該裝置的掃描電子顯微鏡圖像。它包括一個用于光準直的拋物面透鏡和一個扭曲光的扭曲軸棱鏡光學元件。在期刊Optics Letters中，Lightman 及其同事描述了他們如何將微型多組件光束整形器直接制造到光纖上。該設備將普通激光轉變為帶有軌道角動量的扭曲貝塞爾光束，并且不會像典型光束那樣在空間中擴展。研究人員在不到 5 分鐘的時間內制造了整個微型光學設備。光纖連同微型光學設備的成本不到 100 美元，大約是執行類似功能的標準顯微鏡物鏡成本的十分之一。“直接從光纖創建貝塞爾光束的能力可用于粒子操縱或STED顯微鏡，這是一種產生超分辨率圖像的技術，”Lightmant表示。“我們的制造方法還可用于 ...

磁力顯微鏡、電子顯微鏡、中子斷層掃描等。（１）貝特粉末圖紋法貝特粉末圖紋法是較早的磁疇觀察方法，也是較簡單的磁疇觀察方法。 是在磁性材料表面涂上足夠細的鐵磁粉懸浮膠，然后鐵磁粉在磁疇結構產生的局部雜散磁場的作用下，分布成一定的圖案，而這些圖案反映材料的表面。通過普通光學顯微鏡可以直接觀察樣品的磁疇結構和圖案。同時可以對材料施加磁場，觀察在磁場作用下磁疇結構的變化。貝特粉圖法的分辨率受鐵磁粉粒徑等因素的限制，因此存在分辨率低的缺點。但由于該法設備簡單，適用范圍廣，是一種沿用已久的觀察法。（２）磁力顯微鏡法磁力顯微鏡觀察磁疇主要是通過磁探針與磁疇產生的局部雜散磁場相互作用產生的磁力梯度分布來檢測磁 ...

裝飾在光學或電子顯微鏡下成像，允許在多疇鐵磁體或被磁場穿透的超導體中分辨非常小(100nm)的磁性特征。繼Bitter之后，各種磁場成像技術得到了發展。目前應用廣泛的儀器是磁力顯微鏡。在MFM中，磁性對比是通過鐵磁尖端與樣品雜散微磁場之間的靜磁相互作用來實現的，特別是在疇邊界處。在測量過程中，探頭尖端垂直于樣品表面振動，并且由于雜散磁場的存在，振動的頻率和振幅會發生梯度變化。MFM成像可以達到小于10 nm的空間分辨率，并且可以通過先jin的尖端技術來提高分辨率，例如通過聚焦離子束銑削來修飾探針尖端。MFM的優點包括相對較高的空間分辨率，操作簡單，樣品制備簡單。缺點是很難直接從MFM圖像中提取 ...

利用NV自旋的磁光成像技術磁成像技術通常以其空間和時間分辨率為特征，但靈敏度、場干擾、樣品損壞、視場、成本和易用性等標準對于廣泛的適用性至關重要，這推動了人們對先jin材料和應用中磁性理解的未來發展。電子和x射線顯微鏡可以提供低至幾納米的高空間分辨率，但耗時，需要昂貴的復雜儀器，仔細的樣品制備和高真空環境。磁力顯微鏡(MFM)通常用于表征磁性器件，但由于其侵入性磁尖，固有的速度很慢，不適合成像脆弱的磁化狀態。另一方面，磁光克爾效應顯微鏡(MOKE)是一種非侵入性光學技術，在進一步了解自旋霍爾效應和zui近在環境條件下形成的磁性斯基米子氣泡方面發揮了巨大作用。MOKE的主要限制是它適用于表現出強 ...

法，包括掃描電子顯微鏡與極化分析，磁力顯微鏡，光電電子顯微鏡，和掃描近場磁光克爾顯微鏡。因此理想情況下，可以結合時間和空間分辨率來研究單個納米結構的磁化動力學。圖1飛秒時間分辨光學克爾顯微鏡如圖1所示。泵浦和探針激光脈沖由鈦藍寶石再生放大器獲得，以5 KHz的重復率工作，以避免累積熱效應。持續時間為150fs(泵)和180fs(探頭)。泵浦光束中心波長為790nm，探測光束中心波長為395 nm，在1.5 mm厚的硼酸鋇晶體中通過二次諧波產生。兩個獨立的望遠鏡允許一個人調整每個光束的模式，以獲得對樣品的zui佳聚焦。通過光延遲線后，泵浦光束與線偏振的探測光束共線。聚焦是使用一個標準的顯微鏡物鏡 ...

倫茲模式透射電子顯微鏡(TEM)和帶極化分析的掃描電子顯微鏡(SEMPA)可用于高分辨率探測磁疇和磁化。然而，這種方法需要昂貴的電子光學器件和真空條件，這限制了應用范圍。在原子力顯微鏡(atomic force microscopy, AFM)廣泛應用于納米尺度研究的基礎上，磁力顯微鏡(magnetic force microscopy, MFM)可用于磁成像。然而，MFM不能直接測量材料的磁化強度，只能檢測表面附近的磁雜散場。此外，為了避免影響TEM和SEMPA中的電子運動，幾乎沒有施加外磁場。在MFM技術中，外磁場下的測量應謹慎處理，以免磁化懸臂梁受到損傷。此外，當樣品為軟磁材料時，磁尖會 ...

高壓系統基于電子顯微鏡的高分辨率成像技術，如帶偏振分析的二次電子顯微鏡(SEMPA)，或光子發射電子顯微鏡(PEEM)或使用磁探針的技術(磁力顯微鏡(MFM)或自旋極化掃描隧道顯微鏡(STM)，通常局限于小的外部磁場。磁光顯微鏡沒有這樣的限制。然而，由于傳統(遠場)光學顯微鏡的橫向分辨率受到衍射的限制，大約只能達到光波長的一半，因此納米結構只能通過x射線顯微鏡或掃描近場光學顯微鏡(SNOM)在可見光范圍內成像。用于磁光研究的相當緊湊和振動隔離的特高壓室連接到配備薄膜制備設施的特高壓系統，以及用于表征薄膜結構和形態的STM和低能電子衍射(LEED)。結合極性和縱向MOKE, kerr顯微鏡和Sa ...

溝槽后的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，圖2(b)為用鉑填充溝槽后的相同器件。首先，我們使用100 ns寬度和5 kHz重復頻率的脈沖，通過測試蝕刻前后激光器的不穩定性，研究了未填充溝槽的影響。實驗裝置如圖4的頂部插入所示，包括一個準直透鏡。，焦距?1.5英寸。另一個相同的透鏡將準直光束聚焦到室溫碲化汞鎘（MCT）探測器上。我們從接收功率中提取斜率效率，并注意到提高了20%，達到1.3 _x0005_ Ith。然而，此后光脈沖變得不穩定，導致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。這表明蝕刻收縮引入的散射不足以完全抑制高功率水平下的不穩定性。圖4為了進一步增加高階橫向模所經歷的 ...

MoS的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像2薄片 （c） 濾波后 MoS2的光學圖像-銅基板上的薄膜。（d） 除去官能團和鉬氧化物的退火工藝。圖1是樣品制備過程示意圖。圖1（b）（c）分別為剝離MoS2的掃面電鏡圖和光學圖像，圖1（d）則是退火工藝示意圖。使用拉曼光譜對樣品粉末、過濾膜和退火膜進行檢測，如圖2所示。在所有樣品的拉曼光譜中，我們，分別在表明Mo-S的面內振動的378 cm?1和S原子的平面外振動的403cm?1觀察到強信號。在過濾后的薄膜中，發現了與MoO3正交相相對應的振動峰：276、336、657、818 和 990 cm?1，且具有n型電導率，這與先前報道的數據相吻合。MoO2本 ...

oS2的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，其由（b）中的黃色虛線方塊表示。比例尺為3μm。如圖1a所示，本文使用的原位研究系統有兩個組件組成，一個自制的微管爐和一個共焦拉曼光譜儀，這個共聚焦拉曼光譜儀適用于高溫研究，且能原位光學觀察和光譜收集。該爐允許在高溫下進行MoS2CVD生長，同時允許與拉曼光譜儀的光學顯微鏡耦合，二氧化硅管隔離前提反應以保護加熱元件和光譜儀。然后在位于加熱中心上方的熔爐表面上開一個光學窗口。首先，本文原位研究了MoO3單晶二維薄片和高溫S蒸汽的反應。通過范德華外延法生長MoO3的2D薄片，然后將其轉移到SiO2/Si襯底上。使用高溫S蒸汽在55℃對這些薄片進行硫化。本文使用 ...