作用導致最后光子能量增加或者減少，而由這些能量的變化可得知聲子模式。下圖展示了顯微拉曼光譜原理光路以及使用的相關器件：其中用來進行拉曼光譜實驗的激光器我們稱之為拉曼激光器，拉曼激光器區別于普通激光器的一個最大不同就是激光器的線寬，就是激光器的單色性，一般來說，普通激光器的線寬在0.1納米到幾個納米之間，而拉曼激光器最低要求激光器線寬不能超過0.001納米，最好是使用單縱模激光器進行實驗。法國Oxxius公司單縱模拉曼激光器因為拉曼信號相對激光強度差了6-8個數量級，所以一般采用兩片拉曼濾色片或者三片拉曼濾色片濾除激光器本身的信號干擾，拉曼濾色片也不同于普通的熒光濾色片，拉曼濾色片都要求非常銳利 ...

，電子會吸收光子能量然后脫離正電荷的束縛飛出，這種現象被稱之為光電效應，所逸出電子形成的電流被稱為光電流，即光生電。Mapping是一種顯微成像技術，一般用于研究物質的微結構組成，最早應用Mapping的是顯微光譜成像，用于研究樣品微結構上的光譜，從而掌握樣品的結構組成與物質組分。將激光通過無限遠物鏡聚焦到樣品表面，由于激光經過物鏡聚焦之后光斑直徑可以達到僅有幾個微米大小，而只有激光照射的位置才會激發相應的光譜信息，因此可以通過共聚焦技術以及探測器采集并分析所激發的光譜，從而確定激光所照射位置的物質組分。然后通過掃描振鏡控制激光聚焦光斑在樣品表面進行移動，采集樣品被掃描區域各個位置的光譜信息， ...

或原子吸收的光子能量低于發射的光子能量，即將紅外光轉化為可見光或將可見光轉化為紫外光（如上圖所示）。關于上轉換過程發光機制目前有以下三種：a 激發態吸收ESA激發態吸收是指同一個粒子從基態通過連續多光子吸收到達能量較高的激發態。首先,發光中心處于基態G上的離子吸收一個能量為φ1的光子，躍遷至中間亞穩態E1能級,若光子的振動能量恰好與E1能級及更高激發態能級E2的能量間隔匹配,那么E1能級上的該離子通過吸收光子能量而躍遷至E2能級，從而形成雙光子吸收,只要高能級上粒子數量夠多,形成粒子數反轉,那么就可以實現較高頻率的激光發射,出現上轉換發光。b 能量傳遞過程ETU能量傳遞是指通過非輻射過程將兩個 ...

短時，發射的光子能量變高，需要更高的應變來為電子提供足夠的能量約束。從4 ~ 5 μm到3 ~ 4 μm, GaInAs阱中的Ga組分從31%增加到21%，AlInAs屏障中的Al組分從64%增加到89%。因此，導帶偏移從0.8 eV增強到1.2 eV[24-26]。這種高度應變平衡的超晶格的生長是非常具有挑戰性的。我們使用定制設計的氣體源分子束外延(GSMBE)在n-InP基板上生長我們的結構。GSMBE反應器專門用于QCL的生長。反應器定期維護，以確保始終如一的高材料質量。對每個生長進行生長后表征，以確定設計參數和監測生長條件。利用掃描電子顯微鏡和高分辨X射線衍射儀對薄膜的厚度和組成進行了 ...

的能量與入射光子能量相比可以增大，也可以變小， 取決于分子的振動態。3. 斯托克斯和反斯托克斯拉曼散射中，前者散射光子的能量較之入射光子變低（失去能量，波長紅移），而它的散射強度更大一些，這是因為在室溫下分子中大多數電子主要布居在振動基態（參見上圖所示）4. 分子中少量電子布居在較高的振動能級上，因此散射光子的能量可以大于入射光子，（獲得能量，波長藍移）這就是強度相對弱很多的反斯托克斯拉曼散射.5. 入射光子和樣品分子相互作用，光子能量的改變量（得到或者失去能量）取決于每個化學鍵（振動）的特性。并非所有的振動都能在拉曼光譜上反映出來，這取決于分子的對稱性。但是可以獲得足夠的信息，用來對分子結構 ...

熱敏探頭先將光子能量轉化成熱量，再轉化成電流。熱敏功率探頭基于熱電效應(亦稱為塞貝克效應)：金屬或合金的一端受熱時會釋放電子，電子會朝著較冷的一端移動，這是一種只要存在溫度差就會產生的現象，產生于金屬之間。使用熱敏功率探頭測量較低的功率水平時，需要防止敏感區域受到黑體輻射。此外，也不要有任何通風或環境溫度變化。而熱敏探測器同樣有著自身的優勢和缺點在于：優勢：耐用性高、光譜范圍大、有效區域大。缺點：靈敏度較差、噪聲大、響應速度慢、尺寸較大。對于連續光，光電二極管探測器和熱敏探測器都適用，但光電二極管探測器更精準。而對于較高峰值功率的脈沖光，熱敏功率探測器更為合適。您可以通過我們昊量光電的官方網站 ...

成的電勢差。光子能量 E(單位為 J或者eV)可由如下的公式表示：式中，h為普朗克常數，c為光速，e為電子電荷量，為探測光的波長。對現在光電二極管中廣泛使用的是硅材料，由于硅的禁帶寬度為1.1eV，所以波長小于1100nm的光子才能其被探測到。而InGaAs(銦鎵砷)或InSb(銻化銦)由于由更小的禁帶寬度，可用于近紅外區域或者更長波長光的探測。對于紅外區域的不同波段的光電傳感器，通常由評價指標來對比不同類型傳感器的靈敏度，表明了在交流信號下，單位入射光功率所獲得的信噪比大小的靈敏度，如下式所示：式中，為輸出電流帶寬；P為輸入光的功率密度(單位為)；A為有效面積。圖2中展示了幾材料的光電而激光 ...

成的電勢差。光子能量E可用下面的公式來描述，它是關于波長的函數：其中，h為普朗克常數，c為光速，為波長。光電導效應也會對入射光子響應后在半導體材料中產生電子-空穴對。但是，在這種情況下，產生的電荷使材料的電阻率下降。當給有效工作區兩端施加偏置電壓，則輸入光信號功率的變化能通過輸出電路中電流的變化來測量，如圖1.3所示。基于光電導效應的光電傳感器稱為光電導體、光電導元件、光敏電阻。 由禁帶寬度窄的材料制成的光電導體大部分用于紅外探測。1.3光電導示意圖光電發射效應指的是當入射光子的能量大于材料的功函數時，材料內部被激發的電子逸出材料表面到 達真空中的現象。功函數指的是費米能級和真空能級間的電勢差 ...

Eg時，輻射光子能量幾乎和Eg相等，輻射光的波長為：式中，c為光在真空中的速度。發光二極管的發光強度由Eg和KT的值決定。事實上，光強度是光子能量E的函數，由下式表示：發光二極管理論輻射光譜的zui大強度發生在以下能量處：(2)發光二極管的應用LED的應用大致可以以發射光譜范圍來劃分。發光波長在紅外范圍(λ>800mm)的LED應用在通信系統、遠程控制和光耦合器中。在可見光范圍內的白光LED和彩色LED一般主要應用于普通照明、指示、交通信號燈和標識牌。紫外LED(λ<400nm)被用作白光LED的泵浦源，以及生物技術和牙科。2激光器激光器是一種能夠產生高準直、高能量的單色和相干輻射 ...

在低溫下使用光子能量高于量子阱(QW)帶隙的近紅外脈沖調制QCL不同，我們比較了在室溫下光子能量低于和高于0.77 eV (1.6 lm)的InGaAs QW帶隙的兩種不同的近紅外泵對QCL傳輸的調制。當光子能量高于QW帶隙時，電子將從價帶被激發到導帶，然后通過帶間躍遷放松回價帶。當泵浦光子能量低于QW帶隙時，由于光子沒有足夠的能量，將不會發生帶間躍遷。相反，在傳導帶較低的子帶中的電子將被激發到較高的子帶或連續區。直接測量諧振中紅外脈沖的傳輸變化提供了有關QCL增益調制的信息。圖1(a)顯示了我們實驗裝置的原理圖。利用由Ti:藍寶石振蕩器、Ti:藍寶石再生放大器、光學參量放大器(OPA)和自制 ...