解釋
中文：應變量子阱；英文：strained quantum well的原理；中文：應變量子阱；英文：strained quantum well的定義；中文：應變量子阱；英文：strained quantum well是什么。
異質結構成的量子阱與兩邊壘層半導體材料的晶格常數匹配以避免產生大的內應力而形成失配位錯的一種量子阱。但當阱層厚度小于某一臨界厚度時，由晶格失配所引起的內應力可通過晶格彈性形變而釋放。這種應變量子阱能使半導體中價帶結構發生有利于提高光發射器件內量子效率和改變光子偏振特性的變化。
