圖為了滿足從可見光到近紅外的多波段測(cè)試需求，測(cè)試系統(tǒng)采用具有連續(xù)譜的溴鎢燈作為光源并配合以單色儀。光源配備的穩(wěn)流電源使輸出光強(qiáng)波動(dòng)＜0.14％。光源出射光經(jīng)準(zhǔn)直鏡轉(zhuǎn)化為平行光。起偏器和檢偏器為兩個(gè)Glan棱鏡，能夠保證測(cè)試系統(tǒng)從可見光到近紅外都具有優(yōu)xiu的消光比。兩個(gè)Glan棱鏡及置于其問的待測(cè)樣品分別安裝在可以360°自由旋轉(zhuǎn)的精密轉(zhuǎn)臺(tái)上，轉(zhuǎn)臺(tái)的精度優(yōu)于1′，可由計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)動(dòng)，并記錄轉(zhuǎn)動(dòng)信息。選用zui大累計(jì)誤差為0.18％的高精度Babinet—Soleil補(bǔ)償器。補(bǔ)償器安裝于精密平移臺(tái)上，可以保證其移入、移出光路時(shí)位置不變。接收端選用的單色儀光譜精度為±0.2nm。NCL是與單色儀配 ...

：當(dāng)φ=π時(shí)可見光譜掃描曲線中，λ／2波片在相應(yīng)波長(zhǎng)處光強(qiáng)值為zui大或zui小，所以僅從曲線極值所在位置便可精確確定波片在該波長(zhǎng)處延遲為π。這為精確測(cè)量λ／2波片提供了有效的辦法。測(cè)量λ／2波片時(shí)將起偏器與檢偏器平行放置，待測(cè)元件光軸方位角為45。，即可獲得zui佳對(duì)比度。透過光強(qiáng)隨波長(zhǎng)變化關(guān)系為：其中，μ為雙折射率，d為波片的厚度。若在一定波長(zhǎng)帶寬范圍內(nèi)，忽略μ隨波長(zhǎng)的變化，便可推算出波片在該帶寬范圍內(nèi)不同波長(zhǎng)處的延遲值：其中，為取光強(qiáng)zui小值時(shí)的對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)，λ為所求延遲的波長(zhǎng)。2.誤差分析這里主要分析λ／2波片測(cè)量誤差，因此主要分析各測(cè)量參量對(duì)光譜曲線中zui小值位置的影響。(1)角度取 ...

光電傳感器1、光子到電子的轉(zhuǎn)換由于光和電的zui小單位分別可用光子和電子表示，我們可以用這些術(shù)語描述探測(cè)過程。光子通過光電傳感器轉(zhuǎn)換為電子，并以電流大小輸出。更準(zhǔn)確的描述是，如當(dāng)光子被半導(dǎo)體材料吸收時(shí)，半導(dǎo)體材料的電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶，然后由電路讀出，作為輸出信號(hào)。有三種過程可從材料中激發(fā)出電子：光伏效應(yīng)，光電導(dǎo)效應(yīng)，光電發(fā)射效應(yīng)。能夠發(fā)生光伏效應(yīng)的半導(dǎo)體傳感器，應(yīng)該由P型區(qū)和N型區(qū)組成，并且兩區(qū)相互拼接形成P-N結(jié)，如圖1.1所示。1.1光電二極管原理圖電子吸收光子后，激發(fā)到導(dǎo)帶上，但在價(jià)帶上留下空穴，形成了電子-空穴對(duì)。電子在材料內(nèi)部向著P-N結(jié)方向擴(kuò)散或漂移，zui后到達(dá)N型區(qū)，這樣在N ...

允許對(duì)許多在可見光和紅外線下不透明的材料進(jìn)行非侵入式檢測(cè)和分析。應(yīng)用包括檢測(cè)1到5 THz范圍內(nèi)的光譜特征，以區(qū)分外觀相似的塑料和爆炸物[16]、通過不透明包裝進(jìn)行質(zhì)量控制監(jiān)測(cè)、對(duì)油漆進(jìn)行微米級(jí)精度的非侵入式層厚度測(cè)量[17]、高分辨率氣體光譜學(xué)、以及作為標(biāo)簽自由分析生物組織的X射線技術(shù)的替代方法（因?yàn)門Hz輻射不會(huì)產(chǎn)生電離效應(yīng)）[18]。這些應(yīng)用通常采用太赫茲時(shí)域光譜技術(shù)（THz-TDS）來解決。在THz-TDS中，一個(gè)光脈沖列在一個(gè)發(fā)射器裝置上產(chǎn)生一列單周期的THz脈沖，而另一個(gè)光脈沖列則被延遲，并在一個(gè)接收器裝置上等效時(shí)間采樣THz場(chǎng)[19]。過去十年中，光導(dǎo)式天線（PCAs）的進(jìn)展使它 ...

源，目前，在可見光譜中是zui高效的有色光源。商業(yè)可用的發(fā)光二極管的光譜范圍包括近紫外光譜到可見光再到近紅外光譜。(1) LED基礎(chǔ)發(fā)光二極管是一種半導(dǎo)體器件，其發(fā)光原理是基于載流子通過p-n結(jié)的電致發(fā)光。一般來說，發(fā)光二極管工作時(shí)就是一個(gè)普通的半導(dǎo)體二極管：應(yīng)用前導(dǎo)偏置產(chǎn)生一個(gè)流過p-n結(jié)的電流。外電場(chǎng)使電子-空穴對(duì)進(jìn)入勢(shì)壘區(qū)的節(jié)點(diǎn)界面，在這里發(fā)生復(fù)合。復(fù)合可以是一個(gè)自發(fā)的輻射過程，也可以是晶體材料以振蕩形式將能量釋放到晶格的非輻射過程(成為聲子)。這個(gè)產(chǎn)生額外載體和隨后注入載體的重新組合稱為注入式電致發(fā)光。發(fā)光二極管發(fā)射的幾乎都是單色非相干光。發(fā)射光子的能量和發(fā)光二極管輻射光的波長(zhǎng)取決于半 ...

我們首先使用可見光源與功率計(jì)將準(zhǔn)直器對(duì)準(zhǔn)。然后更換為1550nm偏振光源與功率計(jì)，分步加入偏振片、半波片與四分之一波片并調(diào)整角度，zui后更換為光子源，單光子探測(cè)器與計(jì)數(shù)器，光子源的信號(hào)光與閑置光將分別經(jīng)過光纖，通過四分之一波片、半波片與偏振片，zui后由探測(cè)器探測(cè)，由計(jì)數(shù)器進(jìn)行符合。我們保持光路光路其他波片固定，通過轉(zhuǎn)動(dòng)其中一個(gè)半波片并固定，我們可以在計(jì)數(shù)器中看到符合計(jì)數(shù)產(chǎn)生了變化。隨著半波片的旋轉(zhuǎn)，符合計(jì)數(shù)也隨之發(fā)生正弦變化。本次實(shí)驗(yàn)中，我們每次將旋轉(zhuǎn)半波片5度，固定后在計(jì)數(shù)器中采集10s，我們將在此角度得到一個(gè)符合計(jì)數(shù)，再旋轉(zhuǎn)半波片5度，重復(fù)上述步驟，我們可得到半波片不同角度下的符合計(jì)數(shù) ...

行的(圖中的可見光攝影（VIS）。4(a)，外徑d=12.5mm，邊緣直徑d邊=10.6毫米，9個(gè)輻條)，激光消融從一個(gè)薄薄的金屬片上，并安裝在一個(gè)1毫米厚的聚四氟乙烯片上。為了從THz-TDS中更強(qiáng)烈的樣品輻照中獲益（由于光束尺寸較小，可實(shí)現(xiàn)的強(qiáng)度更高），將樣品放置在標(biāo)準(zhǔn)位置(見圖1).通過有意地將第1OAPM對(duì)和TX移動(dòng)到更靠近樣本的位置，將焦點(diǎn)移動(dòng)到樣本平面之外，有效地?cái)U(kuò)大了被照亮的樣本面積。通過這種方法，西門子明星的一部分可以被成像(圖4(b)).然而，使用oapm的鋸齒形結(jié)構(gòu)不允許對(duì)如此大的樣本進(jìn)行無失真成像。這可以通過稍微重新定位西門子之星來證明(圖4(c)).切換到線性設(shè)置(圖2 ...

熒光壽命成像技術(shù)在微塑料識(shí)別中的應(yīng)用微塑料問題已成為全qiu關(guān)注的環(huán)境問題，其在多種生態(tài)系統(tǒng)中的累積導(dǎo)致了對(duì)野生生物及人類健康的潛在風(fēng)險(xiǎn)。熒光壽命成像（FLIM）技術(shù)作為一種先jin的識(shí)別手段，在微塑料研究領(lǐng)域顯示出巨大的應(yīng)用潛力。隨著塑料使用量的持續(xù)增長(zhǎng)，微塑料的環(huán)境污染問題日益嚴(yán)重。傳統(tǒng)的微塑料檢測(cè)方法往往耗時(shí)且效率不高。FLIM技術(shù)提供了一種高效的解決方案，能夠通過分析微塑料的熒光壽命來快速識(shí)別和分類這些污染物。FLIM技術(shù)的核心在于使用熒光壽命作為區(qū)分不同物質(zhì)的依據(jù)。熒光壽命是指材料被激光激發(fā)后，發(fā)出熒光持續(xù)的時(shí)間。在FLIM設(shè)備中，一個(gè)特定波長(zhǎng)的激光被用來激發(fā)微塑料樣本。樣本吸收激光 ...

掃描式熒光壽命成像技術(shù)簡(jiǎn)介一、掃描式熒光壽命成像技術(shù)的原理為了更詳細(xì)地解釋掃描式熒光壽命成像技術(shù)（FLIM），我們可以從其基本原理著手。FLIM是一種基于熒光壽命差異進(jìn)行成像的技術(shù)，熒光壽命是指熒光分子在激發(fā)狀態(tài)下保持的平均時(shí)間長(zhǎng)度。這個(gè)時(shí)間由分子環(huán)境、化學(xué)組成以及與其他分子的相互作用等因素決定。在FLIM實(shí)驗(yàn)中，首先用激光激發(fā)樣品，然后測(cè)量熒光分子返回基態(tài)前發(fā)射光子的時(shí)間。這個(gè)時(shí)間通常以皮秒到納秒為單位，對(duì)于不同的熒光分子或同一種熒光分子在不同環(huán)境中，這個(gè)時(shí)間是變化的。通過分析這一時(shí)間的分布，可以得到熒光分子所處環(huán)境的信息。這些信息以顏色編碼的形式在圖像上顯示，從而得到既包含空間分布又含有環(huán) ...

納米膜的連續(xù)可見光吸收光譜出現(xiàn)的峰位十分接近，相對(duì)于文獻(xiàn)其峰位發(fā)生藍(lán)移且兩峰值存在差異，這可能是由于Au薄膜上溶液和ITO帶來的影響。圖4-3沉積0s時(shí)(a)Psi和Delta(b)R隨波長(zhǎng)變化2.2裝置對(duì)應(yīng)的光學(xué)常數(shù)圖4-4(a)是沉積之前測(cè)試得到的n、k隨波長(zhǎng)的變化圖，從圖中可以看到短波段圖線較平滑，長(zhǎng)波段數(shù)據(jù)波動(dòng)大。n值在500nm附近出現(xiàn)峰，k值在600nm附近出現(xiàn)峰。500nm處n值存在躍遷，說明該處附近可能有等離子體共振峰的出現(xiàn)。圖4-4(b)是沉積之前測(cè)試得到的、，從圖中可以看到短波段數(shù)據(jù)曲線平滑，長(zhǎng)波段數(shù)據(jù)波動(dòng)大。、均在500nm附近出現(xiàn)峰，這歸因于Au表面等離子體共振。圖4- ...