便攜式L波段微波輻射計的設計與特性（轉譯自Portable L-Band Radiometer (PoLRa): Design and Characterization；Derek Houtz , Reza Naderpour and Mike Schwank）摘要：介紹了一種適用于地面遙感或無人機測繪的輕質量、小體積雙偏振L波段輻射計。在ESA土壤濕度和海洋鹽度(SMOS)和NASA土壤濕度上有突出的應用主被動(SMAP)衛星的L波段輻射測量可用于反演環境參數，包括土壤濕度、海水鹽度、雪中液態水含量、雪密度、植被光學深度等。介紹了氣隙貼片陣列天線的設計和測試，并顯示可提供37°的3db全功率 ...

生干凈的軔致輻射剖面，而且它碰巧是一種具有高熔點的相當耐用的金屬。相反，金(Au)在某些XRF應用中產生非常有用的峰值，但它是一種軟金屬，相對較暗的焦點(即低功率負載)會對目標材料造成損害，導致如此低的可實現計數率，以至于在除zui專業的應用之外的所有應用中都抵消了它的好處。因為W是成像應用中常見的目標材料選擇，所以我們將重點關注W目標源。標準W靶x射線管的功率載荷為1W/μm。當功率超過1W/μm時，該光斑產生的功率過大，目標無法處理，目標磁盤將被損壞，有時在幾秒鐘內就會損壞。Micro - X-Ray開發了一種獨特的目標材料結構，使用金剛石襯底將熱量從斑點轉移到陽極，比標準目標結構更有效。 ...

種快速評估非輻射損失并獲得材料效率輸入的方法。為了獲得這樣的圖譜，使用532nm激光以10個太陽的等效功率激發樣品。在不到一分鐘的時間內以 670nm波長從880nm采集到5nm的數據。圖3、在790nm處提取的PL圖像（a）和從不同區域提取的PL光譜（b）。還使用Photon的GRAND-EOS平臺進行了大規模測量。使用532nm激光以0，1等效功率激發樣品。圖4顯示了在2cm*2cm視場上獲得的PL圖。GRAND-EOS允許在更大的層面上捕獲光學圖像，以幫助改進制造過程圖4、(a)在790nm處提取的PL圖像，以及(b)從不同區域提取的PL光譜（參見相應的靶標）。使用GRAND-EOS系統 ...

出電極組成，輻射源的位置根 據下述公式來決定：式中，x為光斑距中心的x坐標；Lx為有效面積的長度；Ix1和Ix2分別為兩端電極的輸出電流。2.2光學三角法測量2.3一維PSD的剖面圖二維PSD的工作原理與一維的相同，在市場上能夠見到尺寸達到14mm ×14mm二維PSD。PSD的優點是響應時間頻率為1MHz的數量級時，能達到10μm的位置分辨率。這是可以實現的，因為一維的 PSD僅有兩個信號輸出端，二維的有四個信號輸出端。PSD的時間響應率和位置分辨率既與它的尺寸、 電阻和結構有關，也與輸入光信號的波長和功率有關。更多詳情請聯系昊量光電/歡迎直接聯系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公 ...

發態上，再以輻射躍遷的形式發出熒光并回到基態。將激發光關閉后，分子的熒光強度也將隨時間逐漸下降。假定一個無限窄的脈沖光（δ函數）激發n0個熒光分子到其激發態，處于激發態的分子將通過輻射或非輻射躍遷返回基態。假定兩種衰減躍遷速率分別為Γ和Knr，則激發態衰減速率可表示為：其中n(t)表示時間ｔ時激發態分子的數目，由此可得到激發態物種的單指數衰減方程：上式中衰減總速率的倒數τ＝(Γ＋Knr)-1即為熒光壽命。熒光強度正比于衰減的激發態分子數，因此可將上式改寫為:該式中，I0即為分子受激發時的zui大光強。我們將該熒光強度下降至激發時的熒光zui大強度I0的1/e（約37％）所需要的時間，稱為熒光壽 ...

情況是太赫茲輻射（0.1到10THz）的產生，由于高效光電導天線的進展，在zui近幾年中太赫茲輻射得到了廣泛關注。THz頻段對于科學和工業應用非常重要，因為它允許對許多在可見光和紅外線下不透明的材料進行非侵入式檢測和分析。應用包括檢測1到5 THz范圍內的光譜特征，以區分外觀相似的塑料和爆炸物[16]、通過不透明包裝進行質量控制監測、對油漆進行微米級精度的非侵入式層厚度測量[17]、高分辨率氣體光譜學、以及作為標簽自由分析生物組織的X射線技術的替代方法（因為THz輻射不會產生電離效應）[18]。這些應用通常采用太赫茲時域光譜技術（THz-TDS）來解決。在THz-TDS中，一個光脈沖列在一個發 ...

光子晶體中的輻射模式耦合的電動力學過程等。同時，實驗和理論研究結果都表明，光子晶體光纖可以解決許多非線性光學方面的問題，產生寬帶輻射、超短光脈沖，提高非線性光學頻率轉換的效率，用于光交換等。不難想象，隨著對PCF研究的不斷深入，相信PCF將在光學領域展現出更廣泛的應用前景，并為實現更高效、高性能的光學器件和系統開啟新的可能，從而推動光學技術和科學研究的發展。如果您對光子晶體光纖有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：http://www.champaign.com.cn/three-level-135.html相關文獻：[1]李曙光, 劉曉東, 侯藍田. 光子晶體光纖的導波模式與色散特性[J]. ...

程所有的電磁輻射，其電場和磁場的振動方向互相垂直，傳播方向相同。由于放射物的磁場矢量是由其電場矢量明確定義的，因此偏振分析也只需考慮一個即可。假設角頻率為w的平面簡諧波以速度c在z方向上傳播,λ為波長。 電場矢量含有兩部分Ex(z,t)和Ey(z,t),它可以表示為:式中,Eox和Eoy為波振幅;δx和δy為任意相位；t為時間。這兩部分的相位差可以表示成δ=δx-δy,,其中0≤δ≤2Π。2.橢圓偏振態一般情況下，相互垂直的兩束正弦振蕩的電磁波具有相同的頻率和穩定的相位差，此時所形成的李薩如圖形是一個橢圓，因此，線偏振光和圓偏振光都可以認為是橢圓偏振光的特例。對上面的兩個公式進行運算可以得到一 ...

是一個自發的輻射過程，也可以是晶體材料以振蕩形式將能量釋放到晶格的非輻射過程(成為聲子)。這個產生額外載體和隨后注入載體的重新組合稱為注入式電致發光。發光二極管發射的幾乎都是單色非相干光。發射光子的能量和發光二極管輻射光的波長取決于半導體材料形成p-n結的帶隙能。發射光子的能量近似由下列表達式決定：式中，h為普朗克常量；v為輻射光頻率；Eg為帶隙能，即半導體器件導帶和價帶的能量差。電子和空穴的平均動能由波爾茲曼分布決定，即熱能KT。當KT<Eg時，輻射光子能量幾乎和Eg相等，輻射光的波長為：式中，c為光在真空中的速度。發光二極管的發光強度由Eg和KT的值決定。事實上，光強度是光子能量E的 ...

當滿足索末菲輻射條件時就可以不考慮其對P點的貢獻。這樣，透光孔S1,決定了P點出的光波幅值Up。圖1衍射推導菲涅耳-基爾霍夫衍射公式：式中，(r1,n)為單位矢量r1和n之間的夾角，(ro,n)為ro和n之間的夾角。傾斜因子[cos(r1,n)-cos(ro,n)].如果點光源離開孔徑足夠遠，對于孔徑上各點都有cos(r1,n)=1。另外設cos(ro,n)=-cosx,則可得：當P點遠離衍射屏時，x近似等于零，傾斜因子近似等于2，所以上式可改寫：這樣，關于空間某點P處的場值Up就可以極大的簡化得出。圖2中，包含坐標原點O的孔徑被單色平面波照射。這里，利用g(xo,yo)來描述孔徑內某點的光源 ...