位解調、空氣折射率補償等多方面方法和技術的綜合應用，國內外的研究現狀根據測距的基本原理可分為飛行時間法和干涉法兩大類。飛行時間法主要根據根據時間間隔的測量原理，通過直接或間接的方法測量發射脈沖與接受脈沖的時間間隔，進而計算目標距離。干涉法量主要包括多波長干涉法、色散干涉法、雙光梳干涉法與頻率掃描干涉法。多波長干涉法測量距離的原理基于不同波長光在光程差發生變化時引起的干涉現象。這個方法利用了不同波長光的相位變化關系，通過觀察干涉條紋的移動來確定測量目標的距離。這種方法在測距應用中具有高精度和靈敏度，尤其在需要非接觸和高精度的測量場景下。通過利用不同波長光的特性，多波長干涉法可以實現對目標距離的精 ...

n1是空氣的折射率(1.00)，n2是薄膜的折射率，n3是襯底折射率，是光在界面1的入射角，、如圖1-1所示，分別是在所測薄膜、基底中的折射角。在圖1-1的模型中，經過多次反射折射后，由多光干涉的公式可得zui終反射系數為：其中，d是膜厚，λ是真空中光的波長，2δ是相鄰兩束反射光的相位差。振幅、相位是描述光波偏振狀態的兩個參數，在橢偏儀中用Ψ、△來表示。其取值范圍是：0≤Ψ≤π/2，0≤△<2π。總反射系數比值定義為ρ，ρ與(Ψ，△)、(Rp，Rs)關系式如下：其中，tgΨ為反射前后P、S光兩分量的振幅衰減比，△=δp?δs為P、S兩分量相位變化差。可以清楚地看到Ψ、△直接給出反射前和反 ...

為活性介質的折射率；m為一個較大的正整數。連續模式被不同的常數分開，它是FP標準具的自由光譜范圍:兩個相鄰位模式間相近的距離△λ可以表示為:(3)激光器的應用大多數光學計量技術需要激光器輸出在可見光范圍內，如He-Ne激光器、He-Cd激光器(441.6μm)、可調諧染料激光器、Ti:藍寶石和翡翠玉(兩者都在遠紅外范圍)激光器。干涉測量技術和全息術利用脈沖激光用于解決與記錄系統的穩定性相關的問題。光學遙感和通信應用包含纖維主要利用Nd:YAG激光器。zui大能量的CO2激光器廣泛應用于工業應用，如材料加工(激光切割，焊接，鉆孔，等等),目前以上幾乎所有的激光器都應用于醫療過程。了解更多詳情，請 ...

射結構，在高折射率的紅外透明母棱鏡上沉積一層金屬薄膜作為工作電極。由于紅外光束從電極背面(通過棱鏡)聚焦在界面上，然后檢測到反射輻射，因此溶液層的厚度對入射、出射光的影響可避免，故而液層的厚度將不再受到限制。然而，這種內部反射結構的電極材料僅限于紅外窗口棱鏡上的一個薄膜(小于100nm)，僅限于濺射或化學沉積的少數金屬(Au、Pt、Pd等)。石英晶振儀是一種非常靈敏的質量天平，可以測量單位面積內質量的毫微克水平變化。石英是一種壓電材料，通常通過金屬電極施加適當的電壓，可以使其以規定的頻率振蕩。在電極表面添加或去除少量的質量可以影響振蕩的頻率。這種頻率的變化可以實時監測，以獲得電極表面發生的分子 ...

時，光學常數折射率及消光系數有如下關系式：由朗伯定律與光強度的定義得吸收系數β與消光系數k的關系為：又由比爾定律知，當溶液濃度足夠小以至于分子間相互作用能被忽略時，溶液吸收系數β與溶液的濃度C成正比，即β=αC，α是與濃度無關由吸收物質分子的特性決定的常數。因此可以得到溶液濃度與其折射率之間的關系式為：由以上推導可知光學常數n、k值和溶液濃度之間的關系如式(1-11)所示，而橢偏儀測量得到的參數ψ和Δ是光學常數n、k的函數，這意味著溶液直接影響著測試結果，不同濃度溶液帶來的影響不同。所以后續研究過程中溶液以及溶液濃度對測試結果的影響都是具有挑戰性的。4.2固液界面橢偏儀在位監測薄膜沉積過程中涉 ...

的物鏡系統是折射率呈梯度變化的自聚焦透鏡GRINlens。由此可以初步得出微型化傅里葉光學系統的主要光學結構如圖7所示，這也是光場傳播和成像的主要路徑。圖74.光路設計傅里葉光場顯微鏡是在改進后的高分辨率光場顯微鏡的基礎上，在透鏡和微透鏡陣列之間插入一個新的透鏡，該透鏡能將光場從時域轉換成頻域，起到傅里葉變換的作用。為了實現微型化，物鏡系統采用GRINlens實現，具體的光路原理圖如圖8所示。圖85.機械系統整體結構設計本設計的光學外殼是基于傅里葉光場顯微鏡的微型化而產生的。隨著微型化集成技術的不斷發展，越來越多的學者團隊開始研究將光場顯微技術與微型化技術進行結合，也由此設計出了適用于不同光路 ...

、封裝材料的折射率分布等參數。利用波前分析儀可以檢測封裝過程中產生的各種缺陷，如焊點空洞、引線偏移、芯片傾斜等。通過分析波前的相位和振幅變化，可以定位缺陷的位置和大小。波前分析儀可以評估封裝后的芯片質量，如焊點的可靠性、引線的連接強度等。通過測量波前的散射和反射情況，可以判斷封裝質量的優劣。過程監控：在封裝過程中，波前分析儀可以實時監測波前的變化，從而及時發現封裝過程中的異常情況。這有助于提高封裝的成功率和生產效率。波前分析儀在芯片封裝檢測中具有重要的應用價值，可以幫助工程師提高封裝質量、降低生產成本和提高生產效率。隨著封裝技術的不斷發展，波前分析儀的應用領域還將不斷拓展。4）光學元件檢測：可 ...

會同時影響到折射率n和消光系數k，在圖4-6(b，d)吸收系數中觀察到在長波范圍內(500-800nm)的波包變化但是在圖4-6(a，c)中的折射率系數n卻沒有監測到，這意味著這個吸收系數的波包變化可能是沉積材料的厚度導致的。對于沉積時間為360s時，相對于其它沉積時間n值和k值都有很大的變化，這可能是360s時的物相較為特殊。由于物相包括新物質或者是結構，如顆粒尺寸，所以這可能是由于在360s時沉積的CU2O成分或者是此時得到的顆粒尺寸或者結構有所不同，需要進一步驗證。圖4-6不同沉積時間得到的橢偏數據圖(a，c)n，(b，d)k了解更多橢偏儀詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：https: ...

長變化圖，與折射率n的趨勢相似。隨著時間的變化，值發生變化。當沉積時間為180s的時候，在500-800nm長波范圍，其值從襯底的-20增加到-0.5，這也意味著新的物質沉積，導致襯底的信息減少。在沉積時間增加到360s和540s時，整體上值比180s減小了3左右，在350nm附近出現一個較明顯的波包，同時在550nm附近出現一個波包。當沉積時間增加到720s之后，的值恢復到沉積180s附近，但是在500-800nm波段稍小，且在500nm附近出現波包。沉積時間為900s時，值的變化和720s一致，但是出現的波包位置大概在530nm附近。當時間為1080s時，在300-500nm波段其值和72 ...

-10(a)折射率n值來看，沒有沉積之前即0s時，n值從300nm-800nm不斷減小，在300nm-500nm波段平緩，500nm處驟減，600nm-800nm達到zui小值且有波動。與0s相比，不同沉積時間在300nm-500nm波段每個沉積時間的變化趨勢一致，數值上180szui大，360szui小，其余介于二者之間；都在330nm和410nm附近存在波包。在500nm-800nm波段，變化趨勢比較相似，數值上比0s的大，但是存在波動，特別是180s在600nm附近存在驟減。從圖4-10(b)消光系數k值來看，0s時k值從300nm-800nm不斷增加，在300nm-500nm波段平緩， ...