上海昊量光電的AUT-FiberLock空間光-單模光纖主動耦合穩(wěn)定系統(tǒng)是一套將空間光主動耦合鎖定進單模光纖的簡單裝置。此裝置簡化了初始耦合，并且優(yōu)化了耦合效率，主動補償機械漂移。1 光纖耦合原理當激光束從單模光纖出射，它會形成一個錐形發(fā)散，就需要使用準直透鏡產生準直光束輸出。相反的，如果要把光束耦合進單模光纖，也必須借助一個聚焦透鏡生成類似的錐形光。根據(jù)光纖的特性，光強最大的最理想的光錐的幾何結構是固定的。因此要達到理想的耦合效率，入射光束必須與理想光錐最大化重合。在(X; Y; Z)的坐標系中，其中z軸就相當于光纖的光軸，光錐的重疊將由六個自由度進行表示：光錐的收斂角束腰在Z軸向上的位置量 ...

相干光，經過光纖耦合器將相干光一分為二。一束做為參考光，該光經參考臂直接照射在反光鏡上面反射；另一束光做為信號光，該光線經過樣品臂照射到樣品上反射。兩束反射光在光纖耦合器處重新匯合，進行相干疊加。相干疊加的光信號經過計算機的處理，我們就可以得到物體的斷層圖像。光學相干斷層掃描（OCT）技術具有成像速度快、分辨率高、無損傷等優(yōu)點。 上海昊量光電設備有限公司提供低成本，便攜式，及中紅外波段的光學斷層相干成像系統(tǒng)(OCT)。3、計算鬼成像技術 鬼成像技術都是利用空間分離的經物體衍射后的光與自由傳播的光進行強度關聯(lián)成像。鬼成像技術的基本原理為：一束光經過物體衍射后照射到沒有空間分辨率的筒狀探測器內,另 ...

(PBS)和光纖耦合器(FC)接收到EOM中進行調制。再通過PBS進入包含高精細腔的真空室，觀察到微弱的透射。反射光束(紅色)的強度通過光電二極管(PD)進行測量，并與驅動EOM的射頻信號相移后混合，經過低通濾波產生誤差信號。最后由快速伺服系統(tǒng)(FSC)處理，并反饋給激光器(CEL)及其控制器(DLC)，對激光頻率進行控制。由于最后得到的線寬較窄，常規(guī)方法無法直接測量，MOGLabs運用延遲自外差法，借助2km長的延遲線，最終測得使用PDH穩(wěn)頻法，CEL貓眼激光器最終能將線寬壓窄至47Hz（圖4）。圖4：通過頻譜儀測得最終穩(wěn)頻激光線寬您可以通過我們的官方網站了解更多的產品信息，或直接來電咨詢4 ...

E)光譜經過光纖耦合器、環(huán)形器、準直器，然后進入體光學系統(tǒng)的衍射光柵、準直透鏡，由DMD反射。透鏡將ASE按波段分成不同部分的圖像成像到DMD。DMD是一種快速、高效、可靠的空間光調制器，通過可編程像素映射提供高速切換和波長選擇。由DMD調制的特定波長反饋到增益光纖腔進一步放大。而其他的則隨著衰減而消失，從而實現(xiàn)高質量的激光輸出。在光學系統(tǒng)中，由衍射光柵和準直透鏡決定ASE色散覆蓋在DMD上的寬度。可編程DMD作為濾波器，不局限于選擇單發(fā)射波段。DMD方法還允許選擇一個以上的工作波長，并控制這些波長的相對功率，這些波長照射在微鏡上可以獨立控制而互不干擾。這些波長之間的損耗分布可以通過改變加載到 ...

（2）耦合器光纖耦合器可將輸入信號的不同波長成分從不同輸出端口分離出來，或將多個不同波長的輸入信號混合成單個輸出，其對光場(分束比)的調控由光纖纖芯中傳播光之間的模式重疊長度和纖芯間的距離決定。基于硫系玻璃光纖制備的光纖耦合器在未來的中紅外通信、激光、傳感等領域均有重要的應用前景。（3）光纖合束器光纖合束器是實現(xiàn)高功率激光的核心元器件，可解決單個激光器功率進一步提升所遇到的瓶頸問題。光纖合束技術是通過將多根光纖經過拉錐實現(xiàn)合束，這樣可以實現(xiàn)結構緊湊、魯棒性好的高功率光纖器件。光纖合束器可將多個中等功率的激光器進行功率合成，以獲得更高功率的激光輸出，能較好解決單個激光器由于非線性效應、光纖端面損 ...

出射光束經過光纖耦合器轉化為準直度小于0.3°、光斑小于5mm的準直光束，并通過定標單元被斯托克斯橢偏儀調制和接收。定標單元中起偏器的消光比大于10000：1，波片1在中心波長532.4nm處為近1／4波片，由步進電機控制兩元件旋轉，轉動精度優(yōu)于2′，由計算機控制360°自由旋轉。圖1 斯托克斯橢偏儀儀器矩陣測量裝置示意圖實驗中，被測量的斯托克斯橢偏儀由兩個KD*P電光晶體KD*P1和KD*P2、波片2、檢偏器和光纖光譜儀組成。高壓調制器以倍頻的關系控制兩KD*P兩端電壓的快速反轉，從而實現(xiàn)入射光斯托克斯參數(shù)的完全調制。光纖光譜儀主要包含微型光柵和線陣CCD，可以同時得到多個波長處的光強值，可 ...

件上，以實現(xiàn)光纖耦合器件結構。關于制造過程和器件結構的更多細節(jié)在參考文獻10中進行了解釋。圖3所示。基于TFLN的Mach-Zehnder傳感器芯片的制造工藝步驟。(a)離子注入和鈮酸鋰晶體與石英襯底的結合。虛線表示鋰鈮酸鹽層的離子注入層。(b)晶體離子切片工藝及TFLN生產。(c)極化電極沉積。(d)高壓極化過程。電子束光刻、蝕刻、波導形成和聚合物鈍化層沉積。箭頭表示TFLN層的自發(fā)極化方向。圖4所示。通過器件的典型極化電流。4．器件特性A.環(huán)形諧振式電場傳感器圖5(a)顯示了一個制造和封裝的基于微環(huán)諧振器的電磁場傳感器的圖像。可以看出，封裝的傳感器非常緊湊。目前封裝的器件max可達3 ×3 ...