高光譜光致發(fā)光成像用于鈣鈦礦太陽能電池電學參數(shù)的空間分辨測定有機–無機金屬鹵化物鈣鈦礦（MHPs）是用于低成本和高效率太陽能電池的有前途的光吸收材料。鈣鈦礦太陽能電池 （PSC） 具有出色的光電特性，例如電荷載流子壽命長、擴散長度長、光吸收強 （104–105cm-1）、寬光譜范圍 （1.2–3.0eV） 的帶隙可調諧性、極低的缺陷密度和高缺陷容限、低電壓損耗以及光子回收，使它們對光伏應用具有吸引力。近年來，實驗室規(guī)模的PSCs經歷了功率轉換效率的巨大提升，達到25%以上，這在晶體硅基太陽能電池效率的范圍內。然而，由于工藝的可轉移性和鈣鈦礦薄膜質量的下降，PSC的效率正在從實驗室規(guī)模下降到大規(guī) ...

。通過高光譜光致發(fā)光成像分析損傷。Photon公司的高光譜平臺（IMA）由光學顯微鏡與CW532 nm 激光器和基于體積布拉格光柵的高光譜濾光片組成。該套系統(tǒng)在400nm至1000nm范圍內具有靈敏度，并提供高光譜（<2nm）和空間分辨率（~μm）。CIGS的典型PL研究是在局部激發(fā)下進行的，這導致電荷向較暗的區(qū)域擴散。全局照明產生的等電位減少了這種影響，并允許在更接近太陽能電池的實際工作模式下進行測量。圖1顯示了從高光譜數(shù)據(jù)中提取的P1和P2譜線周圍的PL曲線。PL圖顯示了P1線的邊緣附近的發(fā)射淬滅。進一步的研究表明，這種效應導致PL強度降低了約30%，而不是由于成分變化。這一觀察結果 ...

法是穩(wěn)態(tài)偏振光致發(fā)光(PL)測量。通常，這是通過使用連續(xù)波(cw)來實現(xiàn)的，平面內圓偏振光源具有接近帶隙能量分離的光子能量。這將在半導體中產生凈非平衡自旋取向具有適當?shù)淖孕窆鈱W躍遷的系統(tǒng)。當系統(tǒng)松弛時，會有一個優(yōu)先的自旋方向，這將表現(xiàn)為PL中兩個圓螺旋度(I+(?))之間的強度差。通過計算圓極化度，可以直接讀出自旋極化，P = (I+?I?)/(I+ + I?)。描述半導體P的穩(wěn)態(tài)速率方程為：式中P0為激發(fā)時圓偏振度。τr和τs分別為復合壽命和自旋壽命。這種極化可以在磁場中進一步研究。事實上，對于相對于樣品施加的面外場，塞曼效應將分裂自旋水平。這導致讀出偏振不平衡，即使是線偏振光，這一結果 ...

低溫真空)的光致發(fā)光衰減，作為這種衰減發(fā)生速度的一個例子。在環(huán)境條件下，硒的排放衰減迅速，而在其他兩種環(huán)境條件下，其降解速度要慢得多。InSe的表面敏感性促使人們采取措施降低氧化速率，從而穩(wěn)定薄樣品的光學性質。圖1.左圖顯示了在532 nm, 1 mW激發(fā)光源下，低層InSe的光致發(fā)光隨時間的衰減。藍色是在空氣中，綠色是在真空中，紅色是在10k的真空中。右圖說明了在光照下導致InSe快速降解的三種化學過程:(I)氧化，(II)解離和(III)與水的相互作用。為了保護薄層銦不被降解，常用的技術是干封裝。該方法采用二維材料，如六邊形玻恩氮化物(hBN)或Gr作為頂層和底層，防止空氣和水分進入。西北 ...

譜和空間分辨光致發(fā)光（PL）圖像。他們利用532nm激光器通過顯微鏡物鏡實現(xiàn)了整個視場的均勻照明，從而使得能夠同時收集來自多個點的PL信號。這種整體照明方法有效地減輕了與側向載流子擴散相關的挑戰(zhàn)，并且避免了樣品粗糙度引起的偽像問題，這些問題在逐點成像方法中經常遇到。此外，根據(jù)物鏡的放大倍數(shù)，記錄的圖像可以跨越幾平方毫米，從而便于全面分析。這里呈現(xiàn)的mapping是在激光zui大激發(fā)功率下記錄的。而在較弱激勵水平下發(fā)現(xiàn)的映射顯示出均勻的空間行為(未示出)，我們在這里觀察到輕微的空間變化。在接觸點和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值，在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值。zui大 ...

特性[1]。光致發(fā)光（PL）或電致發(fā)光（EL）的強度映射為評估非輻射損耗和材料效率提供了一種迅速的方法。Photon etc.公司的IMA和GRAND-EOS高光譜顯微鏡提供了光譜和空間分辨的PL和EL圖，覆蓋了從幾百平方微米到幾平方厘米的不同視場。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場上顯示硅器件的EL圖像，捕捉到器件上的微小不均勻性，如圖1、圖2所示。這些不均勻性可能會影響器件的性能和效率，因此通過這些圖像進行分析和評估對于改進太陽能電池的設計和制造至關重要。利用這些技術，研究人員和工程師可以迅速識別并解決潛在的問題，以確保生產出高效且可靠的太陽能電池。圖1、1040 nm的高光譜數(shù)據(jù)中提 ...

激發(fā)，光學和光致發(fā)光（PL）圖像使用基于硅的電荷耦合器件（Si CCD）相機獲取。布拉格光柵技術設用于全局成像，允許在顯微鏡下逐波長獲取整個視野內的信號。傳統(tǒng)的熒光（PL）成像設置基于逐點或線掃描技術，需要重構圖像。使用這些成像技術時，僅照亮樣品的一小部分（使用共聚焦逐點設置時約為1μm2），周圍區(qū)域保持黑暗，導致載流子向這些區(qū)域橫向擴散。全局照明避免了由于局部照明引起的載流子復合。使用全局成像時生成的等勢體防止了電荷向更暗區(qū)域擴散。用于全局成像模式的均勻照明使得在現(xiàn)實條件下進行PL實驗成為可能，z低可達一個相當于太陽功率密度。預計儀器激發(fā)強度波動可達13%。激發(fā)輻照度的變化將帶來PL發(fā)射的比 ...

出了由光學和光致發(fā)光顯微圖像繪制的區(qū)域。(e,f)通過從PL失活區(qū)域減去CIGS去除區(qū)域觀察短程熱效應：(e)使用光學孔徑和(f)不使用光學孔徑（所有max寬度估計值均為近似值）。通過光學圖像可以輕松檢測出Mo和CIGS之間的強烈對比，從而確定CIGS材料的缺失邊界。相反，對于PL失活區(qū)域的確定，考慮了在max計數(shù)點980 nm處的PL發(fā)射強度：PL區(qū)域的開始是當光致發(fā)光超過980 nm所有參考活動區(qū)域的平均發(fā)射強度的50%時。通過去除CIGS材料繪制的P1線的max寬度約為P1-NA的84μm和P1-A的42μm。為了測量通過PL圖像繪制的燒蝕溝槽的max寬度，分析了每種情況下總共65條水平 ...

為電致發(fā)光和光致發(fā)光測量系統(tǒng)的國際領先供應商。這些設備使晶圓制造的優(yōu)化和精確的質量評估成為可能，從而支持半導體行業(yè)的研究和發(fā)展。與柏林洪堡大學一起，Greateyes獲得了基于LED的光致發(fā)光檢測系統(tǒng)的柏林勃蘭登堡創(chuàng)新獎。Greateyes成立于2008年，是柏林洪堡大學的一個分支。依靠不斷的技術創(chuàng)新和精益求精的精神，這家初創(chuàng)公司很快發(fā)展成為一家國際知名公司。如今，它在許多不同國家的研究和工業(yè)領域擁有廣泛的客戶群。Greateyes科研相機已廣泛應用于生物成像、熒光光譜、天文觀測、高能物理、半導體檢測等領域。 ...