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真空界面上的熒光粉層;它被一層薄薄的鋁膜覆蓋,以防止光反饋。陽(yáng)極屏相對(duì)于MCP的電位為6kV。電子能量被熒光粉材料吸收并轉(zhuǎn)化為光,結(jié)果在增強(qiáng)器的輸出處得到明顯增強(qiáng)的圖像。像增強(qiáng)器的輸出窗口通常通過(guò)光纖耦合到下一個(gè)組件,既可以是圖像傳感器,也可以是下①級(jí)的像增強(qiáng)器。圖1光子被轉(zhuǎn)化為電子,加速,然后在MCP中倍增像增強(qiáng)器不夠怎么辦?與高速相機(jī)相組合的像增強(qiáng)器提供了很大的可能性,但有時(shí)產(chǎn)生的圖像質(zhì)量仍然不夠。光輸出限制了使用像增強(qiáng)器時(shí)可以獲得的Z大幀率。只要增益恒定,光輸出隨輸入線性增加。然而,即使是在高速應(yīng)用中使用特殊低電阻MCP的情況下,MCP的增益只有在特定的輸出水平上是恒定的。超過(guò)一定的水平 ...
側(cè),然后通過(guò)熒光粉屏幕通過(guò)增強(qiáng)器進(jìn)入CCD檢測(cè)器。這種掃描模式可以獲得三維圖的檢測(cè)結(jié)果(強(qiáng)度vs頻率和時(shí)間)。使用電子倍增電荷耦合器件(EMCCD)是進(jìn)行基于條紋的熱重測(cè)量的一種擴(kuò)展選擇,可以提高檢測(cè)靈敏度,這是一些CCD探測(cè)器的附加功能。iccd通常需要Peltier冷卻(從- 20°C到- 100°C以下),通常不是水冷卻或液氮冷卻。這些組件影響著電子器件、整體尺寸、成本和iccd的復(fù)雜性,目前iccd的規(guī)模仍然相當(dāng)大。3. SPADsCMOS工業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)能夠以低成本和更小尺寸設(shè)計(jì)高速電子元件與spad相結(jié)合,而無(wú)需探測(cè)器冷卻。這使得在一個(gè)微小的固態(tài)芯片上安排簡(jiǎn)化的光探測(cè)和快速(亞納秒)讀 ...
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