空氣、薄膜和襯底的折射率；k2和k3分別為薄膜和襯底的消光系數。通過對Ψ和Δ的擬合，可以得出被測物體的參量。橢偏技術按采樣原理可以分為消光式和光度式 ，也稱為零橢偏法與非零橢偏法。消光式橢偏測量方法在每一個波長通過旋轉起偏器和補償器后尋找到合適的角度，使經樣品反射后的偏振光為線性偏振光，然后調整檢偏器角度產生消光效果后，記錄此時檢偏器和起偏器相對于入射平面的角度，計算出樣品對應的參數。光度式橢偏測量方法則是對探測器接收到的光強進行傅里葉分析，推導出所測樣品的特性，并不需要測量角度，盡可能排除了人為誤差，測量速度快，但其非線性效應大。如果您對橢偏儀有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：https ...

程度上取決于襯底的選擇;然而，它們的磁光特性主要是由具有垂直定向磁化的能力決定的。另一方面，磁性材料的矯頑力與襯底的選擇以及薄膜的微觀結構細節有很強的依賴性。多年來，許多實驗室對合金的結構、磁性和磁光特性進行了系統的研究，以獲得較佳化合物。此外，隨著制造技術的改進，例如濺射沉積，分散在聚合物基質中的特殊性質顆粒被獲得，為新型磁光材料鋪平了道路，使其與傳統的薄膜方法保持距離。對傳統磁光合金的改進，以及目前新型和增強型磁光材料的一些研究成果通常以納米級粒子的形式出現。如果您磁學測量對有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level- ...

，沉積在Si襯底上，襯底為100 nm SiO2。它具有9%的銅含量和L10結構，具有面外磁化。鐵磁性Tb26Co74樣品具有20nm的厚度和面外磁化。將其沉積在透明玻璃襯底上，襯底上有5nm的Ta緩沖層。為避免氧化，采用了由2nm Cu和4nm Pt組成的蓋層。在硅襯底上測量了15 nm厚的Ni樣品，并對其進行了縱向幾何測量。如果您磁學測量對有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-150.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器 ...

厚標準樣片的襯底材料為硅，薄膜材料為熱氧化生長的二氧化硅。由光譜型橢偏儀測量原理可知：橢偏儀在測量薄膜厚度時，得到的直接測量量為橢偏角（和），薄膜厚度量值是通過建立相應測量模型進行橢偏角擬合得到的。因此，橢偏角的測量準確度體現了光譜型橢偏儀的硬件性能，薄膜厚度的測量準確度體現了光譜型橢偏儀硬件和測量模型的綜合性能。測量模型是橢偏儀的核心技術，出于技術保護，各橢偏儀生產廠家都有自己的測量模型，這就導致使用不同廠家生產的儀器測量同一薄膜厚度時，結果會出現較大的偏差，薄膜厚度的測量結果受測量模型的影響很大。為了消除測量模型對光譜型橢偏儀校準結果的影響，本文提出了一種基于橢偏角的光譜型橢偏儀校準方法。 ...

斜率與薄膜和襯底的熱導率和擴散率有關。圖2：SDTR的相位(a)和振幅掃描曲線(b)示意圖(圖中數據為Ti/Si樣品)圖2(a)和2(b)所示分別為整個掃描范圍內的相位信號和幅值信號，理論上兩種信號都是以零點(泵浦光斑和探測光斑重合位置)左右對稱，雖然理論面內熱導率kxx需要從對整個坐標軸范圍的斜率Δφ進行擬合而得到，但實際的擬合結果主要決定于xc＞2ω(ω為光斑直徑)處的斜率，同樣的，在振幅信號中(圖2(b)所示)的曲線中，ω的敏感度主要為振幅曲線的半高寬。因此通過SDTR的同次測試結果中可同時確定樣品的掃描方向的面內熱導率kxx和有效光斑直徑ω。SDTR對測試樣品有一定的要求：首先要確定樣 ...

用光度式，在襯底裸露部分進行消光調節，然后在保持補償器方位角、偏振器方位角不變的情況下使用光度式進行操作，根據反射光的強度實現材料厚度的可視化。該技術對薄層沉積過程中厚度分布的在線動態可視化具有很大的應用前景。該橢偏成像技術使用的是單一波長入射樣品，結構如下圖所示 。具有擴展光束、固定偏振組件和 CCD 相機的成像橢偏儀結構示意圖該成像橢偏系統被應用于研究多種蛋白分子在固相表面的吸附機理和多種抗原-抗體之間的相互作用等，并且成功地檢測了人體內分泌激素等。如果您對橢偏儀相關產品有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-56 ...

系統獲得的硅襯底上的二氧化硅納米薄膜的厚度分布。硅襯底上的二氧化硅薄膜厚度分布厚度刨面在1.10 mm×2.21 mm的面積上幾乎是平坦的，在水平和垂直方向上的空間分辨率分別為 1.58μm 和4 62μm。該系統與光譜橢偏之間的平均厚度差小于3nm，盡管包含大量的數據點，測量結果與標準值的偏差小于2.5nm。通過與磁光調制、時間相移和雙反射等技術的結合，光譜橢偏技術提高了測量速度和準確性。通過與Muller矩陣的結合，光譜橢偏技術不再受光學分辨率極限的限制，提高了測量的準確性，可以獲得更豐富的信息。2019年華中科技大學發明了基于液晶調相的垂直物鏡式Muller矩陣成像橢偏儀，該儀器所用系統 ...

以用來從任何襯底上確定石墨烯薄膜的形狀和層數，從中提取其光學性質從而分析不同襯底對石墨烯性質的影響。下圖為成像橢偏儀獲得的石墨烯薄片灰度圖和光學顯微鏡獲得的石墨烯薄片的對比。成像橢偏儀獲得的石墨烯薄片灰度圖和光學顯微鏡獲得的石墨烯薄片的對比。（a）不同層數的石墨烯片的光學顯微照 片，數字代表石墨烯層數；（b）石墨烯片在二氧化硅/硅上的成像橢偏灰度圖；（c）（d）以更高的分辨率顯示圖（b）中方框 區域的橢偏Ψ和Δ圖對比上圖（a）和（b）-（d）可以看出，成像橢偏適用于區分單層和雙層石墨烯。在此之后，成像橢偏技術實現從單波長測量到光譜測量的突破，為測定由飛秒激光誘導的離子遷移刻寫的通信波導的折射率 ...

(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，采用電子光刻技術制備了厚度為15 nm的CoPt3點。它們具有較大的垂直磁晶各向異性和鐵磁行為，其特征是定義良好的平方磁滯回線，矯頑力場為±3.7 kOe。圓點的直徑可在0.2 ~ 1 μm范圍內變化。下面只給出1 μm點的結果。圖1實驗配置能成像納米結構的形貌以及磁化的動力學。圖1為泵脈沖激勵后直徑為1μm的CoPt3點在不同時間延遲下的微分磁化圖像。注意，在當前的測量中，激發不是固定在點的中心，而是在成像過程中與探針光束一起移位。圖a、b和c的序列表明，可以監測磁點磁化的空間動態。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：https://ww ...

消除來自樣品襯底的背景散射光。在針孔之后，用一個偏振器來分析探測光束的克爾旋轉，該偏振器相對于入射光束的交叉偏振方向的角度為幾度(交叉偏振器技術)然后用光電倍增管和鎖定檢測方案進行檢測。垂直于樣品平面施加zui大振幅為±4kOe的可變靜態磁場H。樣品可以用XY壓電掃描臺在±40 um的距離上進行掃描，精度為2 nm。CoPt3光盤是由15 nm的CoxPt1?x (x=0.25)合金薄膜通過分子束外延生長在沉積在500 um取向藍寶石(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，通過電子光刻制成的圓盤的直徑為0.2 ~ 1m，圓盤之間的距離為0.5 ~ 2um。圖2圖2(a)表示時間的變化泵浦 ...