應(yīng)用。不同的襯底會對生長的二維材料產(chǎn)生影響，使它們的形態(tài)，晶體質(zhì)量，光學性能等被改變。云南大學楊鵬教授課題組研究了襯底對CVD生長MoS2和WS2的影響。本文主要使用SiO2/Si,Si,石英作為襯底生長二維材料。形態(tài)&晶體質(zhì)量如上圖a所示，SiO2 / Si襯底上的CVD生長的MoS2具有規(guī)則的三角形形狀，具有清晰的分層結(jié)構(gòu)，說明了合成了不同層數(shù)的MoS2。d是在Si襯底上生長的MoS2,圖中只能看到針狀納米棒的合成。接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si，PTCDA充當CVD外延生長的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對較大的二維MoS2。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性 ...

過程向材料的襯底走，進而再次達到平衡狀態(tài)；熱點形成到消失產(chǎn)生的電壓脈沖表示檢測到光子NbN超導(dǎo)檢測器具有極低的時序抖動，其光譜靈敏度范圍從可見光到中紅外范圍。SSPD的暗計數(shù)率極低，通常低于每秒1個計數(shù)，并且沒有后脈沖。檢測器的有效面積約為10 um2探測效率與暗計數(shù)系統(tǒng)組成 ...

)紅色硬紙板襯底上的血跡(b)深藍色牛仔褲上有兩個沾有血跡的指紋(c)深藍色卡片上有兩處血跡(d)四個污點，(A)紅色圓珠筆，(B)咖啡污漬，(C)紅糖污漬和(D)深灰色棉花上的血跡二、淤青老化及檢測應(yīng)用領(lǐng)域:?家庭和兒童虐待案件?對事件的敘述進行核實/反駁(如“他星期五在學校摔倒了”→在周末進行真相剖析)?擦傷的形狀-咬痕等?監(jiān)測受傷情況，估計事故發(fā)生的時間相比其他技術(shù)的好處:到目前為止，醫(yī)生是根據(jù)顏色來估計瘀傷的年齡的，然而這種估計是非常主觀的，因為人們對顏色的看法是不同的。IQ提供了對瘀傷部位和年齡的準確和客觀的判斷。文章題目: Can colour inhomogeneity of b ...

能器的藍寶石襯底進行連續(xù)波和脈沖FDTR測量的計算信號。對于脈沖解決方案，延遲時間固定為100 ps圖3.來自CW和脈沖FDTR在藍寶石襯底的不同參數(shù)上比率信號的靈敏度系數(shù)R =–Vin/Vout，藍寶石襯底由100 nm鋁傳感器覆蓋，使用w0=5 μm的光斑尺寸。脈沖FDTR的延遲時間固定在100 psTDTR實驗的靈敏度分析可以類似地應(yīng)用于FDTR。雖然有使用相位信號φ來導(dǎo)出熱特性的情況，但是為了一致性，比率信號R這里使用-Vin/Vout，相當于相位信號φ = -arctan(Vout/Vin)。圖3使用w0=5微米的光斑尺寸，比較了在0.05–20兆赫調(diào)制頻率范圍內(nèi)，連續(xù)波和脈沖FDT ...

在Al2O3襯底上沉積的MoS2薄膜的層數(shù)可以直接由ALD循環(huán)次數(shù)控制。通過使用拉曼光譜（XperRam C，NANOBASE，532nm激光光源下，激光光斑尺寸為1mm，功率為0.6mW）證明了薄膜層數(shù)和ALD圈數(shù)之間成線性關(guān)系，且隨著薄膜層數(shù)的增加摩擦減少，即隨著MoS2厚度的增加，受基地影響的的2D MoS2的層相關(guān)摩擦性能減弱，如圖1（a）和圖1（b）所示。除此之外，通過高斯公式計算摩擦力的分布可以得到每次等離子處理的平均摩擦力，且發(fā)現(xiàn)等離子處理10s的Al2O3基地上沉積的MoS2的平均摩擦為1個ALD循環(huán)，并且其值最低，如圖1（c）所示。基地表面上的官能團可以通過O2等離子處理獲得 ...

纖光柵鑲嵌在襯底材料的表面。由于襯底材料的熱膨脹系數(shù)較大，當溫度變化時，這樣可以增大光纖光柵的縱向應(yīng)變，從而提高溫度靈敏度。鋁合金通常在實際應(yīng)用中被選擇作為襯底材料。常采用槽結(jié)構(gòu)封裝的光纖光柵溫度傳感器設(shè)計理念。封裝結(jié)構(gòu)如下圖所示，將光纖光柵用環(huán)氧樹脂封裝固定在一個刻有細槽的鋁板內(nèi)（鋁板為鋁合金），細槽中心要與鋁板中軸線保持平行。當封裝的時候，要保證光纖光柵平直，并處于細槽的底面軸線上。當注入環(huán)氧樹脂時，要對其進行適當加熱，目的是增加環(huán)氧樹脂的流動性，以達到減小氣泡形成的效果，當細槽內(nèi)充滿環(huán)氧樹脂，又不溢出槽外時，便于加蓋封裝固定。在鋁板四個頂角上制作四個螺孔，圖中左邊的兩個的起到把鋁條與被測 ...

可以用作芯片襯底。該芯片的鉑層或ITO層可以在3分鐘(鉑)到30?s (ITO)之間進行加工。同時，在厚度為100?nm?到1?μm的氮化硅中，打開鈍化窗口是成功的。在傳感器芯片上，以前用于isfet的氮化硅層首次被用作電位ph傳感器的敏感材料。比較了不同層厚度的靈敏度和再現(xiàn)性。在室溫下，自制的60?nm薄膜的靈敏度可達-53.8?±1.8 mV/pH，Z大漂移率為0.151 mV/h。由于安培式氧傳感器沒有氧選擇性膜，因此必須考慮細胞培養(yǎng)基中各組分的影響來對其進行表征。循環(huán)伏安法測量證實細胞培養(yǎng)液中不含影響測量的電活性物質(zhì)。由于材料和結(jié)構(gòu)的原因，有必要將工作電位降低到- 650?mV相對于A ...

匹配于InP襯底這種特殊的材料系統(tǒng)的導(dǎo)帶偏移量(量子阱深度)為520 meV。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內(nèi)達到了非常高的性能水平，實現(xiàn)了高于室溫的高功率，連續(xù)的波發(fā)射。1998年，Sirtori等人實現(xiàn)了GaAs/AlGaAs QCLs，證明了QC概念并不局限于一個材料系統(tǒng)。這種材料系統(tǒng)的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與基于InP的QCL相匹配，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功。QCLs的短波長限制是由量子阱的深度決定的，近年來，為了實現(xiàn)短波長發(fā)射，在具有非常深量子阱的材料系統(tǒng)中開發(fā)了QCLs。InGaAs/AlAsSb材料體系 ...

n摻雜InP襯底中具有高的自由職業(yè)吸收而具有很高的損耗。由于在太赫茲范圍內(nèi)相對于中紅外指數(shù)(nmidir)有更快的頻率依賴有效指數(shù)，模態(tài)相位匹配只能在相對較窄的頻率范圍內(nèi)滿足。為了克服這一限制，可以用半絕緣的InP襯底代替有損耗的襯底，并使用?erenkov相位匹配方案從腔中提取THz光，如圖9(b)[41,42]所示。在?erenkov構(gòu)型中，QCL有源區(qū)的THz指數(shù)(nTHz)高于中紅外指數(shù)，因此基波中紅外波的傳播速度快于DFG太赫茲波。這種相位匹配方案，加上復(fù)合DFB陣列設(shè)計，允許產(chǎn)生寬范圍的單模太赫茲，即達到1.0至4.6太赫茲(圖10(c))。圖10.室溫下高峰值功率(a)、連續(xù)波工 ...

mm MgO襯底上制備楔形Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Ru/[Co/Pd]3/Co/Ru SAF薄膜，在基底真空優(yōu)于8.0 × 10?5 mTorr的條件下，工作氬氣壓力為3 mTorr。楔形Pt層是在沉積過程中通過移動擋板生長的。采用電子束蒸發(fā)法制備了Ta/Pt/[Co/Pd]2/Co/Pd鐵磁堆，基壓為5 × 10?6 mTorr。設(shè)備是通過標準光刻和隨后的氬離子銑削的方式。磁化和輸運測量在5 μm通道寬度的霍爾十字槽中，通過四點測量，在室溫下對異常霍爾效應(yīng)和電流誘導(dǎo)磁化開關(guān)進行了研究。磁疇圖像和磁滯回線是使用VERTISIS MagVision Kerr成像系統(tǒng)捕獲的，該系統(tǒng)利用 ...