磁光顯微鏡中寬視場反射顯微鏡的設置和圖像處理標準程序從磁性飽和狀態的數字化平均圖像開始，其中在外部直流磁場中消除了所有域。或者，可以應用一個中等振幅的交變場，它在平均過程中混合了域，其優點是樣品上的力可能比直流飽和所需的高場小。該無域背景(參考)圖像隨后從包含域信息的狀態中減去。然后，差值圖像顯示了區域圖案的顯微圖，可以通過平均和數字對比度增強來改善，而不受地形對比度的影響。通常需要在不同方面研究相同的域，例如在Kerr和voight對比度條件下或使用不同的分析器和補償器設置以獲得深度選擇性。這可以通過組合實驗來實現:在創建了特定域模式的正則差分圖像之后，在不同對比度條件下存儲相同模式的圖像作 ...

主要應用于寬視場時間分辨率成像設置。為了便于磁光對比度調整，基于激光的系統使用光纖照明。近年來，光纖耦合led已成為磁光學顯微鏡照明的標準。光譜輻照度類似或優于高壓弧光燈，因為幾瓦的準直輸出功率是可以實現與目前的LED照明。zui重要的是，led具有低噪音。它們還提供脈沖操作模式，可以輕松適應先jin組件選擇性準靜態(“效果分離”部分)和時間分辨顯微鏡(“磁化動力學定量成像”部分)的成像方案。與激光不同，基于led的照明沒有斑點圖案的問題。與光纖高效率耦合，大功率led現在是大多數磁光學顯微鏡實驗的照明選擇。圖1獲得正確調整的磁光效應的關鍵是K?hler照明的精確設置，其中照明光源(例如光纖輸 ...

時間分辨磁光學顯微鏡成像的不同需求與相關技術對時間分辨磁光學顯微鏡的不同觀點出現了不同的成像選項，與所需的時間分辨率有關，以解決不同頻率的磁化過程。相關要點有:圖1.(a)相機曝光時間為10μs，工作頻率為50 Hz時，FeSi電工鋼樣品的單次Kerr圖像。(b) 876 Hz時，LED脈沖寬度為10μs的磁場調制磁電傳感器器件的頻閃圖像;(c) 0.516 MHz時，激光脈沖寬度為20 ns的電場調制磁電傳感器的頻閃圖像。(d)在2 GHz磁場激勵下，激光脈沖寬度為7 ps的CoFeB/Ru/CoFeB反點陣列中靜磁自旋波模式的頻頻Kerr顯微鏡在激發頻率為幾到幾赫茲的情況下，低頻動態可以通 ...

可以實現整個視場的恒定放大率和恒定焦距。一個優化的遠心克爾顯微鏡系統的原理草圖如圖1a所示。即使在觀測軸強烈傾斜的情況下，也能獲得零畸變磁圖像。得到的域圖像仍然被垂直于光入射平面的壓縮，并且需要進行線性運算以獲得均衡的圖像映射。典型的應用來自磁電復合懸臂式傳感器磁化反轉的克爾顯微鏡圖像如圖1b所示。如果您對磁學測量有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-150.html更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產品專業代理商，產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、光 ...

光(MO)寬視場克爾顯微鏡已經成為一種完善，zui通用和靈活的實驗室技術，用于研究磁疇。該方法基于MO Kerr效應，即線偏振光在非透明磁性樣品反射后的偏振面發生微小變化，然后將其檢測并用于磁疇成像。典型的寬視場克爾顯微鏡是在光學偏振反射顯微鏡的基礎上，對均勻照明的樣品應用克勒照明技術。根據光的相對方向、入射面、光偏振面和磁化方向將克爾效應分為縱向、極性和橫向三種類型。前兩種效應導致光的偏振面旋轉，可能由橢圓貢獻疊加，而后一種效應導致振幅變化而不是反射光的旋轉。作為一個簡單的規則，由于克爾效應的介電張量的對稱性，克爾對比度與入射光束沿傳播方向的磁化分量成正比。如圖1(a)所示，在斜入射光和p偏 ...

于相機捕捉到視場內的整個圖像，因此可以實時收集信息并跟蹤細胞和發光的納米尺度組分的動態。Photon etc.的PHySpec?軟件允許進行主成分分析（PCA），以便在樣品中識別和定位納米顆粒。Photon etc.公司的高光譜濾光片其高通量的特性，可快速獲取光譜分辨率高的圖像。由于相機捕捉的是視場中的整個圖像，因此可以實時收集信息并跟蹤細胞和發光納米級組件的動態。Photon etc.公司的軟件PHySpec?可進行主成分分析(PCA)，以識別和定位樣品中的納米顆粒。圖3（a）呈現了使用60x物鏡拍攝的，標記有60nm AuNPs的MDA-MB-23人類乳腺癌細胞的暗場圖像。在400nm到6 ...

物鏡下的整個視場被激發，同時收集來自百萬個點的PL信號。圖2（a）和（b）顯示了CIGS微電池的PL和EL圖像。通過結合其光譜分辨的PL和EL圖以及光度絕對校準方法，研究人員可以使用廣義普朗克定律來提取與電池zui大電壓直接相關的準費米能級分裂（Δμeff）（見圖1（c）和（d））。借助太陽能電池和LED之間的互易關系，可以從EL圖像中推導出外部量子效率（EQE）。在樣品的整個表面上獲得微米級的基本特性有助于改進制造工藝，從而達到更高的電池效率。圖2.（a）集成PL發射和（b）集成EL發射的高光譜圖像。使用廣義普朗克定律，可以推導出（c）和（d）Δμeff映射。改編自[3]。了解更多詳情，請訪 ...

以在提供不同視場范圍內的光譜和空間分辨發光圖，zui大可達幾百平方微米。為了實現無損光學生物成像的效果，關鍵在于對熒光探針的應用，而半導體單壁碳納米管（SWCNTs）似乎是一個很好的候選材料。它在廣泛的色度變化中表現出優異的光穩定性、穿透生物介質和窄發射帶寬。在Daniel A. Heller教授等人[1]領dao的開創性研究中，利用SWCNTs對活細胞和組織內進行了表征。這項研究證明了SWCNTs在多重成像應用中的非凡潛力。SWCNTs的熒光發射峰與它們獨特的手性指數（n，m）密切相關。為了充分發揮SWCNTs的全部潛力，用于研究單壁碳納米管的分析工具需要提供準確的光譜和空間信息，實現對不同 ...

的基本裝置全視場軟x射線顯微鏡的光學裝置原理與傳統顯微鏡相似。它由光源、聚光鏡、物鏡和檢測器組成。主要的區別是聚光鏡和物鏡是菲涅耳帶片。終端站xm1在高ji光源處的x射線光學設置如圖1所示。圖1它遵循了Schmahl等人開發的開創性x射線顯微鏡設計。xm1使用從彎曲磁鐵發出的軟X射線。在通過一個平面反射鏡后，光子被鍍上鎳以抑制更高的能量，照射到一個中央有一個擋板的聚光帶板(CZP)。該CZP提供了樣品的部分相干空心錐照明，并與針孔位于樣品附近的組合，作為線性單色儀，具有典型的單色性約λ/Δλ = 500。因此，在光子能量為700 eV時，光譜分辨率約為1.3 eV。XM-1的光子能量范圍在50 ...

方厘米的不同視場。這些圖像能夠在2cm x 2cm的視場上顯示硅器件的EL圖像，捕捉到器件上的微小不均勻性，如圖1、圖2所示。這些不均勻性可能會影響器件的性能和效率，因此通過這些圖像進行分析和評估對于改進太陽能電池的設計和制造至關重要。利用這些技術，研究人員和工程師可以迅速識別并解決潛在的問題，以確保生產出高效且可靠的太陽能電池。圖1、1040 nm的高光譜數據中提取的硅器件的電致發光圖。圖2、1140 nm的高光譜數據中提取的硅器件的電致發光圖。在美國guo家標準與技術研究院（NIST）的Behrang Hamadani博士[2]的論文中，使用了GRAND-EOS進行絕對EL測量，以研究太陽 ...