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BM 薄膜的單重態(tài)激子壽命τS1為10.72 ns，而 eh-IDTBR 薄膜的τS1短得多（6.39 ns）。 這是由于PC71BM有更多的缺陷位點，延遲了PL淬火。對于第二點，測量了eh-IDTBR和PC71BM的TCSPC。光敏層中的單重態(tài)激子衰減與快速擴散到供體-受體界面有關，而長壽命組分與電荷分離后的電荷復合有關。此外，PBDTTT-EFT 和 PC71BM 混合物的τCT比PBDTTT-EFT和eh-IDTBR混合物更長，這意味著源自陷阱位點的電荷轉(zhuǎn)移狀態(tài)中的電荷復合增加了。因此，基于eh-IDTBR的OPD表現(xiàn)出更快的開關響應，這是由于有效的電荷分離和通過重新組合的陷阱密度進行的 ...
激發(fā)態(tài)和亞穩(wěn)單重態(tài)(圖1)?；鶓B(tài)和激發(fā)態(tài)由自旋三重態(tài)組成，可以被an極化。圖1.NV中心的能級圖。它包含基態(tài)和激發(fā)態(tài)，具有三個自旋亞能級和一個亞穩(wěn)態(tài)。與在室溫下容易被光漂白的傳統(tǒng)單發(fā)射體相比，自旋三重態(tài)地面層發(fā)出的發(fā)光特別有趣，因為弛化過程具有極大的時間穩(wěn)定性。具有長松弛壽命的NV晶格能量結構中兩個缺陷自旋之間的室溫量子糾纏可能是量子計算的主要貢獻。此外，NV中心與晶格中其余原子之間的弱相互作用確保了高度穩(wěn)定的發(fā)射，這也是與標記生物組織或表面表征(如熒光)相關的應用中非常理想的特性。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網(wǎng)頁：http://www.champaign.com.cn/three-l ...
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