cm-1（紅移）和 402 cm-1（藍(lán)移）。E12g 和 A1g 拉曼模式是唯一分別對(duì)應(yīng)于平面內(nèi)和平面外振動(dòng)的強(qiáng)模式。這兩種散射取決于層數(shù)和形成的材料類型。在本研究中，E12g 和 A1g 的拉曼頻率差 (Δ) 從原始?jí)K狀 MoS2 的 25.9 cm-1 降低到 MoS2 QD 的 21.6 cm-1。 E12g 和 A1g 差值的減小表明原始 MoS2 的層數(shù)和橫向尺寸減小。為了研究所制備的 MoS2量子點(diǎn)的帶隙能量和光學(xué)性質(zhì)，文章中采用了紫外-可見 (UV-Vis) 和光致發(fā)光 (PL) 光譜。圖 1b 和 c 中的 MoS2 納米片是通過 CVD 方法合成的，用于PL信號(hào)的比較分析 ...

單頻CARS與SRS顯微系統(tǒng)單頻CARS/SRS顯微鏡較具挑戰(zhàn)性的部分是激發(fā)源，它必須產(chǎn)生兩個(gè)同步的激光脈沖---泵浦和斯托克斯，需具有以下幾點(diǎn)特征：1. 頻率失諧在500和之間連續(xù)變化，以覆蓋所有相關(guān)的振動(dòng)躍遷。這意味著至少有一個(gè)泵浦/斯托克斯脈沖是廣泛可調(diào)的。例如，假設(shè)一個(gè)固定的泵浦波長(zhǎng)為800納米，斯托克斯必須在835和1110 nm。2.脈沖持續(xù)時(shí)間為1 - 2 ps，對(duì)應(yīng)于變換限制脈沖的帶寬為以這種方式匹配壓縮相中振動(dòng)躍遷的典型線寬。這種選擇優(yōu)化了峰值功率和光譜分辨率之間的權(quán)衡。較佳脈沖持續(xù)時(shí)間也可以取決于實(shí)驗(yàn)條件，因?yàn)橐呀?jīng)表明，在某些情況下，響應(yīng)是一個(gè)與時(shí)間相關(guān)的函數(shù)，因此信號(hào)可以 ...

邊緣有明顯的紅移，高達(dá)幾十納米，并伴有分布在樣品表面上的小點(diǎn)。中心波長(zhǎng)在內(nèi)邊緣的偏移可歸因于圖案化過程中材料本身的強(qiáng)烈退化。 然而，對(duì)于劃線表征，內(nèi)邊緣起著相當(dāng)小的作用。有趣的是，散布在樣品表面的小紅移點(diǎn)可以得出有關(guān)材料去除過程的結(jié)論。顯然，會(huì)發(fā)生臨界加熱和爆炸性沸騰，產(chǎn)生不協(xié)調(diào)凝結(jié)并廣泛分布在樣品表面的飛濺物。這個(gè)假設(shè)已經(jīng)在我們之前的研究和模擬中建立起來。圖1.(A，B）PL發(fā)射的局部中心波長(zhǎng)的空間分辨圖像和(C，D）相應(yīng)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂（QFLS）。樣品分別在zui佳通量為1.36和2.31 J cm-2時(shí)通過 （A，C）ns和（B，D）ps激光脈沖對(duì)樣品進(jìn)行圖案化。如果您對(duì)高光譜暗場(chǎng)顯微 ...

時(shí)間的增加有紅移的趨勢(shì)。相對(duì)于180s，介電常數(shù)實(shí)部和虛部相變化Δ和Δ以及變化率，反映出沉積體系在525-600nm波段對(duì)光的響應(yīng)存在跳變，可能由等離子體共振導(dǎo)致。其次，從擬合得到的中心能量知，存在CU2O的E0A、E0B、E0C、E0D、E1A和E1B激子吸收峰，其能級(jí)壽命在10-16-10-14s。擬合計(jì)算得到的電導(dǎo)率在104S/m數(shù)量級(jí)。zui后，對(duì)沉積厚度分析知，沉積速率會(huì)隨著時(shí)間會(huì)變化。CU2O薄膜沉積的生長(zhǎng)方式可能是層狀生長(zhǎng)和島狀生長(zhǎng)。當(dāng)為層狀生長(zhǎng)時(shí)算出平均沉積速率為0.34±0.05nm/s，與之前假設(shè)的庫倫效率比，層狀生長(zhǎng)的庫倫轉(zhuǎn)換效率為36%。但是層狀擬合曲線和擬合得到的厚度 ...

發(fā)射的藍(lán)移和紅移的輸出功率降低。雖然可以通過溫度調(diào)諧來實(shí)現(xiàn)增益頻譜的移位，但這并不廣泛適用于室溫操作的系統(tǒng)；因此，需要其他策略來調(diào)整增益頻譜。本研究描述了調(diào)整QCL腔長(zhǎng)以調(diào)諧增益譜。空腔長(zhǎng)度是一個(gè)簡(jiǎn)單的后處理選擇參數(shù)，因此非常適合于方便地調(diào)整QCL增益譜和選擇峰值增益波長(zhǎng)。對(duì)于這里提出的QCL，波長(zhǎng)選擇范圍足夠?qū)挘梢钥缭蕉趸嫉恼麄€(gè)振動(dòng)-旋轉(zhuǎn)吸收特征CO2。設(shè)計(jì)的量子級(jí)聯(lián)激光器的中心發(fā)射頻率為2326 cm?14.3um。相應(yīng)的頻帶圖如圖1 A所示。活躍區(qū)和注入器一個(gè)周期的層序?yàn)?6/17/22/18/19/19/18/21/17/21/15/27/15/38/11/13/36/14/ 3 ...

溫度上的不同紅移引起的。由于BTJ允許消除幾乎所有具有較高電阻和光損耗的p導(dǎo)電材料，差分串聯(lián)電阻已達(dá)到40-50Ω，非常適合高速器件。圖1 高速1.55um基于inp的BTJVCSEL的示意圖。該裝置安裝在電鍍金假襯底上。在制造過程中去除InP襯底。n-觸點(diǎn)和p-觸點(diǎn)都可以在頂部訪問。觸點(diǎn)板電容被Min化。寄生設(shè)備由于我們的VCSEL的寄生響應(yīng)可以通過一階等效電路很好地建模，包含松弛振蕩頻率，固有阻尼和寄生滾降的三極濾波器函數(shù)可以很好地建模我們的VCSEL響應(yīng)，允許提取幾個(gè)固有參數(shù)。公式(1)中的常數(shù)項(xiàng)為激光器和探測(cè)器的量子效率差盡管參考其他設(shè)計(jì)中的器件在芯片直徑為28um時(shí)表現(xiàn)出優(yōu)異的高速性 ...

增益和腔模的紅移隨溫度的不同而引起的。圖1 高速1.55-um VCSEL的截面示意圖插圖：制作好的VCSEL器件圖片因此，利用這一效應(yīng)可以改善VCSEL器件的高溫性能。InP是一種良好的熱導(dǎo)體，由n包層組成，通過更好地冷卻有源區(qū)域，也有助于實(shí)現(xiàn)高溫操作。這些激光器的混合后鏡由3.5對(duì)CaF2-ZnS和一層金組成。孔徑為6um的器件在室溫下的輸出功率約為3mW。閾值電流和電壓分別低至約1mA和0.9V。發(fā)現(xiàn)該頻譜為單模，在相關(guān)電流和溫度范圍內(nèi)，側(cè)模抑制比至少為30dB。為了與商業(yè)收發(fā)模塊兼容，該芯片被安裝在發(fā)射器光學(xué)組件（TOSA）中。該模塊包含一個(gè)光隔離器和光纖耦合器。圖2顯示了高速1.55 ...

1傾斜。這種紅移現(xiàn)象是由于GO和PEDOT之間的π -π堆疊相互作用。在拉曼光譜中，紅色曲線中的 441 cm?1、1434 cm?1和1505 cm?1三個(gè)特征峰表明PEDOT成功合成。1343 cm?1和1590 cm?1的特征峰（黑色曲線）分別對(duì)應(yīng)SP2雜化碳原子的呼吸振動(dòng)峰和碳環(huán)中SP2雜化原子的對(duì)稱拉伸運(yùn)動(dòng)峰，即GO的特征峰（D和G）。同時(shí)，PEDOT在1434cm?1處(紅色曲線)的特征峰分配給Cα = Cβ對(duì)稱拉伸振動(dòng)，PEDOT- Go樣品的拉曼光譜移動(dòng)到1427 cm?1處(圖1C)。這種紅移現(xiàn)象表明，PEDOT聚合物轉(zhuǎn)變?yōu)轭愼问剑瑥亩闺妼?dǎo)率增加。在PEDOT-GO的曲線 ...

D峰位有輕微紅移。詳細(xì)來說，石墨烯原始G峰移從1594cm?1移至 1582cm?1，而 O-Gr 的 2D 峰值從2676cm?1紅移至2683cm?1。G峰和2D峰的輕微紅移可能與石墨烯平面外的負(fù)偶極矩有關(guān)。這種負(fù)偶極矩會(huì)導(dǎo)致石墨烯的疏水性及其HOMO水平發(fā)生變化。此外，2450cm?1-光譜波段，可以分為D（1350 cm?1） 和D“振動(dòng)模式（27250px?1）的組合，表示強(qiáng)度的增加。這一觀察結(jié)果可以一致地通過C鍵鍵斷裂以產(chǎn)生微小的空位來解釋，這些空位會(huì)影響石墨烯聲子色散中K點(diǎn)附近的現(xiàn)有頻率。此外，這一特征可以誘導(dǎo)O-Gr成為均勻的薄膜，并改善了空穴傳輸/注入。通過FT-IR（圖1b ...

峰明顯變寬或紅移，從39830px?1明顯移至39740px?1。隨后，在 3.9 V 時(shí)，再移至 39650px?1。這些變化表明，鋰離子的插入導(dǎo)致碳晶格結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。在放電過程中，由于鋰離子和炭黑分離，在 2.9 V 時(shí)，D峰從1343.3藍(lán)移到33595px?1。同樣，G峰在 2.6 V 時(shí)恢復(fù)，回到39895px?1,在 2.5 V 時(shí)恢復(fù)到39952.5px?1。隨著鋰離子在充放電過程中的遷移，G峰和D峰的頻率呈線性下降，然后增加。有趣的是，在LFP的兩相變變之前，在3.6 V處觀察到zui低R值（D峰的積分強(qiáng)度除以G峰的積分強(qiáng)度）。原位LFP/SWCNT電極在充放電過程中的拉曼光 ...