統中制作的，晶格匹配于InP襯底這種特殊的材料系統的導帶偏移量(量子阱深度)為520 meV。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內達到了非常高的性能水平，實現了高于室溫的高功率，連續的波發射。1998年，Sirtori等人實現了GaAs/AlGaAs QCLs，證明了QC概念并不局限于一個材料系統。這種材料系統的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與基于InP的QCL相匹配，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功。QCLs的短波長限制是由量子阱的深度決定的，近年來，為了實現短波長發射，在具有非常深量子阱的材料系統中開發了QCLs。InGaAs/Al ...

區域被設計在晶格匹配的Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As中，這樣就可以在沒有應變松弛[28]的情況下生長由許多核組成的非常厚的寬帶結構。雖然這能成功實現的較長波長發射，但在較短的波長晶格匹配QCL性能惡化[4]。應變平衡結構可以解決這一問題，但由于阱和勢壘寬度的不同，應變水平和材料組成通常隨發射波長而變化。在標準MBE反應器中，通過改變積液細胞溫度來動態地改變單個生長過程中的組分，將導致生長速率和組分的不確定性。這將導致單個核的發射波長的不確定性，阻礙實現無間隙的寬發射光譜。因此，如果在所有波長都能保持高效率，那么寬頻帶QCL中所有核心的材料組成都保持恒定的替代設計方案 ...

的點上，而且晶格匹配合成條件可以減弱MoS2的晶格應力。并且，在合成過程中，晶格匹配的GaN可以控制面缺陷的形成。圖2. MoS2疇左邊的光譜圖像和右邊的相關角度分析點圖在基底（a）SiO2，（b）Al2O3和（c）GaN上；左邊圖譜的出去譜圖顯示了疇方向的參考，右邊顯示了單個MoS2疇的相關方向相關文獻：Woanseo Park, Hyung Joon Kim, etc. Domain Aligned Growth of Molybdenum Disulfide on Various Substrates by Chemical Vapor Deposition[J]. Science of ...

dWHs不受晶格匹配和制造兼容性的限制，結合了不同2dm的優點，為新功能的設計提供了巨大的機會。為了識別2DMs和vdWHs的各種基本性質，需要一種方便的原位表征技術。在眾多的表征方法中，拉曼光譜是一種快速、無損的表征方法，具有較高的空間和光譜分辨率，在實驗室和大規模生產中都很適用。一般來說，2DMs中晶格振動(即聲子)的拉曼峰具有幾個突出的特征，包括線的形狀、峰的位置(Pos)、半Z大值處的全寬度(FWHM)和強度(I)，這些特征包含了描述2DMs的物理和化學性質的有用信息，如量子干涉、聲子頻率、中間態和拉曼過程的衰減率、電子-聲子耦合、電子態等。根據晶格振動的原子位移，在2DMs中有兩種拉 ...

限制。例如，晶格匹配對異質結構施加了限制，因為具有非常不同晶體結構的材料在組合時不能很好地耦合。傳統的半導體也傾向于形成三維結構，使得不配對的鍵更容易存在于表面。這些懸空鍵不僅使這些系統中的表面物理更加難以控制，而且使這些材料的薄膜變成準二維(2D)結構。幸運的是，在過去的二十年里，一種新的材料出現了，它具有真正的二維性質和光學定向自旋的能力。了解更多詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-150.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類 ...