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統，研究了在零偏壓下基于MoS2二維材料同質p-n結器件中光電流的分布情況。結果表明，光照下MoS2同質p-n結中光電流的產生主要來源于p-n結區。具體而言，摻雜類型不同的MoS2薄片中能帶失配產生內建電場，當光輻射到2片MoS2薄片的重疊區域（結區）時，光生載流子在內建電場的作用下分離進而產生光電流。而當光僅僅輻射在單個MoS2薄片上時，光生載流子會很快復合，導致無光電流產生。特別是，作者通過光電流成像發現有效結區面積是直接測量得到的納米薄片重疊面積的1/2左右，因此器件光電轉換效率實際被低估了一倍左右。通過光電流成像的校正，器件的實際光電轉換效率達到1%。相關研究成果發表在Small Me ...
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