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高性價比!高速像增強型相機(ICCD、ICMOS)
像增強型CMOS相機 - TRiCAM
高速熒光壽命顯微成像系統 - LIFA
顯微鏡LED白光光源/固態光源
單通濾光片
高速熒光壽命成像相機/FLIM相機
多通道LED光源/固態多色光源
Chroma短通濾光片(濾波片)
Chroma長通濾光片(濾波片)
Chroma帶通濾光片(濾波片)
Chroma二向色鏡(分束鏡)
雙/三光子專用濾光片
高功率光纖耦合LED光源
雙光子/三光子熒光顯微成像專用空間光調制器
便攜式FLIM熒光壽命測量TDC
1ps超高分辨率時間相關單光子計數器(TCSPC)
、量子信息、熒光和拉曼光譜學等領域,特別是量子信息計數和微光探測技術很關鍵的器件之一。目前,可用的單光子探測器件有:光電倍增管(PMT),工作在蓋革模式下的雪崩光電二級管(APD)等。在400至900nm光波段,以硅APD為敏感元件的單光子探測器性能良好,暗計數小于25cps,量子效率在650nm附近可高達到70%。但由于帶隙寬度的限制,硅APD對波長1微米以上的光沒有響應。在近紅外光波段(1100~1650nm),目前性能很好的是基于銦鎵砷()APD的單光子探測器,其量子效率在1.55μm波長處能達約25%,暗計數約10^3cps左右。總體而言,不論光電倍增管還是基于APD的單光子探測器,其 ...
的結構。使用熒光或者反射光照明,能夠在透明基底或電極上觀察和定位特定的材料。全息光鑷可以將許多具有新的物理或光學特性的材料組織在三維空間。潛在的應用是構建光子晶體帶隙材料、制作生物或納米尺度的電子元件以及在電極上沉積不同的材料以便測量他們的電學特性。2007 年,美國的科學家利用紅外光形成的光鑷在硅片上控制微粒的運動,他們通過選擇合適厚度和摻雜濃度的硅片,使之透過紅外光進而能夠被CCD探測。這項技術突破了傳統的在液相中捕獲粒子的瓶頸。若將全息光鑷技術與之結合,則可以在特定的固體表面組裝一些有意義的結構。特別要指出的是,在全息光鑷發明之前,光鑷技術主要側重在單粒子的基礎研究方面,全息光鑷在對多粒 ...
元的光損傷和熒光團的光漂白。此外,傳統顯微鏡僅限于對二維表面進行成像,而神經回路具有三維結構。深度掃描可用于構建3D圖像,但速度非常慢,因為它通常通過以大約20 Hz的速率掃描物鏡來實現。這不足以監測在一毫秒的時間尺度上發生的神經活動。對于光遺傳學研究,需要能夠在3D空間中動態和任意形成多個焦點的顯微鏡以監視和操縱發射模式,并且顯微鏡必須能夠進行3D成像以捕獲神經元電路的響應。在掃描雙光子/三光子顯微鏡的激發路徑中添加液晶空間光調制器(SLM),可以將激發源分成幾百個獨立的焦點,并以高達300 Hz的頻率重新配置焦點的3D位置。因此,使用SLM可以傳遞光線,同時可激發多個3D位點的神經元,然后 ...
的干擾,常規熒光顯微鏡無法獲得層析圖像。三維結構光照明顯微鏡提高分辨率、獲得層析圖像的原理,就是利用特定結構的照明光來獲得樣品的高頻信息,采用特定算法在橫向和縱向上擴展樣品頻域信息的同時彌補凹陷帶來的影響。飽和結構照明顯微鏡(SSIM)的原理法國OXXIUS多波長合束激光器應用在Nikon顯微鏡受激發射損耗顯微(STED)在STED顯微術中,有效熒光發光面積的減小是通過受激發射效應來實現的。一個典型的STED顯微系統中需要兩束照明光,其中一束為激發光,另外一束為損耗光。當激發光的照射使得其衍射斑范圍內的熒光分子被激發,其中的 電子躍遷到激發態后,損耗光使得部分處于激發光斑外圍的電子以受激發射的 ...
發光源5)集熒光成像、電致發光、光致發光、透射率、反射率成像等諸多功能于一體。參考文獻:[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indiu ...
曼/光電流/熒光/熒光壽命測量,為研究團隊提供強有力的實驗數據。韓國成均館大學的 Si Young Lee教授在他的研究Large Work Function Modulation of Monolayer MoS2 by Ambient Gases中使用這套系統,研究了MoS2器件在不同環境氣體下的工作效率,并最終制出部分鈍化的新型半導體,其理想因子幾乎為1,具有完美的電可逆性,并且通過光電流成像系統測得耗盡層寬度為~200nm,比體半導體窄了極多。相關研究成果發表在ACS NANO雜志上(ACS Nano 2016,10,6,6100-6107)西班牙IMDEA-nanocientia的A ...
尤其是在利用熒光成像的活體細胞領域,比方說以前我們要觀察直徑大小有500nm左右的線粒體,還不會被200nm的衍射極限所影響,我們能分辨出線粒體發出的熒光成像。可是當觀察線粒體中只有30nm大小的的核糖體時,想要觀察它就必須突破衍射極限,否則就被線粒體的熒光掩蓋了。但這又怎么能難到足智多謀的科學家呢,為了從某種意義上“突破衍射極限”,科學家發明了3種超分辨顯微。第一種STED超分辨顯微成像:分辨大小可達20nm~60nm的受激發射損耗,我們還是利用線粒體和核糖體來說明,只不過這個線粒體的直徑改成200nm。而科學家的辦法就是利用“遮擋”用一種只能給線粒體染上的熒光蛋白給200nm的線粒體染上, ...
細胞術可對經熒光染色或標記的腫瘤細胞進行測量和篩選,此方式常用的工具為流式細胞儀,但傳統的流式細胞儀由于對精度的要求導致測試的時間長達24小時甚至更久,因此科學家們提出了一種改進的方式,即為光流控流式細胞術的技術,此技術分為光流控和流式細胞術兩部分。什么是光流控技術?光流控作為一項將光學與微流控芯片相結合的新技術,可以將細胞操縱和光學檢測等過程集合在一塊芯片上完成,是一種細胞學實驗技術。2019年 巴沙爾·哈姆扎等人首先將光流控系統應用于實驗,以30ml/min的速度從小鼠體內抽取血液并利用微流控芯片對血液中CTCs進行檢測與篩選。能夠較為快速地檢測分離出CTCs,并可將得到的CTCs進行后續 ...
測技術:光致熒光法(PL)、鎖相熱圖法(LIT)、電致熒光法(EL)。光致發光法(PL):當發光材料被光源照射時,它可以從中獲得能量,當獲得的能量達到一定數量時就可以被激發,這樣就會發出熒光,這種現象就叫做光致熒光。PL法利用了晶體硅片的激發能級的差異性來實現的,當太陽能電池中的材料受到激發光源照射一段時間后,能級就會發生躍遷,同時也伴隨著散發出一定量的紅外光。由于缺陷部位與正常部位的激發能級和導電率都不相同,因此激發出的熒光強度也不同,缺陷部位輻射的熒光強度要弱一些,只要利用圖像采集設備對發出的熒光進行采集就可以根據亮度差異找出缺陷。鎖相熱圖法(LIT):當對處于暗盒中的太陽能電池施加一個脈 ...
小,會出現強熒光背景,這進一步證明了插層的強摻雜效應.當去掉施加電壓,表面石墨烯顯示出與原始樣品相似的拉曼光譜(圖四c),也就是說插層過程是可逆的.05 方塊電阻測試多層石墨烯在插層偏壓下的方塊電阻也通過四點電阻率法進行測量(圖五a).石墨烯層之間得弱范德華力使離子液體的陰離子/陽離子在電壓偏置下插入層中.結果,石墨烯上的電荷密度顯著增加,并且多層石墨烯的薄層電阻從低于2 V的11Ω/□急劇下降至高于3.5V的4Ω/□(圖5b),這與拉曼測試結果一致.在2 V以下的電壓下,離子積聚在石墨烯-離子液體界面,而2 V以上的離子則插入到表面石墨烯層上.但是,發射率也可以在2 V以下進行調制(圖二c) ...
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