由微米尺度的折射率不匹配引起的場失真。實驗結果:通過實驗和數值計算重新審視了使用雙光子激發熒光、三次諧波生成、偏振三次諧波生成等多光子顯微成像的折射率不匹配介質之間垂直界面的常見幾何形狀,表明ASR/Green模型無法重現實驗觀察結果,因為它忽略了近焦處的場失真,相比之下,基于FDTD的方法準確地解釋了實驗觀察到的偽影。對相干和偏振分辨圖像的解釋具有重要意義。應用場景:多光子顯微成像定量圖像描述。DOI:https://doi.org/10.1364/OPTICA.421257本文章經光學前沿授權轉載,商業轉載請聯系獲得授權。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電:上海昊量光 ...
用下導致材料折射率的變化,從而產生雙折射效應。另一種方案是采用橢圓形的纖芯,橢圓形的形狀本身就會產生一定程度的形狀雙折射,即使沒有機械應力。圖2.保偏光纖的結構橢圓包層型、領結型和熊貓型是三種應用較為廣泛的三類保偏光纖,都屬于應力型保偏光纖。您可以通過我們昊量光電的官方網站www.champaign.com.cn了解更多的產品信息,或直接來電咨詢4006-888-532,我們將竭誠為您服務。 ...
光所感受到的折射率為尋常光折射率,稱為o光(ordinary ray、尋常光),另一束光的偏振方向平行于光軸則稱為e光(extraordinary ray、非尋常光),這兩束光都是偏振光,當尋常光折射率小于非尋常光折射率時稱之正單光軸材料,反之稱負單光軸材料。光線從一個特殊的角度射入晶體時不會發生雙折射現象,這一角度稱為晶體的光軸。應力是一個張量,可以通過給出沿三個主軸的分量以及這些軸在對象中每個點處相對于對象的方向來指定。在任何表面上,其中一個主軸垂直于表面,主應力分量為零。對于均勻鋼化,表面平面內的兩個主應力相等且受壓,垂直于表面方向的應力在整個玻璃厚度范圍內為零。在鋼化板中,沿給定方向的 ...
入光測介質的折射率,與基于幾何光學,可以輸入近系統的光線相對于光軸的最大角度的正弦值的乘積(based on ray optics):最大入射角,是指光要可以通過整個光學系統,而不僅僅是通過一個入射孔。透鏡的數值孔徑一個簡單的例子是凸透鏡:圖 1:準直透鏡理論上可以接受來圓錐形光,圓錐的開口角度受透鏡尺寸的限制。邊界光線受到鏡片尺寸的限制,或者在某些情況下,如果有一個不透明的面區,則可能會更少。通常不建議使用鏡頭的整個區域,因為可能存在大量球差。然而,數值孔徑是一個完全幾何的量度,并不考慮這些方面。在上面的示例中,鏡頭的數值孔徑由其直徑和焦距決定。但是請注意,鏡頭可能不是為匯聚光而設計的,而是 ...
主振蕩器通過折射率導引機制提供單模、小功率的種子光注入,后者錐形放大器通過增益導引機制對單模種子光注入進行放大,而不會產生高階模激射,達到高功率、高光束質量的目的。錐形放大器的前端面尺寸較小,為了使注入激光更好地耦合進放大器中,在進入錐形放大器前需要通過一個非球面透鏡,起到聚焦作用,使注入激光和放大器中的激光模式達到較好的匹配。而輸出的放大激光也需要通過另一個非球面透鏡,起到準直的作用。兩塊非球面透鏡被固定在放大器模塊的撓曲支架上,控制橫向位置,提供精確的鏡頭對準與機械穩定性。此外, 錐形放大器提供了高功率和良好的空間模式,當被注入單模外腔半導體激光器(ECDL)時,可以保留注入種子光的窄線寬 ...
正比于樣品的折射率以及厚度的。當所有被觀測的物體都是接近于圓形的時候,可以通過區分他們之間的折射率來辨別物體。為了能夠區分溶酶體的相對折射率,使用一種特殊的熒光成像方法,只對溶酶體進行染色,改變其折射率。通過下圖分析可以得到,溶酶體的折射率相對于其他囊泡是有區別的。您可以通過我們昊量光電的官方網站www.champaign.com.cn了解更多的產品信息,或直接來電咨詢4006-888-532,我們將竭誠為您服務。 ...
組織內。由于折射率不均勻引起的隨機光散射,單細胞分辨率的功能成像探測深度通常在1 毫米的量級。即使對于厘米級的小鼠大腦,這種穿透深度也將大腦區域的光學成像限制在了淺表層,因此除非采用侵入式手段,否則大部分大腦仍然無法進行高分辨率光學成像。盡管功能磁共振成像和基于超聲的方法等宏觀和介觀成像模式可以對深層大腦結構進行成像,但它們缺乏對理解神經回路至關重要的單細胞分辨率和靈敏度。因此,目前選擇在腦部插入微型光學探頭的方式實現細胞級分辨率深層腦成像。目前已經開發了幾種侵入式技術用于深層腦結構光學成像,例如上覆腦組織的切除、微型棱鏡植入、微型梯度折射率 (GRIN) 透鏡探頭及其組合。為了觀察非常深的大 ...
方面。在階躍折射率光纖中,可以根據輸入光線定義數值孔徑,其中在纖芯-包層界面處可能發生全內反射的最大角度:入射光線首先被折射,然后在纖芯-包層界面發生全內反射。 然而,這只有在入射角不太大的情況下才有效。光纖的數值孔徑 (NA) 是允許的入射光線相對于光纖軸的最大角度的正弦值。它可以通過纖芯和包層之間的折射率差來計算,更準確地說,具有以下關系:請注意,NA 與光纖周圍介質的折射率無關。例如,對于折射率較高的輸入介質,最大輸入角度會更小,但數值孔徑保持不變。上面給出的等式僅適用于直纖維。對于彎曲光纖,可以使用一個近似修正方程,其中還包含彎曲半徑 R 和纖芯半徑:對于不具有階躍折射率分布的光纖或其 ...
.1NA階變折射率光纖上,連接到高分辨率、高通量的單級光譜儀成像光譜儀。它配備了1200線/毫米光柵和1340x400成像陣列,20 × 20 μm像素大小和98%的峰值量子效率,以確保最大的信號采集和1.25波數分辨率;適合5-200波數頻率范圍的分析。下圖4為上述系統測得的低波數拉曼光譜。圖4您可以通過我們昊量光電的官方網站www.champaign.com.cn了解更多的產品信息,或直接來電咨詢4006-888-532,我們將竭誠為您服務。 ...
性電光效應是折射率的變化,它與外加電場的大小成正比。1 外加電場對折射率的影響,可以通過任意偏振的光束觀察到晶體中的方向,由三階張量描述。忽略物理量的矢量性質,外部電場對晶體折射率的影響具有以下形式其中 是折射率的變化,no 是未受擾動的折射率,r 是電光張量中的適當元素,E 是施加的電場。 即使在少數具有大電光系數的晶體中,這種影響也很小。 例如,對鈮酸鋰晶體施加 106 V/m 的電場將產生大約 0.01% 的分數指數變化。 很少看到分數指數變化大于 1%。體調制器使用鈮酸鋰、LiNbO3 和 KTP 制造電光幅度和相位調制器,這兩種晶體具有高電光系數和良好的光學和電學性能。這些晶體生長 ...
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