墨烯器件放在拋光的銅板上（發射率約為0.1）,然后把器件和銅板放在加熱板上（如圖二a所示）.使用熱電偶來測量表面多層石墨烯的溫度,調節熱板的溫度,以保持表面多層石墨烯的溫度為35℃.使用Tix500熱像儀以恒定的發射率1記錄多層器件在不同插入偏壓下的熱像圖（如圖二b所示）.偏壓范圍由離子液體的電化學窗口決定。圖二b顯示了器件的紅外溫度從0 V時的30.5°C降低到4V時的28.1°C,可以通過ε=ε1（T1 / T）^4來確定表面的發射率ε,其中ε1是用于熱成像的發射率,T1是紅外溫度,T是通過熱電偶測得的實際溫度,因此這意味著通過離子液體嵌入抑降低器件的發射率.根據熱成像可以確定不同插層偏壓 ...

都是采用研磨拋光方法；光纖對準調節一般采用無源或者有源二次對準技術；而光纖接頭固定結構則是隨著固定光纖并使之對準的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異。對接耦合式光纖連接器，無論是對單模光纖還是多模光纖系統，常用的對準機構設計一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結構。如圖2所示，兩根帶連接的光纖被固定在兩個金屬或陶瓷的內套筒中，內套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔，其孔徑稍大于包層外徑。兩個內套筒共置于一個精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內，以保證兩根光纖同軸且兩端面準確地接觸。兩個內套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...

都是采用研磨拋光方法；光纖對準調節一般采用無源或者有源二次對準技術；而光纖接頭固定結構則是隨著固定光纖并使之對準的方式以及連接器的鎖定裝置而形式各異。對接耦合式光纖連接器，無論是對單模光纖還是多模光纖系統，常用的對準機構設計一般都采用直套筒式錐形（雙錐形）套筒結構。如圖2所示，兩根帶連接的光纖被固定在兩個金屬或陶瓷的內套筒中，內套筒中心打有直徑為126 um（對單模光纖）或這127 um（對多模光纖）左右的精密孔，其孔徑稍大于包層外徑。兩個內套筒共置于一個精密的圓柱形定位筒（即外套筒）內，以保證兩根光纖同軸且兩端面準確地接觸。兩個內套筒的軸向定位由兩端的保持彈簧來保證。圖2 圓柱套筒型連接器基 ...

是微球面研磨拋光，插芯表面研磨成輕微球面。UPC (Ultra Physical Contact)，超物理端面。UPC連接器端面并不是完全平的，有一個輕微的弧度。APC (Angled Physical Contact)，斜面物理接觸，光纖端面通常研磨成8°斜面。插入損耗（Insertion Loss）：PC、UPC和APC連接器的典型插入損耗應小于0.3dB（較大值），典型值一般小于0.2dB，UPC/PC連接器通常更容易實現低插入損耗?；夭〒p耗（Return Loss）：APC連接器的回波損耗通常優于UPC連接器，PC回波損耗為-45dB。UPC回波損耗一般是在-50dB（甚至更高）。AP ...

模塊和輸出端拋光 FC/PC 連接器，反射率約為 4%。PCF 用于生成參數四波混頻 (FWM) 增益可通過波長調諧在750nm和980nm 之間進行波長調諧僅5ms內的振蕩器（相應的波長調諧曲線可以在參考文獻的圖 3（a）中找到。）。FOPO 和放大的振蕩器脈沖的組合用作 CARS 的泵浦和斯托克斯波，并允許處理 700 cm-1和 3200 cm-1之間的拉曼譜帶。FOPO 諧振器中的 SMF完成了光譜窄色散調諧 ，使得反饋信號脈沖在時間上被拉長，并且只有窄光譜部分 (<12 cm-1) 與下一個要放大的泵浦脈沖重疊。因此，諧振器的光路長度直接與 FOPO 輸出的波長相關。自定義—— ...

，圓片再經由拋光便可形成芯片制造所需的硅晶圓。經過這么多步驟，芯片基板的制造便大功告成，下一步便是堆疊房子的步驟，也就是芯片制造。至于該如何制作芯片呢？三、層層堆疊打造的芯片在介紹過硅晶圓是什么東西后，同時，也知道制造 IC 芯片就像是用樂高積木蓋房子一樣，藉由一層又一層的堆疊，創造自己所期望的造型。然而，蓋房子有相當多的步驟，IC 制造也是一樣，制造 IC 究竟有哪些步驟？下面將對 IC 芯片制造的流程做介紹。在開始前，我們要先認識 IC 芯片是什么。IC，全名積體電路（Integrated Circuit），由它的命名可知它是將設計好的電路，以堆疊的方式組合起來。藉由這個方法，我們可以減少 ...

的鏡面表面用拋光技術拋光到1納米以下的粗糙度。硅的獨特之處在于，在鏡面金屬化之前，可以使用各種方法使表面超凈。此外，硅材料本身在制造過程中沒有任何殘余應力，在鏡面微加工后仍保持這種性能。因此，硅反射鏡具有較高的平整度，曲率通常低于用傳統干涉儀測量的水平。作為MEMS鏡面的基材，硅具有較優的潔凈度、平整度。在光束轉向應用的Z后制造步驟中，硅鏡面必須涂覆以獲得所需波長的高反射率。在標準生產過程中，硅鏡上會涂上一層薄薄的鋁，所有庫存的MEMS鏡面都用的鋁涂層。一些研發生產過程中的設計被涂上了黃金。一般來說，可以使用其他涂層材料，但有必要找到薄的、低應力的涂層，而不會顯著降低鏡子的平整度特性。這是一個 ...

離子交換樹脂拋光AHA溶液，以去除微量鹽并降低溶液的電導率。使用先前發表的方法測量了該電解質系統的交越頻率（COF），發現其交越頻率（COF）為6.2MHz。3.3阻抗測量我們利用上游并行點陣列驅動fDEP流通過通道，并利用下游45°交錯陣列作為阻抗傳感器。平行點電極軸向間隔20m，并對稱橋接微通道的寬度。我們使用帶有尖銳點的電極將電場聚焦到電極的尖端，并沿著主流通道壁增加與PDMS和玻璃基板的接觸。一個函數發生器(RigolDG4102)被連接到fDEP電極上，并傳遞一個交流電場來取代跨通道的接口。下游阻抗電極被交錯，并相對于流動方向定位在45?的角度，以最大限度地提高陣列對界面位置變化的敏 ...

及用于光學的拋光和研磨。高溫高壓法的缺點是它只能生產出納米級到毫米級的單晶金剛石，這限制了它的應用范圍。直到金剛石的化學氣相沉積（CVD）生產方法以及金剛石薄膜的出現，該金剛石的形式可以允許其更多的高ji特性被利用。金剛石的化學氣相沉積（CVD）生產方法相比起HPHT 復制自然界金剛石產生的環境和方法，化學氣相沉積選擇將碳原子一次一個地添加到初始模板中，從而產生四面體鍵合碳網絡結果?；瘜W氣相沉法，顧名思義，其主要涉及在固體表面上方發生的氣相化學反應，從而導致沉積到該表面上。下圖展示了一些比較常見的制備方法金剛石薄膜一旦單個金剛石微晶在表面成核，就會在三個維度上進行生長，直到晶體聚結。而形成了連 ...

化、腐蝕及電拋光等電化學過程,可以現場深入地研究電極-電解液界面過程。（5）微電子領域在微電子領域中,研究薄膜生長過程,薄膜厚度,半導體的表面狀況以及不同材料的界面情況,離子的注入損傷分布等；一些高技術材料的研究及其它新領域：高溫超導材料、低維材料、導電聚合物以及光電子學、聲光學和集成光學、激光技術等領域,橢偏術還用來研究固體的輻射損傷。如果您對橢偏儀相關產品有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-56.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品 ...