礦薄膜的穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光光譜結(jié)果，顯然，基于單晶工程技術(shù)制備的鈣鈦礦薄膜的PL強度要高得多，這是因為鈣鈦礦薄膜內(nèi)陷阱和缺陷的減少而抑制了載流子的復(fù)合，說明基于單晶工程技術(shù)制備的鈣鈦礦具有更好的性能。與傳統(tǒng)的基于溶液混合法制備的鈣鈦礦相比，它具有更高的質(zhì)量，更高的結(jié)晶度和更少的缺陷。為了進一步探索影響鈣鈦礦穩(wěn)定性的因素，分別測試了兩種不同方法制備的鈣鈦礦的熒光壽命（時間分辨光致發(fā)光TRPL），基于混合陽離子單晶工程技術(shù)的和基于常規(guī)溶液混合法的（MA1-xFAxPbI3）1.0（CsPbBr3）0.05（x = 0.8）鈣鈦礦薄膜的壽命分別為44.15ns和32.39 ns。 這表明單晶工程技術(shù)制備的 ...

上轉(zhuǎn)換發(fā)光是一種違背了Stokes定律的發(fā)光現(xiàn)象，因為在上轉(zhuǎn)換發(fā)光過程中，物質(zhì)分子或原子吸收的光子能量低于發(fā)射的光子能量，即將紅外光轉(zhuǎn)化為可見光或?qū)⒖梢姽廪D(zhuǎn)化為紫外光（如上圖所示）。關(guān)于上轉(zhuǎn)換過程發(fā)光機制目前有以下三種：a 激發(fā)態(tài)吸收ESA激發(fā)態(tài)吸收是指同一個粒子從基態(tài)通過連續(xù)多光子吸收到達能量較高的激發(fā)態(tài)。首先,發(fā)光中心處于基態(tài)G上的離子吸收一個能量為φ1的光子，躍遷至中間亞穩(wěn)態(tài)E1能級,若光子的振動能量恰好與E1能級及更高激發(fā)態(tài)能級E2的能量間隔匹配,那么E1能級上的該離子通過吸收光子能量而躍遷至E2能級，從而形成雙光子吸收,只要高能級上粒子數(shù)量夠多,形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn),那么就可以實現(xiàn)較高頻率 ...

CIGS是一種多晶材料，典型的晶粒尺寸約為1um。研究表明，其光電參數(shù)（如帶隙和擴散長度）的標準偏差大，不穩(wěn)定，這個因素可能會影響電池的整體參數(shù)，例如效率，開路電壓和短路電流。為了更好地了解光伏電池的工作機制，需要在微米尺度下研究其性質(zhì)。Photon公司與法國光伏能源研究所合作開發(fā)了用于光伏應(yīng)用的高光譜成像儀，使用體布拉格光柵檢測電池的整個表面，激發(fā)強度約為100個太陽輻射，光譜分辨率為2nm.研究的樣品是CIGS基的微型太陽能電池，這些電池為圓形，直徑范圍為20um至150um。如上圖，利用高光譜設(shè)備探究了CIGS太陽能電池的PL成像圖，采集時間45min,并通過定量校準，結(jié)合廣義普朗克定律 ...

L（時間分辨光致發(fā)光）的測試分析通過XperRF系列（Nanobase co.，Ltd.，South Korea），采用單光子計數(shù)（TCSPC）法。通過TRPL來進一步研究比較了TiO2-PAN和P25-PAN兩種催化劑的光學(xué)性能。如圖1所示，TiO2-PAN和P25-PAN的衰變曲線用雙指數(shù)函數(shù)進行了很好的擬合，據(jù)此來計算他們的壽命。結(jié)果表明，TiO2-PAN相比于P25-PAN表現(xiàn)出更長的載流子壽命，分別為TiO2-PAN（2.075ns）和P25-PAN（1.275ns），進一步證明了TiO2-PAN的高效電荷分離。TiO2-PAN良好的光學(xué)特性是由于其粒徑較小、結(jié)晶率較低，這有利于配體 ...

池。時間分辨光致發(fā)光譜（TRPL）使用（XperRam Ultimate）的激光系統(tǒng)，激發(fā)光源為405nm進行測量分析。如圖1（a）所示為ITO/PEN and ETL/ITO/PEN結(jié)構(gòu)的光透射性能，表明在ITO/PEN基地上三種ETLs都有具有增透性能，由于具有高的結(jié)晶度和優(yōu)異的薄膜質(zhì)量，T2 ETL過程具有最高的透射性能，這有利于鈣鈦礦層的光吸收。PSCs的能級圖如圖1（b）所示，與T1和T3相比，T2的低的CBM通過增強驅(qū)動力有利于鈣鈦礦電子層的電子注入，這有利于提高載流子的萃取率。通過ITO/ETL/PVK結(jié)構(gòu)的時間分辨光致發(fā)光譜來體現(xiàn)從鈣鈦礦層到TiO2薄膜層的電子注入行為。為了做 ...

有機熒光團的光致發(fā)光過程僅持續(xù)幾百皮秒到幾十納秒；另外不僅要獲取熒光壽命，還要還原熒光衰減曲線形狀，通常為了解決多指數(shù)衰減，必須能夠在時間上將記錄的信號解析到這樣的程度：由幾十個樣品進行衰減。使用普通的電子瞬態(tài)記錄儀很難達到所需的時間分辨率。 另外如果發(fā)射的光太弱則無法產(chǎn)生代表光通量的模擬電壓。 實際上光信號可能只有每個激發(fā)/發(fā)射周期的幾個光子。 然后信號本身的離散特性導(dǎo)致無法進行模擬采樣。 即使可以通過增加激發(fā)功率來獲得更多熒光，也會存在限制，例如，由于收集光學(xué)損耗、檢測器靈敏度的光譜限制或在更高激發(fā)功率下的光漂白。Z終，當觀察到的樣品僅由幾個甚至單個分子組成時，就會出現(xiàn)問題。使用時間相關(guān)單 ...

Vis) 和光致發(fā)光 (PL) 光譜。圖 1b 和 c 中的 MoS2 納米片是通過 CVD 方法合成的，用于PL信號的比較分析。正如圖1（b）所示，MoS2納米片的光譜在460，610，670處有特征峰，分別用A，B，C表示。A 和 B 峰對應(yīng)于價帶頂部布里淵區(qū)K點的自旋軌道分裂引起的激子躍遷。C 與來自 d 軌道的帶間躍遷有關(guān)。隨著將塊狀 MoS2 轉(zhuǎn)化為量子點時發(fā)生的維度變化，MoS2 納米片的激子峰消失，并出現(xiàn)了新的吸收特征。由于量子尺寸效應(yīng)，在 MoS2量子點中觀察到吸收峰藍移。此外，在 MoS2 QD 的 PL 光譜中，不存在 A 和 B 激子峰，并且在相對于原始 MoS2 的 P ...

的陷阱密度和光致發(fā)光（PL）衰減曲線，以確定受體材料的暗電流抑制和快速光響應(yīng)效應(yīng)。圖1 a) 包含阻擋層的有機半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖。插圖：由電子受體材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）組成的感光層的納米結(jié)構(gòu)填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結(jié)構(gòu)。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關(guān)閉 LED 來評估有機半導(dǎo)體器件的響應(yīng)時間。如圖2所示，富勒烯受體有機半導(dǎo)體表現(xiàn)出 6.24 μs 的上升時間和 10.8 μs 的下降時間。由于OPD器件的響應(yīng)時間受內(nèi)部電容和電荷傳輸時間的影響，推測 PC71BM 具有較高的內(nèi)部電容和較大的陷阱位點 ...

常見的拉曼信號增強方法拉曼散射依賴于聲子對光的非彈性散射，其效率非常低(通常每約105-107個光子中就會產(chǎn)生一個拉曼散射光子)，導(dǎo)致拉曼散射截面為10?26-10?31cm2。如果被探測材料的可用散射體積非常小，就像二維半導(dǎo)體的情況(散射體積等于激光光斑面積乘以μ2范圍內(nèi)的面積乘以二維材料的亞納米厚度)，這是特別關(guān)鍵的。因此，測量激光功率密度保持在損傷閾值以下通常需要很長的采集時間，以獲得足夠好的信噪比。關(guān)于第②個限制，傳統(tǒng)光學(xué)測量中的SR是由光學(xué)衍射極限(使用高數(shù)值孔徑物鏡的激發(fā)波長的大約一半)決定的。因此，在現(xiàn)代微拉曼裝置中，當使用可見范圍內(nèi)的較短激發(fā)波長時，可以實現(xiàn)的較小探測尺寸約為2 ...

與快速拉曼和光致發(fā)光成像技術(shù)聯(lián)用，該項技術(shù)將給科研工作者更便捷的手段進行與量子計算機等新興技術(shù)密切相關(guān)的單光子源研究。單光子源具有獨特的量子力學(xué)特性，其在量子技術(shù)和信息科學(xué)中得到了廣泛的應(yīng)用，包括量子計算機開發(fā)和密碼學(xué)技術(shù)研究等等。常見的單光子源有金剛石中的氮空位（NV）色心、單個熒光分子、碳納米管和量子點等。反聚束實驗則是鑒別單光子源的重要表征方法。知識拓展”NV（Nitrogen-Vacancy）色心是金剛石中的一種點缺陷。金剛石晶格中一個碳原子缺失形成空位，近鄰的位置有一個氮原子，這樣就形成了一個NV色心。反聚束效應(yīng)是一種量子力學(xué)效應(yīng)，它揭示了光的類粒子行為。它是由于單光子源一次只能發(fā)射 ...