的差異。低溫掃描電子顯微鏡的檢測(cè)靈敏度可以通過直接檢測(cè)肉類的冷凍狀態(tài)而不事先解凍來解釋。我們討論了在肉類行業(yè)使用分析工具進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)測(cè)的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)和成本因素。https://doi.org/10.1016/j.meatsci.2019.02.00216. 基于電生物阻抗的炎癥標(biāo)志物nlrp3的生物傳感器開發(fā)識(shí)別特定基因分子標(biāo)記的生物傳感器是實(shí)現(xiàn)快速、經(jīng)濟(jì)、簡(jiǎn)單地檢測(cè)特定DNA序列的新技術(shù)的基礎(chǔ)。電生物阻抗譜(EIS)已被用于診斷和監(jiān)測(cè)人類病理，并被公認(rèn)為一種安全、快速、可重復(fù)使用、簡(jiǎn)單和廉價(jià)的技術(shù)。本研究證明了互補(bǔ)DNA(互補(bǔ))生物傳感器的發(fā)展基于測(cè)量EBI和DNA沒有固定的化學(xué)修飾, 并對(duì)其在 ...

長(zhǎng)條件。利用掃描電子顯微鏡和高分辨X射線衍射儀對(duì)薄膜的厚度和組成進(jìn)行了表征。實(shí)驗(yàn)和模擬(X ' Pert外延)激光芯X射線衍射曲線如圖2所示。這兩條曲線具有很好的一致性，確定了材料的組成。在X射線中，低背景和高階超晶格的尖峰表明，超晶格中應(yīng)變的增加伴隨著尖銳的界面，衛(wèi)星峰的半大全寬(FWHM)小為21.2弧秒。圖2. 30級(jí)激光芯的實(shí)驗(yàn)和模擬x射線衍射曲線在過去的幾年里，人們進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)來縮短QCL的發(fā)射波長(zhǎng)。為了實(shí)現(xiàn)高功率室溫連續(xù)波運(yùn)行，將晶片加工成寬度為3 ~ 10 μm的埋地脊結(jié)構(gòu)。一個(gè)腔長(zhǎng)為3-5毫米的裝置被切割并向下安裝在鉆石底座上。圖3總結(jié)了3.7 ~ 3.0 μm ...

C 激光器的掃描電子顯微鏡 (SEM) 圖像，具有埋入的異質(zhì)結(jié)構(gòu)（BH，紅色矩形）增益區(qū)和光柵耦合器（GC）在末端工作組。比例尺，2 μm。e，光學(xué) Fano BIC 的示意圖。f，制造的 Fano BIC 激光器橫截面的 SEM 圖像，顯示了包含 BH 的有源 WG 和無源納米腔。BH 在器件切割后被蝕刻掉。比例尺，200 nm。參考文獻(xiàn)：Yu, Y., Sakanas, A., Zali, A.R. et al. Ultra-coherent Fano laser based on a bound state in the continuum. Nat. Photon. (2021).DO ...

示了該裝置的掃描電子顯微鏡圖像。它包括一個(gè)用于光準(zhǔn)直的拋物面透鏡和一個(gè)扭曲光的扭曲軸棱鏡光學(xué)元件。在期刊Optics Letters中，Lightman 及其同事描述了他們?nèi)绾螌⑽⑿投嘟M件光束整形器直接制造到光纖上。該設(shè)備將普通激光轉(zhuǎn)變?yōu)閹в熊壍澜莿?dòng)量的扭曲貝塞爾光束，并且不會(huì)像典型光束那樣在空間中擴(kuò)展。研究人員在不到 5 分鐘的時(shí)間內(nèi)制造了整個(gè)微型光學(xué)設(shè)備。光纖連同微型光學(xué)設(shè)備的成本不到 100 美元，大約是執(zhí)行類似功能的標(biāo)準(zhǔn)顯微鏡物鏡成本的十分之一?！爸苯訌墓饫w創(chuàng)建貝塞爾光束的能力可用于粒子操縱或STED顯微鏡，這是一種產(chǎn)生超分辨率圖像的技術(shù)，”Lightmant表示?！拔覀兊闹圃旆椒ㄟ€可 ...

倫茲顯微鏡和掃描電子顯微鏡。 電子顯微鏡具有很高的分辨率，因此可以研究疇壁等磁疇的精細(xì)結(jié)構(gòu)，可以探測(cè)到更多的磁疇信息，但對(duì)強(qiáng)磁場(chǎng)下磁疇的動(dòng)態(tài)變化分辨率較低，且設(shè)備成本高，操作十分復(fù)雜，不能廣泛應(yīng)用于磁疇結(jié)構(gòu)的研究。（５）磁光克爾效應(yīng)法磁光克爾效應(yīng)法主要是根據(jù)光與磁性物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的磁光克爾響應(yīng)信號(hào)來觀察磁疇。當(dāng)光從磁性材料表面反射時(shí)，在磁疇表面產(chǎn)生的局部雜散磁場(chǎng)的作用下，反射光的偏振態(tài)會(huì)發(fā)生一定程度的變化，偏振態(tài)的變化 反射光的狀態(tài)與局部雜散磁場(chǎng)的大小和方向有關(guān)。反射光通過檢偏器后，偏振態(tài)的變化會(huì)以光強(qiáng)分布的形式呈現(xiàn)，然后被成像系統(tǒng)接收后，即可得到磁性材料表面的磁疇結(jié)構(gòu)分布。磁光克爾成像在觀 ...

種方法，包括掃描電子顯微鏡與極化分析，磁力顯微鏡，光電電子顯微鏡，和掃描近場(chǎng)磁光克爾顯微鏡。因此理想情況下，可以結(jié)合時(shí)間和空間分辨率來研究單個(gè)納米結(jié)構(gòu)的磁化動(dòng)力學(xué)。圖1飛秒時(shí)間分辨光學(xué)克爾顯微鏡如圖1所示。泵浦和探針激光脈沖由鈦藍(lán)寶石再生放大器獲得，以5 KHz的重復(fù)率工作，以避免累積熱效應(yīng)。持續(xù)時(shí)間為150fs(泵)和180fs(探頭)。泵浦光束中心波長(zhǎng)為790nm，探測(cè)光束中心波長(zhǎng)為395 nm，在1.5 mm厚的硼酸鋇晶體中通過二次諧波產(chǎn)生。兩個(gè)獨(dú)立的望遠(yuǎn)鏡允許一個(gè)人調(diào)整每個(gè)光束的模式，以獲得對(duì)樣品的zui佳聚焦。通過光延遲線后，泵浦光束與線偏振的探測(cè)光束共線。聚焦是使用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的顯微鏡 ...

常用的儀器是掃描電子顯微鏡(SEM)，其原理是通過高能的電子束掃描樣品表面激發(fā)出背散射電子、二次電子和X射線等信號(hào)，然后對(duì)接受到的信號(hào)進(jìn)行放大并顯示成像，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品形貌等的監(jiān)測(cè)。掃描電子微鏡顯具有操作簡(jiǎn)單方便，得到的圖像清晰，zui大程度還原真實(shí)樣品形貌等優(yōu)點(diǎn)。通過掃描電子顯微鏡觀察Cu2O薄膜，得到其表面形貌與顆粒尺寸等信息，從而對(duì)Cu2O薄膜有更加直觀了解。2.5.2成分分析得到的樣品薄膜通過X射線衍射譜儀掃描確定其成分。X射線是一種波長(zhǎng)約為20到0.06?的電磁波，利用原子內(nèi)層的電子被高速運(yùn)動(dòng)的電子轟擊產(chǎn)生躍遷光輻射，從而產(chǎn)生氣體的電離、熒光物質(zhì)的發(fā)光以及照相乳膠感光等。用電子束來轟擊金 ...

刻短溝槽后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，圖2(b)為用鉑填充溝槽后的相同器件。首先，我們使用100 ns寬度和5 kHz重復(fù)頻率的脈沖，通過測(cè)試蝕刻前后激光器的不穩(wěn)定性，研究了未填充溝槽的影響。實(shí)驗(yàn)裝置如圖4的頂部插入所示，包括一個(gè)準(zhǔn)直透鏡。，焦距?1.5英寸。另一個(gè)相同的透鏡將準(zhǔn)直光束聚焦到室溫碲化汞鎘（MCT）探測(cè)器上。我們從接收功率中提取斜率效率，并注意到提高了20%，達(dá)到1.3 _x0005_ Ith。然而，此后光脈沖變得不穩(wěn)定，導(dǎo)致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。這表明蝕刻收縮引入的散射不足以完全抑制高功率水平下的不穩(wěn)定性。圖4為了進(jìn)一步增加高階橫向模所經(jīng) ...

剝離MoS的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像2薄片 （c） 濾波后 MoS2的光學(xué)圖像-銅基板上的薄膜。（d） 除去官能團(tuán)和鉬氧化物的退火工藝。圖1是樣品制備過程示意圖。圖1（b）（c）分別為剝離MoS2的掃面電鏡圖和光學(xué)圖像，圖1（d）則是退火工藝示意圖。使用拉曼光譜對(duì)樣品粉末、過濾膜和退火膜進(jìn)行檢測(cè)，如圖2所示。在所有樣品的拉曼光譜中，我們，分別在表明Mo-S的面內(nèi)振動(dòng)的378 cm?1和S原子的平面外振動(dòng)的403cm?1觀察到強(qiáng)信號(hào)。在過濾后的薄膜中，發(fā)現(xiàn)了與MoO3正交相相對(duì)應(yīng)的振動(dòng)峰：276、336、657、818 和 990 cm?1，且具有n型電導(dǎo)率，這與先前報(bào)道的數(shù)據(jù)相吻合。MoO ...

的MoS2的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，其由（b）中的黃色虛線方塊表示。比例尺為3μm。如圖1a所示，本文使用的原位研究系統(tǒng)有兩個(gè)組件組成，一個(gè)自制的微管爐和一個(gè)共焦拉曼光譜儀，這個(gè)共聚焦拉曼光譜儀適用于高溫研究，且能原位光學(xué)觀察和光譜收集。該爐允許在高溫下進(jìn)行MoS2CVD生長(zhǎng)，同時(shí)允許與拉曼光譜儀的光學(xué)顯微鏡耦合，二氧化硅管隔離前提反應(yīng)以保護(hù)加熱元件和光譜儀。然后在位于加熱中心上方的熔爐表面上開一個(gè)光學(xué)窗口。首先，本文原位研究了MoO3單晶二維薄片和高溫S蒸汽的反應(yīng)。通過范德華外延法生長(zhǎng)MoO3的2D薄片，然后將其轉(zhuǎn)移到SiO2/Si襯底上。使用高溫S蒸汽在55℃對(duì)這些薄片進(jìn)行硫化。本文 ...