集熒光成像、電致發光、光致發光、透射率、反射率成像等諸多功能于一體。參考文獻：[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indium dis ...

致發光PL和電致發光EL光譜成像進行了探究[1]。實驗采用了高光譜成像設備（IMATM），該設備擁有2nm的光譜分辨率和亞微米的空間分辨率。電致發光實驗采用Vapp = 0.95 V 的源表。PL采用波長為532nm的連續激光。在顯微鏡下的整個視場被激發，并同時收集來自一百萬個點的PL信號。 圖1，（a）和（b）展示了CIGS微型CIGS太陽能電池的PL和EL圖譜，利用他們的光譜信息和絕對校準與廣義普朗克定律相結合，IRDEP的研究人員提取了樣品的準費米能級分裂成像圖見圖（c）和（d）該參數與太陽能電池的最大電壓直接相關。借助太陽能電池和LED間的倒易關系，可從EL成像圖譜中推算出外量子效率 ...

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.1 eV，電致發光波長短至2.5 μm。QCL還可以在傳統上認為光學性能較差的材料上進行激光運行。間接帶隙材料如硅在不同動量值下具有小的電子和空穴能量。對于帶間光躍遷，載流子通過一個緩慢的中間散射過程改變動量，顯著降低光發射強度。然而，子帶間的光躍遷不依賴于導帶和價帶小值的相對動量，因此對Si/SiGe量子級聯發射體提出了理論建議。在中紅外和遠紅外波段，觀察到非極性SiGe異質結構在價帶和導帶的子帶間電致發光。對量子級聯增益材料進行處理以制備有用的發光器件的D1步是將增益介質限制在光波導中。這使得將發射的光引導成準直光束成為可能，并允許建立一個激光諧振器，這樣光可以耦合回增益介質。電介質材料 ...

離孔QCL的電致發光和激光發射光譜。(b) EL和DFB光譜，以及寬帶QCL的DFB閾值電流密度設計了一個含6個優化子核的非均相QCL活性區，其輻射范圍為6 ~ 10 μm。所有子核心均基于相似的復合井方案。首次嘗試得到5.9 ~10 μm的單模DFB發射(圖5(b))。雖然在子峰之間增益不足，但可以通過改變子核的發射級數、相對排列方式和發射波長來解決，從而實現扁平增益。5. 波長靈活量子級聯激光器量子級聯激光器是光譜學研究的有力工具。廣泛的光譜覆蓋，結合窄線寬輸出和高功率使廣泛的應用，包括光聲和對峙光譜。然而，傳統的窄線寬QCL的調諧范圍只有~5 cm?1，這通常限制了對單一類型分子的檢測。 ...

通過直接比較電致發光在頂發射(電子自旋極化方向垂直于量子阱)和邊發射(電子自旋極化方向在平面上)的圓極化，驗證了這一效應。適用于10 nm和15 nm寬的量子阱在邊緣發射幾何結構中沒有發現明顯的圓極化，盡管在頂部發射中測量到了強烈的信號。然而，對于寬(體狀)量子阱(d≥50 nm)，在邊緣發射中甚至可以檢測到圓極化，這表明與窄量子阱相比，由于量子約束減弱，重空穴自旋獲得了面內分量因此，對于寬GaAs/(Al,Ga)As-QW系統，光學選擇規則應該仍然允許邊緣發射中的磁光效應，但與大塊GaAs相比效率降低。如果使用限制在GaAs/(Al,Ga)As界面的二維電子氣體，情況就會發生變化，就像本實驗 ...

件光致發光和電致發光成像瓦倫西亞大學的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國光伏能源研究與發展研究所）的研究人員合作，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機-無機甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽能電池的性能。用IMA獲得的發光高光譜數據有助于識別此類器件中的嚴重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問題有關，導致細胞的填充因子有限。圖1根據在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計算的當前傳輸效率fT圖。對于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽能電池，在微尺度（頂部）和 ...

過p-n結的電致發光。一般來說，發光二極管工作時就是一個普通的半導體二極管：應用前導偏置產生一個流過p-n結的電流。外電場使電子-空穴對進入勢壘區的節點界面，在這里發生復合。復合可以是一個自發的輻射過程，也可以是晶體材料以振蕩形式將能量釋放到晶格的非輻射過程(成為聲子)。這個產生額外載體和隨后注入載體的重新組合稱為注入式電致發光。發光二極管發射的幾乎都是單色非相干光。發射光子的能量和發光二極管輻射光的波長取決于半導體材料形成p-n結的帶隙能。發射光子的能量近似由下列表達式決定：式中，h為普朗克常量；v為輻射光頻率；Eg為帶隙能，即半導體器件導帶和價帶的能量差。電子和空穴的平均動能由波爾茲曼分布 ...

K下臺面的電致發光值作為每級電壓的函數。如果有必要，可以用對原始數據擬合多個洛倫茲峰來確定EL的峰波數激光從閾值到功率翻轉點的光譜如圖所示。為了確定激光光譜的調諧趨勢，我們在峰值強度的10%高度測量了兩側的波數，并提取了激光波數的中點值，該方法的有效性將在后面討論。圖3顯示了EL峰值和激光波數，它們是每級電壓的函數。EL的調諧速率為700 cm?1 /V，與自一致Schr?dinger-Poisson求解器的計算結果吻合良好，如圖3所示。激光光譜在閾值以下可調諧，在閾值處可調諧性降低。可調性恢復20%以上的閾值電流密度。閾值以上激光光譜的調諧速率甚至高于EL，約為900 cm?1 /V。激光 ...

為與QCL的電致發光和激光波長共振(4.72 lm)，如圖1(b)所示。泵浦脈沖是剩余的OPA信號(1.38 lm)或空閑脈沖(1.95 lm)，光子能量分別高于和低于InGaAs qw的帶隙(1.60 lm)。為了在室溫下進行時間分辨測量并減少QCL的加熱，我們在250 kHz下對QCL (100 ns電脈沖寬度)進行脈沖偏置OPA和DFG的重復頻率，由1 ns中紅外探測器同步。與文獻11在低溫下對連續波偏置QCL進行簡并泵浦-探針測量不同的是，我們將QCL脈沖偏置剛好低于激光閾值，以z小化強激光QCL對探針傳輸的擾動。雖然損耗略大于增益，但實現了上下激光態之間的電子居數反轉，注入器基態能級 ...