線敏感的二維電荷耦合器件(CCD)探測器上。它是一個背面照明的薄CCD。目前的CCD芯片像素為2,048×2,048，像素尺寸為13.5 × 13.5μm2。放大倍率的典型值在1500到2000之間，每個圖像的視場約為10 μ m。根據可用光子的通量，對于具有強對比度的樣品，每張圖像的照明時間約為1-2秒。圖2.在Fe L3邊緣軌道平面上下圓偏振處觀察了非晶GdFe樣品的磁疇結構，顯示磁對比的反轉。為了通過XMCD獲得磁對比度，通過CZP前面的一個孔來選擇軌道外發射的圓偏振X射線，該孔掩蓋了入射輻射的上半部分或下半部分。圖2顯示了在706 eV的Fe L3邊緣記錄的非晶GdFe體系的磁疇結構， ...

數字CCD(電荷耦合器件)或CMOS(互補金屬氧化物半導體)相機直接提供數字化數據流，而視頻速率CCD相機的模擬輸出必須通過模數轉換器進行轉換。如果數字CCD相機的幀速率足夠快(約10赫茲)，可以實現實時成像，那么它就適合克爾顯微鏡。CCD芯片的冷卻提高了信噪比，圖像增強器可以進一步提高靈敏度。在實際應用中，需要對圖像亮度進行適當調整，以滿足攝像機的動態范圍。增大分析儀角度或將光圈開到消光交叉的寬度以外，從而增大背景強度，是實現大信噪比的實用手段。可能的對比度損失并不是一個嚴重的問題，因為對比度可以通過電子差分成像來增強。為了創建差分圖像，首先通過對相同樣本狀態的重復圖像求和來存儲平均參考圖像 ...

使用基于硅的電荷耦合器件（Si CCD）相機獲取。布拉格光柵技術設用于全局成像，允許在顯微鏡下逐波長獲取整個視野內的信號。傳統的熒光（PL）成像設置基于逐點或線掃描技術，需要重構圖像。使用這些成像技術時，僅照亮樣品的一小部分（使用共聚焦逐點設置時約為1μm2），周圍區域保持黑暗，導致載流子向這些區域橫向擴散。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復合。使用全局成像時生成的等勢體防止了電荷向更暗區域擴散。用于全局成像模式的均勻照明使得在現實條件下進行PL實驗成為可能，z低可達一個相當于太陽功率密度。預計儀器激發強度波動可達13%。激發輻照度的變化將帶來PL發射的比例變化，使這種效應易于識別。此外 ...

超快速和強化電荷耦合器件(iccd)，帶有或沒有克爾門。從本質上講，這些設備需要探測器冷卻，因此非常復雜和笨重(見表1)。自世紀之交以來，互補金屬氧化物半導體(CMOS)單光子雪崩二極管(SPAD)陣列探測器已經商業化。CMOS spad具有顯著減少上述缺點的優點。此外，通常不需要冷卻探測器，這進一步降低了光譜儀的復雜性、成本和整體尺寸。目前的商用門控拉曼器件是便攜式桌面大小的裝置，適用于過程工業監測目的。表1時間分辨(TR)門控通常可以互換使用。然而，雖然門控拉曼主要側重于抑制熒光和其他干擾，從而在脈沖激發源的寬度或部分寬度上重復一個測量周期，但在研究瞬態過程方面，熱重法也可用于TR測量。由 ...