵌入抑降低器件的發(fā)射率.根據(jù)熱成像可以確定不同插層偏壓 ...
都是采用研磨拋光方法;光纖對(duì)準(zhǔn)調(diào)節(jié)一般采用無源或者有源二次對(duì)準(zhǔn)技術(shù);而光纖接頭固定結(jié)構(gòu)則是隨著固定光纖并使之對(duì)準(zhǔn)的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異。對(duì)接耦合式光纖連接器,無論是對(duì)單模光纖還是多模光纖系統(tǒng),常用的對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)一般都采用直套筒式錐形(雙錐形)套筒結(jié)構(gòu)。如圖2所示,兩根帶連接的光纖被固定在兩個(gè)金屬或陶瓷的內(nèi)套筒中,內(nèi)套筒中心打有直徑為126 um(對(duì)單模光纖)或這127 um(對(duì)多模光纖)左右的精密孔,其孔徑稍大于包層外徑。兩個(gè)內(nèi)套筒共置于一個(gè)精密的圓柱形定位筒(即外套筒)內(nèi),以保證兩根光纖同軸且兩端面準(zhǔn)確地接觸。兩個(gè)內(nèi)套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...
是微球面研磨拋光,插芯表面研磨成輕微球面。UPC (Ultra Physical Contact),超物理端面。UPC連接器端面并不是完全平的,有一個(gè)輕微的弧度。APC (Angled Physical Contact),斜面物理接觸,光纖端面通常研磨成8°斜面。插入損耗(Insertion Loss):PC、UPC和APC連接器的典型插入損耗應(yīng)小于0.3dB(較大值),典型值一般小于0.2dB,UPC/PC連接器通常更容易實(shí)現(xiàn)低插入損耗。回波損耗(Return Loss):APC連接器的回波損耗通常優(yōu)于UPC連接器,PC回波損耗為-45dB。UPC回波損耗一般是在-50dB(甚至更高)。AP ...
模塊和輸出端拋光 FC/PC 連接器,反射率約為 4%。PCF 用于生成參數(shù)四波混頻 (FWM) 增益可通過波長(zhǎng)調(diào)諧在750nm和980nm 之間進(jìn)行波長(zhǎng)調(diào)諧僅5ms內(nèi)的振蕩器(相應(yīng)的波長(zhǎng)調(diào)諧曲線可以在參考文獻(xiàn)的圖 3(a)中找到。)。FOPO 和放大的振蕩器脈沖的組合用作 CARS 的泵浦和斯托克斯波,并允許處理 700 cm-1和 3200 cm-1之間的拉曼譜帶。FOPO 諧振器中的 SMF完成了光譜窄色散調(diào)諧 ,使得反饋信號(hào)脈沖在時(shí)間上被拉長(zhǎng),并且只有窄光譜部分 (<12 cm-1) 與下一個(gè)要放大的泵浦脈沖重疊。因此,諧振器的光路長(zhǎng)度直接與 FOPO 輸出的波長(zhǎng)相關(guān)。自定義—— ...
,圓片再經(jīng)由拋光便可形成芯片制造所需的硅晶圓。經(jīng)過這么多步驟,芯片基板的制造便大功告成,下一步便是堆疊房子的步驟,也就是芯片制造。至于該如何制作芯片呢?三、層層堆疊打造的芯片在介紹過硅晶圓是什么東西后,同時(shí),也知道制造 IC 芯片就像是用樂高積木蓋房子一樣,藉由一層又一層的堆疊,創(chuàng)造自己所期望的造型。然而,蓋房子有相當(dāng)多的步驟,IC 制造也是一樣,制造 IC 究竟有哪些步驟?下面將對(duì) IC 芯片制造的流程做介紹。在開始前,我們要先認(rèn)識(shí) IC 芯片是什么。IC,全名積體電路(Integrated Circuit),由它的命名可知它是將設(shè)計(jì)好的電路,以堆疊的方式組合起來。藉由這個(gè)方法,我們可以減少 ...
的鏡面表面用拋光技術(shù)拋光到1納米以下的粗糙度。硅的獨(dú)特之處在于,在鏡面金屬化之前,可以使用各種方法使表面超凈。此外,硅材料本身在制造過程中沒有任何殘余應(yīng)力,在鏡面微加工后仍保持這種性能。因此,硅反射鏡具有較高的平整度,曲率通常低于用傳統(tǒng)干涉儀測(cè)量的水平。作為MEMS鏡面的基材,硅具有較優(yōu)的潔凈度、平整度。在光束轉(zhuǎn)向應(yīng)用的Z后制造步驟中,硅鏡面必須涂覆以獲得所需波長(zhǎng)的高反射率。在標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)過程中,硅鏡上會(huì)涂上一層薄薄的鋁,所有庫存的MEMS鏡面都用的鋁涂層。一些研發(fā)生產(chǎn)過程中的設(shè)計(jì)被涂上了黃金。一般來說,可以使用其他涂層材料,但有必要找到薄的、低應(yīng)力的涂層,而不會(huì)顯著降低鏡子的平整度特性。這是一個(gè) ...
離子交換樹脂拋光AHA溶液,以去除微量鹽并降低溶液的電導(dǎo)率。使用先前發(fā)表的方法測(cè)量了該電解質(zhì)系統(tǒng)的交越頻率(COF),發(fā)現(xiàn)其交越頻率(COF)為6.2MHz。3.3阻抗測(cè)量我們利用上游并行點(diǎn)陣列驅(qū)動(dòng)fDEP流通過通道,并利用下游45°交錯(cuò)陣列作為阻抗傳感器。平行點(diǎn)電極軸向間隔20m,并對(duì)稱橋接微通道的寬度。我們使用帶有尖銳點(diǎn)的電極將電場(chǎng)聚焦到電極的尖端,并沿著主流通道壁增加與PDMS和玻璃基板的接觸。一個(gè)函數(shù)發(fā)生器(RigolDG4102)被連接到fDEP電極上,并傳遞一個(gè)交流電場(chǎng)來取代跨通道的接口。下游阻抗電極被交錯(cuò),并相對(duì)于流動(dòng)方向定位在45?的角度,以最大限度地提高陣列對(duì)界面位置變化的敏 ...
及用于光學(xué)的拋光和研磨。高溫高壓法的缺點(diǎn)是它只能生產(chǎn)出納米級(jí)到毫米級(jí)的單晶金剛石,這限制了它的應(yīng)用范圍。直到金剛石的化學(xué)氣相沉積(CVD)生產(chǎn)方法以及金剛石薄膜的出現(xiàn),該金剛石的形式可以允許其更多的高ji特性被利用。金剛石的化學(xué)氣相沉積(CVD)生產(chǎn)方法相比起HPHT 復(fù)制自然界金剛石產(chǎn)生的環(huán)境和方法,化學(xué)氣相沉積選擇將碳原子一次一個(gè)地添加到初始模板中,從而產(chǎn)生四面體鍵合碳網(wǎng)絡(luò)結(jié)果。化學(xué)氣相沉法,顧名思義,其主要涉及在固體表面上方發(fā)生的氣相化學(xué)反應(yīng),從而導(dǎo)致沉積到該表面上。下圖展示了一些比較常見的制備方法金剛石薄膜一旦單個(gè)金剛石微晶在表面成核,就會(huì)在三個(gè)維度上進(jìn)行生長(zhǎng),直到晶體聚結(jié)。而形成了連 ...
化、腐蝕及電拋光等電化學(xué)過程,可以現(xiàn)場(chǎng)深入地研究電極-電解液界面過程。(5)微電子領(lǐng)域在微電子領(lǐng)域中,研究薄膜生長(zhǎng)過程,薄膜厚度,半導(dǎo)體的表面狀況以及不同材料的界面情況,離子的注入損傷分布等;一些高技術(shù)材料的研究及其它新領(lǐng)域:高溫超導(dǎo)材料、低維材料、導(dǎo)電聚合物以及光電子學(xué)、聲光學(xué)和集成光學(xué)、激光技術(shù)等領(lǐng)域,橢偏術(shù)還用來研究固體的輻射損傷。如果您對(duì)橢偏儀相關(guān)產(chǎn)品有興趣,請(qǐng)?jiān)L問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁:http://www.champaign.com.cn/three-level-56.html更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電:上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商,產(chǎn)品 ...
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