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和輸出電壓/暗電流輸出電壓, 全井容量 / 噪聲,Dynamic range = Full well capacity / read noise)binning:設(shè)置平均像素的數(shù)值,可以降低噪聲。做binning以后,會提高滿阱容量,但讀出噪聲不變,這樣就會相機的提高動態(tài)范圍。多幀圖像平均(averaging over frames):設(shè)置平均多幀的數(shù)值大于1可以降低噪聲。此功能在光強或光束形狀不穩(wěn)定的情況下非常有用。特別是在光強較弱的時候,利用該功能可以抑制光束分析儀的噪聲。3D結(jié)果圖形的顯示:實體輪廓最易于觀察,但是也要求更長的計算時間,對幀頻率有一定的限制。選擇網(wǎng)狀格式有利于提高顯示速度 ...
極其微弱,叫暗電流;有光照時,反向電流迅速增大到幾十微安,稱為光電流。如上圖是鈣鈦礦微區(qū)的光電流成像圖,掃描范圍是30um×30um,掃描步徑3um。鈣鈦礦主要應(yīng)用在太陽能電池領(lǐng)域,從太陽能電池結(jié)構(gòu)和工作原理上來看,反映電池性能的其中一個參數(shù)就是太陽能電池的效率,它跟鈣鈦礦材料的吸光能力有關(guān),也跟載流子分離能力有關(guān)。一般高效太陽能電池要求光吸收層能夠充分吸收紫外-可見-近紅外區(qū)的光子以產(chǎn)生激發(fā)態(tài)。當(dāng)受到光的激發(fā),鈣鈦礦價帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶,產(chǎn)生電子-空穴對,在內(nèi)建電場的作用下,空穴和電子分別往正極,負極遷移,載流子的定向移動于是形成光電流。 ...
CCD都存在暗電流,且暗電流大小會受探測器溫度影響較大,儀器內(nèi)部產(chǎn)生的熱量能否及時從設(shè)備中排出,對設(shè)備測試數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性影響明顯。四、光譜分辨率(僅針對光譜儀)光柵刻劃線密度:光柵的刻劃線密度,影響光柵的分光能力。在一定范圍內(nèi),光柵刻劃線密度大,則光柵可以將樣品光譜分散到更大的角度上,可以將波長分的更細,增加線陣CCD的像元個數(shù),則可以提高光譜分辨率。但同時,在樣品光強不變的情況下,單個傳感器上的分得的信號強度變?nèi)酢_@往往需要廠商在設(shè)備成本、探測精度和光譜分辨率之間做一個權(quán)衡。五、單次測試時間儀器的測試時間,一方面取決于探測器需要多長時間獲得足夠強度的信號,另一方面設(shè)備對數(shù)據(jù)的處理速度,一次測試 ...
題有:噪聲,暗電流,飽和溢出模糊。1、噪聲:噪聲是影響CMOS傳感器性能的首要問題。這種噪聲包括固定圖形噪聲FPN(Fixed pattern noise)、暗電流噪聲、熱噪聲等。固定圖形噪聲(FPN)產(chǎn)生的原因是一束同樣的光照射到兩個不同的象素上產(chǎn)生的輸出信號不完全相同。噪聲正是這樣被引入的。對付固定圖形噪聲可以應(yīng)用雙采樣或相關(guān)雙采樣技術(shù)。具體地說來有點像在設(shè)計模擬放大器時引入差分對來抑制共模噪聲。雙采樣是先讀出光照產(chǎn)生的電荷積分信號,暫存然后對象素單元進行復(fù)位,再讀取此象素單元地輸出信號。兩者相減得出圖像信號。兩種采樣均能有效抑制固定圖形噪聲。另外,相關(guān)雙采樣需要臨時存儲單元,隨著象素地增 ...
處理首先使用暗電流減法將獲取的原始高光譜數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為傳感器亮度,然后對傳感器和波段特定輻 射校準數(shù)據(jù)進行圖像歸一化和乘法(圖2)。在第二步中,需要應(yīng)用傳感器特定光學(xué)畸變進行兩種幾何校正。第一個效果是沿視場的失真,類似于魚眼鏡頭的失真。這導(dǎo)致圖像從中心到上下圖像邊界 的縮短。第二種效果可以描述為狹縫彎曲,是指當(dāng)前掃描(直線)線的彎曲記錄。這兩種效果都可 以通過對視場中的每個像素應(yīng)用校正值來消除。所需參數(shù)包含在傳感器制造商提供的查找表中。如 果在相同的設(shè)置下獲得了對同一場景的幾次掃描,則可以在此時執(zhí)行這些場景的疊加和平均。通過 圖像疊加,可以提高信噪比,減少由于改變云覆蓋而可能發(fā)生的時間光照變化。圖 ...
都經(jīng)過平場和暗電流校正。對于給定的圖像集,根據(jù)捕獲的每個目標的相機信號與分光光度測量得到的參考三刺激值之間的關(guān)系,估計出顏色變換矩陣。為了計算從記錄信號到渲染顏色的直接轉(zhuǎn)換,在光譜校準中選擇了比色校準。本實驗未進行光譜校準,即先估計目標反射光譜,然后計算其顯色性。利用每一組中所有可用波段構(gòu)建顏色變換矩陣。因此,矩陣的大小從10波段多光譜集的3 × 10到6波段多光譜集的3 × 6,常規(guī)的3 ×3RGB圖像,其中每個矩陣的第2維對應(yīng)于總波段數(shù)。根據(jù)直接比色校準,對這個矩陣迭代優(yōu)化,得到目標中所有補丁的小平均值?E00。優(yōu)化后,每個目標得到的矩陣被用于交叉剖面波段集,預(yù)測相反的L*a*b*值,核驗 ...
好、噪聲低、暗電流小、尺寸小。缺點:易飽和、光譜范圍有限、易受溫度影響、有效區(qū)域有限、放大電路。二.熱敏探測器熱敏探頭先將光子能量轉(zhuǎn)化成熱量,再轉(zhuǎn)化成電流。熱敏功率探頭基于熱電效應(yīng)(亦稱為塞貝克效應(yīng)):金屬或合金的一端受熱時會釋放電子,電子會朝著較冷的一端移動,這是一種只要存在溫度差就會產(chǎn)生的現(xiàn)象,產(chǎn)生于金屬之間。使用熱敏功率探頭測量較低的功率水平時,需要防止敏感區(qū)域受到黑體輻射。此外,也不要有任何通風(fēng)或環(huán)境溫度變化。而熱敏探測器同樣有著自身的優(yōu)勢和缺點在于:優(yōu)勢:耐用性高、光譜范圍大、有效區(qū)域大。缺點:靈敏度較差、噪聲大、響應(yīng)速度慢、尺寸較大。對于連續(xù)光,光電二極管探測器和熱敏探測器都適用, ...
此外,研究了暗電流產(chǎn)生的陷阱密度和光致發(fā)光(PL)衰減曲線,以確定受體材料的暗電流抑制和快速光響應(yīng)效應(yīng)。圖1 a) 包含阻擋層的有機半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖。插圖:由電子受體材料(PC71BM 和 eh-IDTBR)組成的感光層的納米結(jié)構(gòu)填充示意圖。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結(jié)構(gòu)。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關(guān)閉 LED 來評估有機半導(dǎo)體器件的響應(yīng)時間。如圖2所示,富勒烯受體有機半導(dǎo)體表現(xiàn)出 6.24 μs 的上升時間和 10.8 μs 的下降時間。由于OPD器件的響應(yīng)時間受內(nèi)部電容和電荷傳輸時間的影響,推測 PC71BM 具有較高的內(nèi) ...
測量探測器的暗電流,然后從每個探測器單元的光測量結(jié)果中減去暗電流的光信號貢獻值。圖2 簡化方框圖圖3 PR系列亮度計光路圖儀器出廠時已通過相應(yīng)的校準系數(shù)校準光譜數(shù)據(jù),校正系數(shù)包括波長精確度修正、光譜分布修正和光度修正。波長校準采用的是具有特征光譜的氦燈光源,線光源提供了已知的光譜發(fā)射譜線通過光柵分光后投射到多探測器上再通過軟件顯示;用于波長校準的氦譜線包括388.6nm,447.1 nm,471.3 nm,587.6 nm,667.8 nm,706.5 nm和728.13 nm;接下來,可用光譜校準系數(shù)校準這些數(shù)據(jù);這些校準系數(shù)確保被測目標光譜能量分布(SPD)和由此計算出的數(shù)據(jù)比如CIE色度 ...
效面積越小,暗電流越小,響應(yīng)速度越快;光電二極管的下降時間(響應(yīng)時間) 與其探測帶寬 關(guān)系如下:式中C和R分別為讀出電路的阻抗和光電二極管的結(jié)電容,其中:式中的和分別為真空介電常數(shù)( 固定為)和相對介電常數(shù);A為光電二極管的有效面積;d為PN結(jié)的耗盡層厚度。其中A越小,則越小(即響應(yīng)速度越快);其次還可以通過縮短耗盡曾厚度來是響應(yīng)速度加快。相關(guān)文獻:[1].Toru.Y.(2015) “光學(xué)計量手冊”,[M]:67-71更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電:上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商,產(chǎn)品包括各類激光器、光電調(diào)制器、光學(xué)測量設(shè)備、光學(xué)元件等,涉及應(yīng)用涵蓋了 ...
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