在300°C退火后的W/CoFeB/MgO薄膜上進行了一系列測量(有關詳細信息，請參閱我們以前的出版物)。在進行測量后，減去熱背景，只留下衰減的正弦項。測量得到的振蕩振幅計算結果如圖1所示。圖2總結了4個HeHext值和6個θH值的結果。圖1圖2（當HeHext為4,6,8,10 kOe時，W/CoFeB/MgO的歸一化TR-MOKE振蕩振幅。開放的紅色圓圈表示測量數據(點之間的一條線用于引導眼睛)，而黑色曲線表示LLG模擬HkHk,eff≈6 kOe的材料的結果。）模擬預測的趨勢與測量結果的比較顯示出顯著的一致性。正如預期的那樣，HeHext和lt的信號振幅隨著角度的增加而減小;HeHext ...

注入和隨后的退火，在金剛石中構建了二維近表面NV中心陣列。注入能量為20kev，平均NV深度約為30nm。NV陣列由532nm的綠色激光照射，產生的紅色熒光(650-750 nm)在sCMOS相機上成像，見圖1b。采用尼康×40, 1.2NA油物鏡，獲得100× 100μm2的視場，光功率密度為30W/ mm2。微波(MW)激發是由放置在金剛石成像芯片下方的玻璃蓋上的一個諧振器提供的，用于從陣列中的NV自旋獲取ODMR光譜。圖1c顯示了在有和沒有外部磁場的情況下，從整個視場的集成信號中獲得的典型ODMR頻譜。每個NV中心的基態電子自旋亞能級ms=±1在局域磁場存在下發生塞曼分裂，導致 ?f=± ...

研究表明，在退火的Pd/Co/Pd三層和[Co/ Pd]多層中，由于Pd合金的界面效應，可以觀察到氫化誘導的磁性調制。這是因為鈀是氫分子解離的高效催化劑，而且鈀氫化物的形成對能量有利。富pd磁合金薄膜中還可觀察到明顯的磁調制，這表明這種材料將用于制造氣體傳感器，尤其適用于空間分辨氫擴散。此外，磁光克爾效應(MOKE)源于材料的光學性質和磁性，由于具有較高的靈敏度和可行性，早已廣泛應用于納米尺度樣品的磁測量。除了測量磁光克爾旋轉和強度外，還可以測量磁性的固有特性，如磁重力Hc和方位比Mr/Ms。圖1圖1展示了一個帶有測量幾何圖形的樣例結構。50 nm厚的Co25Pd75合金條紋右側被100 nm ...

傳算法、模擬退火算法、人工神經網絡算法等優化計算方法已逐漸引入到橢偏數據處理中。優化算法大大改善了計算的收斂性并提高了收斂速度。如果您對橢偏儀相關產品有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-56.html相關文獻：1薛利軍, 李自田, 李長樂, 等 . 光譜成像儀 CCD 焦平 面組件非均勻性校正技術研究[J]. 光子學報, 2006, 35(5): 693-696.2游海洋, 賈建虎, 陳劍科, 等 . 面陣 CCD 探測的全自 動橢圓偏振光譜系統研究[J]. 紅外與毫米波學報, 2003, 22(1): 45-50 ...

氣環境中進行退火以收縮RISFs（如圖1a所示）[1]之后，對SiCPIN二極管進行了EL成像[1]。隨著RISFs的擴張，從器件中收集到的EL從400nm到780nm，步長2nm，曝光時間為30s。使用IMA收集的單色圖像可以將不同類別的缺陷分離開來。如圖1b顯示了RISFs的峰值發射，中心波長為424nm，圖1c-d顯示了534nm和720nm處的部分位錯。圖2中標有“1”和“2”的兩個區域的光譜響應確認，PDs由于RISFs在424nm處有類似的尖銳發射，而在530-540nm處為較寬發射。通過結合光譜和空間信息，可以將后者的發射歸因于可移動的硼雜質。圖1、（a）SiC的PIN二極管的實 ...