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激發態，再以輻射躍遷的方式發出熒光回到基態。激發停止之后，分子激發出的熒光強度降到激發最大強度時的1/e所需的時間被稱為熒光壽命，它表示粒子在激發態存在的平均時間，一般被稱為激發態的熒光壽命。熒光壽命僅僅與熒光物質自身的結構和其所處的微環境的極性和粘度等條件有關，而與激發光強度、熒光團濃度無關，因此通常來說是絕對的。通過測定熒光壽命，我們可以直接了解所研究的體系所發生的變化，了解體系中許多復雜的分子間作用過程。時間相關單光子計數法（TCSPC）是目前測量熒光壽命的主要技術，其工作原理如下圖所示：使用一個窄脈沖激光激發樣品，然后檢測樣品發出的第一個熒光光子到達光信號接收器的時間。由時幅轉化器（t ...
，很快即以無輻射躍遷的形式衰減到亞穩態能級E2 上。由于Er3+ 在能級E2 上壽命較長，在其上的粒子數聚集越來越多，從而在能級E2和E1之間形成粒子數的反轉分布。這樣，當具有1550 nm波長的光信號λEr通過這段摻鉺光纖時，處于亞穩態能級的粒子即以受激輻射的形式躍遷到基態，并產生和入射光信號光（1550 nm）完全一樣的光子，從而大大增加了信號光中的光子數量，也即實現了信號光在摻鉺光纖中輸出時不斷被放大的功能。因此，利用摻鉺光纖即可制成摻鉺光纖放大器EDFA。摻鉺光纖纖芯中鉺的摻雜濃度取決于光纖放大器的設計要求，通常摻雜濃度在100-1000×10-6 ，且集中在3-6 um的纖芯中。結語 ...
發態上，再以輻射躍遷的形式發出熒光并回到基態。將激發光關閉后，分子的熒光強度也將隨時間逐漸下降。假定一個無限窄的脈沖光（δ函數）激發n0個熒光分子到其激發態，處于激發態的分子將通過輻射或非輻射躍遷返回基態。假定兩種衰減躍遷速率分別為Γ和Knr，則激發態衰減速率可表示為：其中n(t)表示時間ｔ時激發態分子的數目，由此可得到激發態物種的單指數衰減方程：上式中衰減總速率的倒數τ＝(Γ＋Knr)-1即為熒光壽命。熒光強度正比于衰減的激發態分子數，因此可將上式改寫為:該式中，I0即為分子受激發時的zui大光強。我們將該熒光強度下降至激發時的熒光zui大強度I0的1/e（約37％）所需要的時間，稱為熒光壽 ...
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