導拉曼散射的外延線照明，使用一個線形焦點，以能夠比較貝塞爾和傳統外延線照明模式之間的成像特性。使用圖1(a)中的倒立鏡可以切換兩種成像模式。貝塞爾照明的偏振方向設置為x方向，使探測物鏡能夠有效地收集誘導拉曼散射。分光光度計的狹縫寬度設為1 Airy單位，使狹縫共聚焦效應也可實現z向的空間分辨率。光學裝置的細節如圖1所示。圖一該顯微鏡的有效點擴散函數(PSF)是光學照明點擴散函數和檢測點擴散函數的乘積。如圖1(b)-(e)所示，與外線照明相比，貝塞爾光束照明有效地降低了z方向PSF的延伸，表明貝塞爾照明可以提高軸向分辨率和背景消除。在貝塞爾束成像中，旁瓣可能是一個問題，但在該照明模式中，入口狹縫 ...

射，通過指示外延生長，提供了對薄膜光學質量的進一步了解。x射線衍射研究表明材料是否具有晶體織構，因為通常需要具有高度織構且易于磁化軸垂直于薄膜的材料(圖2)。圖1圖2在這一點上，應該強調的是，傳統磁光薄膜的磁性是連續的，而其他磁性薄膜，如傳統磁性記錄磁帶中使用的磁性薄膜，由于交換耦合，形成位的磁性顆粒彼此分離。因此，傳統的磁光薄膜允許更高的存儲密度，在薄膜上封裝更多的比特。例如，在磁光記錄的黃金年代，磁光盤薄膜上的數據存儲標記由由約8 nm的磁壁隔開的磁疇組成，其中標記寬度約為170 nm，典型面密度為100 Gbits/in2。磁光薄膜的另一個優點是，它們具有更好的熱穩定性，傳統的磁記錄磁帶 ...

磁各向異性的外延多層體系中的疇，通過考慮效應的對比規律和深度靈敏度。梯度效應也可以很好地應用于圖像精細過渡和域調制。圖1圖1比較了Kerr效應、Voigt效應和梯度效應之間的現象差異。在不同條件下，在光學偏光顯微鏡下對具有兩個正交磁化軸的鐵硅晶體的典型疇圖進行了成像，如圖所示。在每種情況下，通過選擇適當的入射光和通過正確設置顯微鏡中的偏光器，分析器和補償器來產生對比度。克爾效應在磁化矢量上是線性的，因此圖1中的四個疇相以不同的顏色顯示。在V光效應中成像的相同圖案只顯示兩種顏色，每個磁化軸一種。這種對比是獨立于磁化方向，因為V光效應取決于二次磁化矢量。梯度效應對磁化強度的變化很敏感。因此，在這種 ...

膜通過分子束外延生長在500 μm取向藍寶石(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，采用電子光刻技術制備了厚度為15 nm的CoPt3點。它們具有較大的垂直磁晶各向異性和鐵磁行為，其特征是定義良好的平方磁滯回線，矯頑力場為±3.7 kOe。圓點的直徑可在0.2 ~ 1 μm范圍內變化。下面只給出1 μm點的結果。圖1實驗配置能成像納米結構的形貌以及磁化的動力學。圖1為泵脈沖激勵后直徑為1μm的CoPt3點在不同時間延遲下的微分磁化圖像。注意，在當前的測量中，激發不是固定在點的中心，而是在成像過程中與探針光束一起移位。圖a、b和c的序列表明，可以監測磁點磁化的空間動態。了解更多詳情，請訪問 ...

膜通過分子束外延生長在沉積在500 um取向藍寶石(0001)襯底上的12 nm Pt緩沖層上，通過電子光刻制成的圓盤的直徑為0.2 ~ 1m，圓盤之間的距離為0.5 ~ 2um。圖2圖2(a)表示時間的變化泵浦激勵密度為4 mJ cm?2，外加磁場設置為3.5 kOe，使靜態磁化達到飽和。插圖描繪了超快磁化動力學的詳細視圖。圖2(b)表示類似的曲線，但激發密度為8 mJ cm?2。初始退磁發生在泵浦脈沖期間，對應于自旋的激光加熱，發生在電子的熱化過程中由于探針脈沖持續時間為180秒，這里的熱化過程沒有得到解決。注意，對于zui大激勵密度[圖2(b)]，初始退磁完成。然后再磁化發生在兩個主要步 ...

，對于分子束外延生長的單層和雙層InSe，價帶zui大值和zui小值的能量分離為~ 100 meV。這和的寬度在同一個數量級上PL(圖1、2a和2b)表明低能尾的極化減少可能是由于價帶的散射。如果您對磁學測量有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-150.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光學元件等，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳感、激光制造等 ...

D)和分子束外延(MBE)兩種方法，在低摻雜InP:S襯底上生長出具有100次重復活性注入區的應變平衡InGaAs/InAlAs激光結構。電致發光器件采用深蝕刻、直徑130μm的半圓形平臺，頂部觸點為Ti/Pt/Au，底部觸點為退火的Ge/Au/Ni/Au，并覆蓋Ti/Au。將Fabry-Perot激光器制作成雙溝槽深蝕刻脊波導激光器，采用380nm SiNx作為側壁絕緣，并向下安裝在復合金剛石底座上。為了進行測試，所有的臺面和激光設備都安裝在AlN上的直接結合銅襯底上。電致發光(EL)光譜在不同溫度和脈沖電流(80kHz重復頻率;脈沖寬度100-500ns)，使用傅里葉變換紅外(FTIR)光 ...