集熒光成像、電致發(fā)光、光致發(fā)光、透射率、反射率成像等諸多功能于一體。參考文獻(xiàn)：[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indium dis ...

致發(fā)光PL和電致發(fā)光EL光譜成像進(jìn)行了探究[1]。實(shí)驗(yàn)采用了高光譜成像設(shè)備（IMATM），該設(shè)備擁有2nm的光譜分辨率和亞微米的空間分辨率。電致發(fā)光實(shí)驗(yàn)采用Vapp = 0.95 V 的源表。PL采用波長(zhǎng)為532nm的連續(xù)激光。在顯微鏡下的整個(gè)視場(chǎng)被激發(fā)，并同時(shí)收集來(lái)自一百萬(wàn)個(gè)點(diǎn)的PL信號(hào)。 圖1，（a）和（b）展示了CIGS微型CIGS太陽(yáng)能電池的PL和EL圖譜，利用他們的光譜信息和絕對(duì)校準(zhǔn)與廣義普朗克定律相結(jié)合，IRDEP的研究人員提取了樣品的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂成像圖見(jiàn)圖（c）和（d）該參數(shù)與太陽(yáng)能電池的最大電壓直接相關(guān)。借助太陽(yáng)能電池和LED間的倒易關(guān)系，可從EL成像圖譜中推算出外量子效率 ...

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.1 eV，電致發(fā)光波長(zhǎng)短至2.5 μm。QCL還可以在傳統(tǒng)上認(rèn)為光學(xué)性能較差的材料上進(jìn)行激光運(yùn)行。間接帶隙材料如硅在不同動(dòng)量值下具有小的電子和空穴能量。對(duì)于帶間光躍遷，載流子通過(guò)一個(gè)緩慢的中間散射過(guò)程改變動(dòng)量，顯著降低光發(fā)射強(qiáng)度。然而，子帶間的光躍遷不依賴(lài)于導(dǎo)帶和價(jià)帶小值的相對(duì)動(dòng)量，因此對(duì)Si/SiGe量子級(jí)聯(lián)發(fā)射體提出了理論建議。在中紅外和遠(yuǎn)紅外波段，觀察到非極性SiGe異質(zhì)結(jié)構(gòu)在價(jià)帶和導(dǎo)帶的子帶間電致發(fā)光。對(duì)量子級(jí)聯(lián)增益材料進(jìn)行處理以制備有用的發(fā)光器件的D1步是將增益介質(zhì)限制在光波導(dǎo)中。這使得將發(fā)射的光引導(dǎo)成準(zhǔn)直光束成為可能，并允許建立一個(gè)激光諧振器，這樣光可以耦合回增益介質(zhì)。電介質(zhì)材料 ...

離孔QCL的電致發(fā)光和激光發(fā)射光譜。(b) EL和DFB光譜，以及寬帶QCL的DFB閾值電流密度設(shè)計(jì)了一個(gè)含6個(gè)優(yōu)化子核的非均相QCL活性區(qū)，其輻射范圍為6 ~ 10 μm。所有子核心均基于相似的復(fù)合井方案。首次嘗試得到5.9 ~10 μm的單模DFB發(fā)射(圖5(b))。雖然在子峰之間增益不足，但可以通過(guò)改變子核的發(fā)射級(jí)數(shù)、相對(duì)排列方式和發(fā)射波長(zhǎng)來(lái)解決，從而實(shí)現(xiàn)扁平增益。5. 波長(zhǎng)靈活量子級(jí)聯(lián)激光器量子級(jí)聯(lián)激光器是光譜學(xué)研究的有力工具。廣泛的光譜覆蓋，結(jié)合窄線寬輸出和高功率使廣泛的應(yīng)用，包括光聲和對(duì)峙光譜。然而，傳統(tǒng)的窄線寬QCL的調(diào)諧范圍只有~5 cm?1，這通常限制了對(duì)單一類(lèi)型分子的檢測(cè)。 ...

通過(guò)直接比較電致發(fā)光在頂發(fā)射(電子自旋極化方向垂直于量子阱)和邊發(fā)射(電子自旋極化方向在平面上)的圓極化，驗(yàn)證了這一效應(yīng)。適用于10 nm和15 nm寬的量子阱在邊緣發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)中沒(méi)有發(fā)現(xiàn)明顯的圓極化，盡管在頂部發(fā)射中測(cè)量到了強(qiáng)烈的信號(hào)。然而，對(duì)于寬(體狀)量子阱(d≥50 nm)，在邊緣發(fā)射中甚至可以檢測(cè)到圓極化，這表明與窄量子阱相比，由于量子約束減弱，重空穴自旋獲得了面內(nèi)分量因此，對(duì)于寬GaAs/(Al,Ga)As-QW系統(tǒng)，光學(xué)選擇規(guī)則應(yīng)該仍然允許邊緣發(fā)射中的磁光效應(yīng)，但與大塊GaAs相比效率降低。如果使用限制在GaAs/(Al,Ga)As界面的二維電子氣體，情況就會(huì)發(fā)生變化，就像本實(shí)驗(yàn) ...

件光致發(fā)光和電致發(fā)光成像瓦倫西亞大學(xué)的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國(guó)光伏能源研究與發(fā)展研究所）的研究人員合作，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機(jī)-無(wú)機(jī)甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽(yáng)能電池的性能。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識(shí)別此類(lèi)器件中的嚴(yán)重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問(wèn)題有關(guān)，導(dǎo)致細(xì)胞的填充因子有限。圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計(jì)算的當(dāng)前傳輸效率fT圖。對(duì)于使用PCBM（a，c，器件A）或C60（b，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，在微尺度（頂部）和 ...

過(guò)p-n結(jié)的電致發(fā)光。一般來(lái)說(shuō)，發(fā)光二極管工作時(shí)就是一個(gè)普通的半導(dǎo)體二極管：應(yīng)用前導(dǎo)偏置產(chǎn)生一個(gè)流過(guò)p-n結(jié)的電流。外電場(chǎng)使電子-空穴對(duì)進(jìn)入勢(shì)壘區(qū)的節(jié)點(diǎn)界面，在這里發(fā)生復(fù)合。復(fù)合可以是一個(gè)自發(fā)的輻射過(guò)程，也可以是晶體材料以振蕩形式將能量釋放到晶格的非輻射過(guò)程(成為聲子)。這個(gè)產(chǎn)生額外載體和隨后注入載體的重新組合稱(chēng)為注入式電致發(fā)光。發(fā)光二極管發(fā)射的幾乎都是單色非相干光。發(fā)射光子的能量和發(fā)光二極管輻射光的波長(zhǎng)取決于半導(dǎo)體材料形成p-n結(jié)的帶隙能。發(fā)射光子的能量近似由下列表達(dá)式?jīng)Q定：式中，h為普朗克常量；v為輻射光頻率；Eg為帶隙能，即半導(dǎo)體器件導(dǎo)帶和價(jià)帶的能量差。電子和空穴的平均動(dòng)能由波爾茲曼分布 ...

K下臺(tái)面的電致發(fā)光值作為每級(jí)電壓的函數(shù)。如果有必要，可以用對(duì)原始數(shù)據(jù)擬合多個(gè)洛倫茲峰來(lái)確定EL的峰波數(shù)激光從閾值到功率翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的光譜如圖所示。為了確定激光光譜的調(diào)諧趨勢(shì)，我們?cè)诜逯祻?qiáng)度的10%高度測(cè)量了兩側(cè)的波數(shù)，并提取了激光波數(shù)的中點(diǎn)值，該方法的有效性將在后面討論。圖3顯示了EL峰值和激光波數(shù)，它們是每級(jí)電壓的函數(shù)。EL的調(diào)諧速率為700 cm?1 /V，與自一致Schr?dinger-Poisson求解器的計(jì)算結(jié)果吻合良好，如圖3所示。激光光譜在閾值以下可調(diào)諧，在閾值處可調(diào)諧性降低。可調(diào)性恢復(fù)20%以上的閾值電流密度。閾值以上激光光譜的調(diào)諧速率甚至高于EL，約為900 cm?1 /V。激光 ...

為與QCL的電致發(fā)光和激光波長(zhǎng)共振(4.72 lm)，如圖1(b)所示。泵浦脈沖是剩余的OPA信號(hào)(1.38 lm)或空閑脈沖(1.95 lm)，光子能量分別高于和低于InGaAs qw的帶隙(1.60 lm)。為了在室溫下進(jìn)行時(shí)間分辨測(cè)量并減少Q(mào)CL的加熱，我們?cè)?50 kHz下對(duì)QCL (100 ns電脈沖寬度)進(jìn)行脈沖偏置OPA和DFG的重復(fù)頻率，由1 ns中紅外探測(cè)器同步。與文獻(xiàn)11在低溫下對(duì)連續(xù)波偏置QCL進(jìn)行簡(jiǎn)并泵浦-探針測(cè)量不同的是，我們將QCL脈沖偏置剛好低于激光閾值，以z小化強(qiáng)激光QCL對(duì)探針傳輸?shù)臄_動(dòng)。雖然損耗略大于增益，但實(shí)現(xiàn)了上下激光態(tài)之間的電子居數(shù)反轉(zhuǎn)，注入器基態(tài)能級(jí) ...