持黑暗，導致載流子向這些區域橫向擴散。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復合。使用全局成像時生成的等勢體防止了電荷向更暗區域擴散。用于全局成像模式的均勻照明使得在現實條件下進行PL實驗成為可能，z低可達一個相當于太陽功率密度。預計儀器激發強度波動可達13%。激發輻照度的變化將帶來PL發射的比例變化，使這種效應易于識別。此外，在儀器軟件的輔助下，這些效應將減少到可以忽略的min程度。圖1(a)展示了在CIGS沉積前，P1劃線和P2激光劃線區域的光學顯微照片和PL顯微照片在同一位置的直接比較。正如預期的那樣，P2激光槽周圍的金屬化區域沒有PL發射。關于P1燒蝕線上的CIGS材料的PL空間均勻性 ...

范圍遠超光生載流子的遷移距離，可以很容易地理解SR熱效應內的CIGS區域不再是光活性的。作為參考，Brown通過電子束誘導電流（EBIC）報告了0.30到0.52μm的少數載流子擴散長度。相應地，Delamarre使用寬帶可調激光的光束誘導電流（LBIC）裝置繪制了1.09μm（標準偏差為0.10μm）的載流子擴散長度。上述陳述可以通過以下事實進一步解釋：CIGS的部分損傷不會完全耗盡光致輻射復合，而只會抑制它。熱誘導缺陷的逐漸增加將通過非輻射能量耗散途徑（如熱或紅外輻射）逐漸抑制光致輻射復合。在這方面，Schultz報告了圖形線邊緣的CIGS成分的激光誘導變化，也是短程距離。借助能量色散X射 ...

可以降低透明載流子密度，提高（差分）增益，從而實現高速運行。為了降低空間電荷區的寄生電容，降低了InP-regrowth層的摻雜水平，從而有力地降低了器件的寄生。對于有源直徑為5μm的器件，室溫下的光輸出功率超過2mw，80℃時的光輸出功率超過0.8mW（圖1.b）。應該指出的是，由于減少了散熱量，在大信號調制下，熱滾轉轉移到更高的電流。閾值電流分別低至1ma和2ma。由于這些器件的高耦合效率高達60%，因此可以實現高光纖耦合功率幅值。頻譜顯示單模工作，側模抑制比在滾轉電流下超過40dB。圖1 (a)短腔VCSEL截面示意圖(b)25°C和80°C時的l-i特性；25℃下的光譜，IDC=14m ...

學諧振腔中的載流子和光子密度非常高，內部調制行為表現出更高的阻尼，因此低寄生對VCSELs尤為重要。因此，VCSELs的特點是具有較小的松弛振蕩超調，可以補償寄生滾轉。在圖3中，可以在很寬的溫度范圍內確定優越的調制性能。如圖3(a)所示，3dB帶寬在25℃時超過12GHz，在55℃時為11GHz，在85℃時為10GHz，如圖3(b)所示。散點代表測量數據，而繪制的穿過線擬合到公式(1)，可以提取如圖4所示的內在參數。在這里，我們展示了先前和改進設計的阻尼率與共振頻率fR平方的關系，提取了-因子和阻尼偏移。通過速率方程分析，我們可以發現如下的相互關系：包括光子壽命、約束因子、增益、增益導數和隨載 ...