調制器和波導馬赫-曾德爾調制器已被用于檢測射頻e場。具有高品質因數的光環諧振器可以提高傳感器的靈敏度，但測量帶寬(BW)將受限于微環諧振器的帶寬波導馬赫曾德爾調制器具有較高的帶寬，但體積大，空間分辨率低另外，塊狀晶體可用于測量電場，其長達幾毫米，可以達到0.1 V/(m Hz1/2)的靈敏度水平。薄膜鈮酸鋰(TFLN)器件zui近被用于光學調制器、微波移頻器、梳狀發生器和各種其他光子器件功能。提出了基于TFLN技術的電磁場傳感器。在給定電場與光信號相互作用長度的情況下，電場傳感器靈敏度的優劣值與r/ε成正比，其中r為電光系數，ε為電光材料的射頻介電常數。對于TFLN傳感器，由于薄膜層的體積比襯 ...

藝。為了扭轉馬赫-曾德爾調制器單臂自發電極化的方向，將器件浸入硅油中，并在電極上施加高于鈮酸鋰矯頑力場(~ 22 kV/mm)的電場。電極去除后，使用電子束光刻技術對電光太赫茲波傳感器的光學電路進行圖像化，并通過鈮酸鋰層的干蝕刻形成。光纖V型槽陣列隨后被對準并連接到器件上以實現光纖耦合。該裝置插入塑料外殼中以保護光纖(圖1d)。在工作波長λ = 1550 nm處，器件的光插入損耗為- 13 dB。在參考文獻38 - 41中解釋了制造過程和器件結構的更多細節。通過測量LNOI電光電場傳感器對100 kHz振蕩電場的響應，對LNOI電光電場傳感器的基本功能進行了測試和驗證。測得探測器的靈敏度為2. ...

利用等離子體馬赫-曾德爾調制器和等離子體環形諧振器調制器分別在1528 nm和1285 nm處進行了數據實驗，證明了低溫電光信號轉換速度可達160 Gbit/s和256 Gbit/s。這項工作表明，等離子調制器非常適合未來在低溫環境中高速、可擴展和節能的光子互連。2.用于未來RoF系統的全無源亞太赫茲對光接收機的等離子體片上天線（Plasmonic On-Chip Antenna Enabling Fully Passive sub-THz-to-Optical Receiver for Future RoF Systems），H. Ibili, et al (OFC, 2024)摘要：我們演 ...

作的等離子體馬赫-曾德爾調制器組成。該裝置的示意圖如圖1(a)所示。等離子體馬赫-曾德爾調制器的兩個臂上有等離子移相器，每個槽寬為130nm，長度為15um。等離子體馬赫-曾德爾調制器通過光柵耦合器實現與光子集成電路(PIC)芯片的光學耦合。為了方便光學對準，使用與低溫兼容的環氧膠將光纖陣列(FA)粘附到PIC上。等離子體馬赫-曾德爾調制器具有兩臂之間的不平衡，引入了一個固定的相移。這允許在不需要電學調節的情況下調整調制器的工作點，例如通過熱光相移器，避免了給低溫恒溫器增加額外的熱負載。相位調制是利用有機電光(OEO)材料的線性電光效應實現的。OEO材料已被證明在4.2 K下表現出高非線性，該 ...

使用兩條臂的馬赫-曾德爾調制器部分。如果使用自由空間太赫茲波信號進行調制，可以將其中一只手臂極化，使鈮酸鋰晶體的自發極化方向相反，從而在給定電場下實現相反的折射率變化，從而在輸出中實現強度調制。或者，如果使用金屬電極，則不需要極化，并且與另一只手臂相比，一只手臂的電場將被逆轉。圖1(b)顯示了不同臂長下典型鈮酸鋰薄膜器件的計算調制帶寬。可以看出，這些薄膜鈮酸鋰電光調制器設備的調制帶寬可以達到數太赫茲。通過設計薄膜鈮酸鋰電光調制器波導結構以實現更好的相位匹配，可以進一步增加薄膜鈮酸鋰電光調制器設備帶寬。圖1所示(a) 太赫茲調制器器件示意圖;(b) 計算不同長度的設備臂薄膜鈮酸鋰調制器的調制帶寬 ...