<b id="deh52"></b>
<em id="deh52"></em>
有著小的直接帶隙（0.9-1.1eV）和很好的理論電子遷移率（>200cm2V-1s-1），帶隙特征表明其有利于可見光和近紅外光的吸收。因此此文章報道了基于Fe摻雜的2DMoTe2納米片的新型光催化氮還原仿生系統。使用拉曼-熒光光譜測試系統（XperRam 200，Nanobase），通過拉曼Mapping（532nm的激發光）和熒光壽命成像（485nm的激發光）來分別記錄拉曼光譜和時間分辨熒光衰減光譜。如下圖1為純物質在532nm激發光下的MoTe2,1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光譜圖，從圖中可以看出對于理想的2H-MoTe2結構有三個拉曼 ...
間的關系，對帶隙和態密度（DOS）進行了測試和計算，由于DFT的本質影響，實驗測試結果稍微小于計算的結果，并且發現三個化合物均為直接帶隙。DOS數據表明A2(TeO)P2O7 (A=K,Rb,Cs)有相似的態密度。如圖2所示，K2(TeO)P2O7、Rb2(TeO)P2O7和Cs2(TeO)P2O7的價帶（Valance band）區域在-10--5eV之間，且主要由K 3p，Rb 4p和Cs 5p軌道起主要作用，且在這中間有一個非常尖銳的峰表明堿金屬元素的強離子性能。價帶（VB）頂部區域在-5-0eV之間，且只要由O 2p軌道和Te 5p軌道組成。而導帶（conduction band）接近 ...
）PSCs的帶隙譜圖；（c）不同PEN/ITO/ETL/PVK歸一化穩態熒光譜圖；（d）PEN/PVK和PEN/ITO/ETL/PVK的時間衰變光致發光光譜。如圖2（a）為在AM1.5G的輻照下使用不同ETLs的柔性PSCs電流J-V的曲線圖，圖2（a）的嵌入圖為PSCs關鍵J-V參數的總結，基于T2的PSCs在1.1V顯示了最大的J_sc（22.32mA/cm2），并且填充因子（FF）為0.656，產生了高16.11%的PCE。基于低載流子的結合動力學，T2/PVK表面的電位損失最小，導致了PSC的Jsc和Voc較高。如圖2（b）所示，此PSCs的整合J_sc為21.1 mA/cm2，和圖2 ...
離成單層時，帶隙從間接帶隙變為直接帶隙。由于量子限制效應，MoS2 量子點 (QD) 比塊狀或單層 MoS2 具有更高的帶隙能量。許多研究人員通過各種方法制備 MoS2 單層或量子點，例如剝離、底物生長和膠體合成。通過機械剝離制備的 MoS2 薄層轉移到基板上的過程使得大規模商業化生產變得困難。鋰輔助剝離是一種通過誘導層間弱范德華作用來剝離 MoS2 的簡便方法，正丁基鋰 (n-BuLi) 通常用于此目的。然而，在插層過程中，n-BuLi 的高電子供體能力導致 MoS2 從半導體六方相 (2H) 到金屬四方相 (1T) 的相變，這種溶劑剝離方法需要進一步的熱處理工藝以從金屬 1T 相中回收半導 ...
(主要是光學帶隙)，也被稱為共振拉曼散射(RRS)。在那里，由于強光學吸收，拉曼散射信號可以增強幾個(通常是兩個)數量級。此外，由于振動和電子運動的相互作用改變了拉曼選擇規則，可能會出現新的聲子模式，而這些模式在非共振拉曼光譜中是不存在的。有趣的是，由于強烈的激子效應，RRS在二維半導體中起著至關重要的作用。緊密束縛的激子態表現出不同尋常的共振效應，導致出現了非rrs中禁止的幾種拉曼模等現象。二維半導體中的RRS是一個非常有趣且有潛力的課題。另一種增強拉曼信號的方法是利用非線性拉曼效應，包括相干反斯托克斯拉曼散射和受激拉曼散射。這兩種技術都需要高功率的激光抽運，隨著激光功率的增加，信號強度呈非 ...
數，如成分和帶隙聯系起來。由于光學測量方法準確，無破壞，只需很少或無需專門樣品，光學測量法常常是薄膜測量的較佳方法。常見的兩種光學測量法是光譜反射法和橢偏法。光譜反射法測量一定波長內光線查直人射到樣品表面時，薄膜衣面反射回來的光。橢偏法則測量非垂直入射光的兩種不網的偏振。總的來說，光譜反射法比橢偏法簡單、經濟得多，但是局限于測量比較不復雜的結構。光學常數 (n和k)描述光如何通過薄膜傳播。在某個時間光穿過一種物質的電磁場可以簡單表示為：其中x:距離，λ：光波長，n和k：薄膜相應的折射率和消光系數。折射率是光在物質和真空中傳播速度的比值。消光系數是測量光在物質中被吸收了多少。更多詳情請聯系昊量光 ...
空芯單模光子帶隙型光子晶體光纖（HollowCoreSingle-Mode Photonic Band Gap Photonic Crystal Fiber,HC-SM-PBG-PCF）,該光纖的纖芯為中空的，充滿了空氣，包層為二維的空氣孔周期性排列的結構，這種二維的周期性結構形成了特定的光子禁帶，可以將一定頻率的光限制在纖芯中進行傳輸。這種空芯光纖可以克服常規階躍折射率單模光纖的基本限制，理論上可以大幅度降低損耗極限、具有較低的非線性，并且可以提高光的損傷閾值。為此，科學家們對光子晶體光纖技術進行了大量的研究，中空的光子晶體光纖在降低損耗過程中遇到了很大的困難，衰減一直處于1dB/Km以上的 ...
擇在GaAs帶隙Eg附近(10 K時約1.518 eV)，這對于優化樣品的磁光Kerr響應是必要的。激光通過幾個寬帶介質反射鏡引導到一個薄膜分束器。在這里,大約90%的光被傳輸并到達光譜儀，光譜儀用于確定激光的波長。剩下的10%的光被反射到顯微鏡物鏡上，物鏡將光聚焦到低溫恒溫器中的樣品上。物鏡的放大倍率為60，數值孔徑為0.70，工作距離約為2.5 mm。為了在切割邊緣平面上獲得盡可能小的激光光斑直徑，必須確保顯微鏡物鏡的整個孔徑均勻照射。因此，光束在離開二極管激光器后用望遠鏡加寬。樣品上的光強可以借助中性密度濾光輪來控制。測量時使用的探測激光功率約為10μW。激光在到達樣品之前被格蘭-湯普森 ...
對于能量接近帶隙能量的光子的吸收有重要的影響。能量僅略高于Eg的光子只能激發躍遷進入自旋下子帶。躍遷到自旋向上子帶只有在光子具有較大能量時才有可能。圖1.左:大塊砷化鎵中左圓偏振光(lc)和右圓偏振光(rc)的光躍遷，從重帶(hh)和光孔帶(lh)躍遷到導帶。右:計算出n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的吸收光譜。α0表示非極化情況下的吸收。此外，躍遷必須遵守砷化鎵中的偶極子選擇規則。因此，兩個圓形光模式只能耦合到某些過渡。例如，左圓偏振光可以激發從重空穴帶到自旋向下子帶的躍遷，但不能激發從重空穴帶到自旋向上子帶的躍遷。綜上所述，導帶的自旋不平衡結合光學選擇 ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
