光調Q，控制衍射損耗的聲光調Q和控制吸收損耗的可飽和吸收體調Q。電光調Q技術：電光調Q技術的原理是普克爾斯（Pockels）效應——即一級電光效應，電光晶體的雙折射效應與外加電場強度成正比，偏振光經過電光晶體后，偏振面旋轉的角度與晶體長度和兩側所加電壓的乘積成正比。電光調Q激光器的原理圖如下所示：目前普遍應用的電光晶體有KD*P（磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)）晶體和LN（鈮酸鋰LiNbO3）晶體。當線偏振光入射到電場中的晶體表面，分解成初相位相同的左旋和右旋兩束圓偏振光。在晶體中，兩束光線的傳播速度不同。即從晶體中出射時，兩束光線存在相位差。則合成的線偏振光的偏振面已經和入射光 ...

，因此產生的衍射損耗較少。3、非本征型光纖法珀傳感器在一個密封導管內形成了長度為d的法珀腔，該該腔由兩根端面鍍膜的單模光纖組成，導管既實現了腔體的密封又保證了兩個端面的同軸平行。相對于本征型光纖法珀傳感器，非本征型由于其結構，有以下特點：a) 由于法珀腔是由導管封裝而成，所以可以根據需求人為的設計和調整腔長d，這樣既可以精確控制腔長又能靈活調整腔長。b) 法珀腔內是折射率為1的空氣，介質穩定，且不易受干擾。c) 如果采用與光纖熱膨脹系數相同的材料做導管，可以很好地解決傳感器的溫度效應，這是普通法珀傳感器所實現不了的優勢。三、測壓原理將法珀腔中一個端面制作成薄片，并用此薄片感受壓力，當壓力作用于 ...

學元件邊緣的衍射損耗最小。此外，高斯光束通過自由空間的傳播和通過無像差透鏡的變換時，除輪廓比例因子外，將始終保持高斯型分布。電矢量沿z軸方向傳播的高斯光束的性質可以由下面三個方程式來決定：上式中，R(Z)是距離坐標原點（束腰）Z處的高斯光束的波陣面的曲率半徑（為球面），A(r)是高斯光束電矢量在r方向（也就是垂直于光波傳播方向）的振幅，A0是波陣面中心的振幅，ω為光束的光斑半徑，其中分析式1可以知道，當Z 趨于0的時候，R(Z)趨于無窮，即此時波陣面為平面；當0≤|Z|≤ZR的時候，R(Z)逐漸減小，并且R(Z)>Z，即波陣面的曲率中心不在原點并且會隨Z變化而變化，如下圖所示。當Z= ± ...

，光束截斷和衍射損耗占最后測量誤差的比重不應大于1%；所有光學元件都不應對光束相對功率密度分布產生明顯影響。當將激光束成像于探測器面進行測試時,計算中應包含成像系統的放大倍數。6.5 標定應在開始測量前對儀器進行標定。可通過在一已知距離使用兩個正交放置的微米精度線性平移導軌移動位置敏感探測器進行標定。7，測試程序7.1概述測量應該在激光器生產商評估本款激光器所規定的工作條件下進行。在測試過程中，對被測光束的取樣應至少大于1000次。探測器的帶寬,包括與之相連的放大器及其他電子設備的帶寬，應當大于2次測量時間間隔的倒數的3倍。注：在選用相機類的探測器時，測試系統的帶寬受相機幀頻的限制。7.2光束 ...