波能量遠高于帶隙時,同時考慮電子和晶格的貢獻：這就是Selmeier色散公 式,實際應用中用波長代替能量作為參量：5.EMA(有效介質)模型有效介質模型應用于兩種或兩種以上的不同組份合成的混合介質體系,多達 5種不同材料組成的混合材料、多晶膜、金屬膜、表面粗糙的膜、多孔膜、不同材料或合金的分界面、不完全起反應的混合材(TiSi、WSi)、無定形材料和玻璃；其基本思想是將混合介質當作一種在特定的光譜范圍內具有單一有效介電常量張量的“有效介質”,是把均勻薄膜的微觀結構與其宏觀介電常數相聯系.它包含3種有效介質模型：5.1 lorentz-Lorenz有效介質模型zui簡單的異構介質是介電函數分別為 ...

光源具有接近帶隙能量分離的光子能量。這將在半導體中產生凈非平衡自旋取向具有適當的自旋偏振光學躍遷的系統。當系統松弛時，會有一個優先的自旋方向，這將表現為PL中兩個圓螺旋度(I+(?))之間的強度差。通過計算圓極化度，可以直接讀出自旋極化，P = (I+?I?)/(I+ + I?)。描述半導體P的穩態速率方程為：式中P0為激發時圓偏振度。τr和τs分別為復合壽命和自旋壽命。這種極化可以在磁場中進一步研究。事實上，對于相對于樣品施加的面外場，塞曼效應將分裂自旋水平。這導致讀出偏振不平衡，即使是線偏振光，這一結果可用于研究磁場與材料中載流子自旋的耦合程度。注意，復合壽命與自旋壽命的比值決定了在半導體 ...

和InTe的帶隙在2.0 - 3.3 eV之間(圖2)。在單分子層極限下，III-VI單硫族化合物具有準間接帶隙，主要價帶呈火山口形狀。這種形狀導致價帶蕞大值與Γ點略有偏離。進一步的復雜性可以通過考慮SOC效應的擾動來獲得，這在GaSe和InSe中已經得到了廣泛的研究。原子荷電性導致自旋態分裂和能帶混合，而晶體對稱性產生的荷電性會導致額外的自旋分裂并影響自旋弛豫。當考慮N(層數)大于時，這些系統的復雜性會加深。層序和層數可以改變帶隙，改變初級價帶形狀，誘導鐵電，調節自旋弛豫。其他效應，如鐵磁性，預測由于廣泛的空穴摻雜。總的來說，III-VI單硫屬化合物的帶結構引起的光自旋現象是有趣的，還有很多 ...

中分離的直接帶隙躍遷。對這些谷偏振態的光學訪問模擬了OISO所需的選擇規則。谷的應用創造了一個與自旋電子學平行的“谷電子學”，其中基于谷的器件表現出“谷霍爾效應”和強自旋谷鎖定，這有利于轉移以及信息的長期存儲。在tmd中研究的另一個值得注意的特性是，當單層材料放入光學腔中時，會發生強烈的光-物質相互作用。lmountain等人利用光學Stark效應對這一現象進行了實驗研究。這項工作顯示了在tmd中對極化(光態)進行谷選擇控制的豐富潛力。這些激子-極化激子狀態在傳統半導體中已經廣泛存在。因此，lmountain等人幫助進一步證明了谷和自旋之間的相關類比。然而，即使具有與傳統自旋系統類似的特性，t ...

遷移率、直接帶隙和精密調控的生長機制。GaAs單結器件已經實現了效率，接近驚人的30%閾值。迅速成為薄膜太陽能電池的優質材料。Photon etc.公司的基于體積布拉格光柵的高光譜成像平臺（IMA）可以對GaAs進行表征，IPVF（以前稱為IRDEP-光伏能源研究與開發研究所）的科學家利用IMA系統對GaAs太陽能電池進行表征。成功地在標準GaAs太陽能電池中獲取了光譜和空間分辨光致發光（PL）圖像。他們利用532nm激光器通過顯微鏡物鏡實現了整個視場的均勻照明，從而使得能夠同時收集來自多個點的PL信號。這種整體照明方法有效地減輕了與側向載流子擴散相關的挑戰，并且避免了樣品粗糙度引起的偽像問題 ...

nSe中的主帶隙顯示為4L。在沒有磁場和線極化泵的情況下，發射強度沒有差異(無Polz)。然而，當入射光為圓偏振光(σ+)時，兩種發射的螺旋度(OISO)之間的強度有明顯的差異。這是對低層InSe中OISO的直接實驗觀察。圖2.對于泵浦激勵(1.93 eV a)和2.07 eV b)，極化(P)與PL發射能量的關系圖如圖所示。在每個PL圖的下方，顯示了極化作為發射能量函數的曲線。這些測量是在3L的硅片上進行的。注意，穩態極化PL顯示了PL光譜的極化(P)的能量依賴性(圖2a和2b)，在低能尾部的極化減少。偏振PL的這種光譜依賴性的原因尚不清楚。P隨PL光子能量變化的一個可能原因是InSe中價帶 ...

缺陷，可以在帶隙中產生額外的能級。新的激發路徑的存在有利于對后續激光脈沖能量吸收。缺陷密度隨著激光輻照脈沖數的增加而增加，直到達到飽和。同時缺陷的積累將導致有效吸收系數增加，表面燒蝕閾值隨之降低，直到達到飽和。經測試發現，在脈沖數較少時，燒蝕坑的直徑更小。隨著作用脈沖數的增加，燒灼坑的直徑也隨之增加。當脈沖數超過600后，作用材料的脈沖數增加對直徑大小的增加效果顯著降低。圖2.多脈沖燒蝕形貌記錄結語：通過1030 nm飛秒激光對YAG晶體的燒蝕測試，可以了解單脈沖和多脈沖燒蝕閾值的變化規律。為YAG的飛秒激光加工處理提供了驗證實驗數據。通過飛秒激光的燒蝕實驗，驗證了飛秒激光在處理YAG這種特殊 ...

0eV） 的帶隙可調諧性、極低的缺陷密度和高缺陷容限、低電壓損耗以及光子回收，使它們對光伏應用具有吸引力。近年來，實驗室規模的PSCs經歷了功率轉換效率的巨大提升，達到25%以上，這在晶體硅基太陽能電池效率的范圍內。然而，由于工藝的可轉移性和鈣鈦礦薄膜質量的下降，PSC的效率正在從實驗室規模下降到大規模鈣鈦礦太陽能組件（PSM），這限制了商業化，從而限制了PSC的實際應用。薄膜的激光圖案化及其在PSM單片串聯互連中的應用。證明無論鈣鈦礦層堆棧的詳細配置如何，基于激光的圖案化的成功都是基于精確控制的能量輸入。由于目標始終是產生定義明確的劃線，而不會因激光能量過多而對材料進行意外修改，因此由于鈣鈦 ...

外光源，通過帶隙工程設計，由于其緊湊的尺寸，提供了有前途的應用。工作范圍大，輸出功率大。盡管Fabry-Perot型QC激光器具有高產量和高成本效益，但由于端面的波長無關反射率，其光譜輸出相對較寬。此外，隨著注入電流的增加，由于腔內空間和光譜燒孔等非線性，譜寬一般會增加一個數量級以上。然而，在各種應用中，如醫學中的激光輔助手術或防御對策中，需要窄帶，高功率操作的QC激光器。在QC激光器中，通過多種方法實現ji端光譜窄化到單模工作，包括將分布式反饋（DFB）光柵集成到激光腔中，利用外腔（EC）或通過單片耦合腔設計。具有深蝕刻光子帶隙反射鏡（PBGM）和高反射分布式布拉格反射鏡（DBRs）的QC激 ...

是一種不依賴帶隙導光的新型空心微結構光纖，其結構設計靈活、損傷閾值高、損耗低（高透區損耗可低至~40dB/km）、支持寬帶傳輸（100-500nm），并可通過改變纖芯所充氣體及調節氣壓實現對光纖色散、非線性效應的有效調制，在超快激光傳輸、強場物理、超強激光技術等領域研究中優勢突出。 ...