。1. 散射光頻率不發生改變的散射過程稱為瑞利散射,就是Lord Rayleigh用來解釋天空之所以呈現為藍色的那種過程。2. 散射光頻率(波長)發生改變的散射過程稱為拉曼散射,拉曼光子的能量與入射光子能量相比可以增大,也可以變小, 取決于分子的振動態。3. 斯托克斯和反斯托克斯拉曼散射中,前者散射光子的能量較之入射光子變低(失去能量,波長紅移),而它的散射強度更大一些,這是因為在室溫下分子中大多數電子主要布居在振動基態(參見上圖所示)4. 分子中少量電子布居在較高的振動能級上,因此散射光子的能量可以大于入射光子,(獲得能量,波長藍移)這就是強度相對弱很多的反斯托克斯拉曼散射.5. 入射光子和 ...
BIC 激光頻率 ωs 與納米腔共振 ω0的失諧 δ0 = ω0 ? ωs 的計算變化。d,基于 InP 光子晶體 (PhC) 膜結構制造的 Fano BIC 激光器的掃描電子顯微鏡 (SEM) 圖像,具有埋入的異質結構(BH,紅色矩形)增益區和光柵耦合器(GC)在末端工作組。比例尺,2 μm。e,光學 Fano BIC 的示意圖。f,制造的 Fano BIC 激光器橫截面的 SEM 圖像,顯示了包含 BH 的有源 WG 和無源納米腔。BH 在器件切割后被蝕刻掉。比例尺,200 nm。參考文獻:Yu, Y., Sakanas, A., Zali, A.R. et al. Ultra-cohe ...
息處理能力和光頻率下的低量子退相干能力。結合微波和光學技術的理想方法是在單個芯片上集成超導和納米光子器件的集成器件平臺,并允許微波和光頻率之間的相干光子轉換,而不會產生互連損耗。超導電路中的微波和光網絡中的光波的共同點是它們的超低損耗特性,這使得它們分別在超導體和光纖中的超快數字信號處理和高速數據傳輸中得到了應用。當結合在單芯片平臺上時,它們提供了進一步的優勢來提高經典應用中的設備性能。例如,光學技術可以通過超導單通量量子 (SFQ) 邏輯電路 或低溫 CMOS 處理器來檢索低溫數字數據處理器生成的大量數據。另一方面,超導納米線和高動態電感器件(high-kinetic inductance) ...
如果模式具有光頻率 ν 并在頻率 f 處進行幅度調制,則所得信號在光頻率 - f 和 + f 處具有邊帶。如果調制器以與腔模式間隔 相同的頻率驅動,則這些邊帶對應于與原始模式相鄰的兩個腔模式。由于邊帶被同相驅動,中心模式和相鄰模式將被鎖相在一起。調制器在邊帶上的進一步操作會鎖定 - 2f 和 + 2f 模式的相位,依此類推,直到增益帶寬中的所有模式都被鎖定。如上所述,典型的激光器是多模的,并且沒有根模播種。因此需要多種模式來確定使用哪個階段。在應用了這種鎖定的無源腔中,無法轉儲原始獨立相給出的熵。這種鎖定更好地描述為耦合,導致復雜的行為和不干凈的脈沖。由于幅度調制的耗散性質,耦合只是耗散的。否 ...
局相位, 是光頻率。給定相位調制 =msinΩt 其中 m 是相位調制指數,正弦相位調制導致正弦頻率調制在固定頻率 ,但具有 90° 相位滯后和 2mΩ 的峰峰值偏移。相位調制場幅度可以表示為一組傅里葉分量,其中功率僅存在于離散光頻率處。其中k是整數,m是相位調制指數(調制深度),Jk(m)是k階的普通貝塞爾函數。在調制指數較小的情況下,m<<1,則只有 k=0 和 k=1 項顯著,展開式簡化為在這里,大部分光功率位于頻率為 ω 的傅立葉分量(稱為“載波”)中,少量光功率位于頻率為 ω±Ω 的兩個一階邊帶中。這種頻率調制特性使相位調制器可用于激光鎖模。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直 ...
一個模式具有光頻率 ν 并且在頻率 nf 處進行幅度調制,則生成的信號在光頻率 ν - nf 和 ν + nf 處具有邊帶。相比于主動鎖模,它的脈沖更短更強且鎖模更穩定。可飽和吸收劑通常是液態有機染料,但它們也可以由摻雜的晶體和半導體制成。半導體吸收體往往表現出非常快的響應時間(~100 fs),這是決定被動鎖模激光器中脈沖Z終寬度的因素之一。在碰撞脈沖鎖模激光器中,吸收體使脈沖的前沿變陡,而激光介質使脈沖的后沿變陡。還有一些被動鎖模方案不依賴于強度吸收性的材料。在這些方法中,腔內組件中的非線性光學效應被用于提供選擇性地放大腔內的高強度光和衰減低強度光的方法。較成功的方案之一稱為克爾透鏡鎖模 ...
現,限制了激光頻率的穩定性和頻率可連續調諧的范圍。首先需要知道的是在激光器諧振腔內部會發生模式競爭,雖然各模式的頻率不同,但使用相同的反轉粒子數,因此在均勻加寬的激光器中,滿足閾值條件的縱模在振蕩過程中相互競爭,導致只有相對靠近中心頻率的縱模取勝,而其他模式都被抑制。而跳模正是因為模式競爭而引發的。如下圖所示,在圖(a)中νq相比νq+1更靠近中心頻率ν0,因此在模式競爭中νq取勝,激光器輸出激光頻率即為νq。但是由于半導體激光器的輸出頻率受到溫度以及腔長的影響,當腔內溫度升高,放電管熱膨脹,粘在放電管兩端的反射鏡片距離增加,即腔長變長,而縱模的頻率由如下公式決定:因此當腔長L變長后,頻率整體 ...
強度隨著入射光頻率的四次冪而增加。如圖1所示,在可見光光譜區域(530 nm左右),拉曼輻射和熒光輻射較高,但在近紅外光譜范圍內則降低。圖1圖1也可以擴展到更短的波長,即紫外光譜范圍,在很短的波長下,熒光不再是問題,但紫外激光產生的樣品降解的風險增加了。在可用拉曼散射量和熒光減少量之間的一個常見的實際折衷是使用785 nm激光激發波長和相應的拉曼光譜儀設置。然而,這種設置可能不適用于高熒光樣品,正如下面TG拉曼回顧的應用和擴展部分所討論的那樣。根據Perrin-Jablonski分子能級圖,熒光過程本身是由發生在不同時間的激發、轉換和發射決定的。有以下三個階段:(i)通過重新輻射光子激發熒光團 ...
測和歸一化電光頻率響應。開-關電壓Vπ在室溫和4 K環境下使用100 kHz信號進行了測量。Vπ,50Ω從室溫的3.3V增加到4 K時的4.2V。3.低溫數據傳輸實驗我們測試了高速數據調制的電光接口,并隨后研究了降低電學驅動電壓的影響。為了驗證從低溫恒溫器中高速提取數據,等離子體調制器以高達128 Gbit/s的數據速率運行。在這些實驗中,數據在低溫恒溫器外生成,并使用67 GHz射頻穿透件輸入,這增加了額外的射頻損傷。發送器的運行如前一節所述,見圖2(a)。使用256 GSa/s、70GHz任意波形發生器(AWG)生成不同數據格式,基于電學驅動電壓的選擇,使得VP,50Ω低于500mV。在接 ...
可用于檢測激光頻率梳的載波包絡偏移頻率,該模塊將納米光子波導封裝在內,所以使用便捷,并且可以通過標準光纖連接器連接至激光器。可以在激光脈沖能量小于140 pJ(平均功率<140 mW)的情況下實現對fceo的精確控制,信噪比>35dB,以更低的尺寸、重量和功率要求實現了非常好的性能,利用該模塊搭建系統可以作為一種簡單的1 GHz的超低噪聲光學頻率梳解決方案。圖1該模塊使用f-2f干涉測量法來檢測載波包絡偏移頻率,它包含一個超連續譜產生模塊、二次諧波產生材料和一個光電探測器。鎖定fceo的f-2f自參考過程通常要求激光擁有至少1 nJ的脈沖能量(即frep頻率= 1 GHz時,平均功 ...
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