研究氟化鈣的雙折射摘要：本文介紹使用一種PEM光彈調制器，其中PEM的速度為整個的雙折射映射打開了大門 ，通過在信號處理方案中增加一個額外的鎖相放大器，可以進一步提高測量速度。除了速度，PEM技術還提供了較高的雙折射測量精度。業內得到共識的是，氟化鈣CaF2是一種實用的光學材料，用于157納米光刻步進和掃描透鏡。制備高質量的低應力雙折射CaF2一直是一個挑戰。除了這種應力誘導雙折射，約翰·伯內特和他在NIST的同事們發現了CaF2沿<110>在157.6納米處的晶體軸徑為11.2納米/厘米這一消息對于光刻工業來說是一個不受歡迎的意外，因為他們錯誤地認為屬于立方晶體群的CaF2是一種 ...

利用了液晶雙折射效應和扭曲向列效應構成的混合場效應。在扭曲向列液晶盒兩側加入偏振方向相互平行的偏振片，就構成了單個LCD像素單元。當沒有對液晶盒施加電壓時，入射光經過起偏器成為線偏振光，經過液晶時偏振方向隨著液晶分子取向旋轉，Z后偏振方向與檢偏器相互垂直，此時該像素點為暗態。當對液晶盒施加電壓時，液晶分子取向將會發生變化，線偏振光經過液晶后變成橢圓偏振光，能夠從檢偏器出射，此時像素點為亮態。LCD 的優勢在于視角范圍大、集成度高。LCD 的對比度取決于背光源亮度以及液晶的透射率，總體不如數字微鏡器件。LCD 的響應速度主要受限于液晶材料特性，即外加電場消失后，液晶取向恢復原狀態需要時間。常見 ...

應也被稱為圓雙折射效應。V oight和Cotton和Mouton在順磁液體中發現的磁雙折射現象。這些效應被稱為線性磁雙折射。Williams以及Fowler和Fryer首先應用磁光成像技術來實現磁疇的可視化，這些都是基于Kerr效應。由于克爾顯微鏡的這些較早的應用，連續的系統發展大大增強了傳統克爾技術的能力。通過干涉層的應用實現了顯著的對比度增強，但克爾顯微鏡的突破是隨著20世紀80年代視頻顯微鏡和數字圖像處理的引入而來的。自20世紀50年代以來，法拉第顯微鏡也主要用于磁性柘榴石薄膜和正鐵氧體的透射實驗，由于法拉第效應比克爾效應強得多，因此不需要電子對比度增強。基于Voigt效應的透射顯微鏡 ...

化誘導了圓形雙折射，因此，兩種圓形光模式在通過半導體傳播時經歷了不同的相移，這導致入射線偏振光的偏振面旋轉。圖2.4.2 K時n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的Kerr旋轉譜圖2為根據圖1的吸收系數計算得到的克爾旋轉光譜期望值。克爾旋轉僅在砷化鎵帶隙附近是非零的。此外，在頻譜的中間存在一個符號反轉。這表明正確的光子能量的選擇對GaAs中pMOKE測量起著至關重要的作用。實驗發現，不同樣品的克爾旋轉光譜略有不同。因此，在n-GaAs樣品上進行pMOKE測量的第1步是優化探針激光束的光子能量。zui重要的是，對于一個固定的光子能量，克爾旋轉角θK與GaAs導帶 ...

二維電子系統中砷化鎵的磁光克爾效應除了本體砷化鎵的自旋注入實驗外，二維電子系統的自旋注入實驗進行光學測量并不像在大塊GaAs樣品上進行pMOKE測量那么簡單，因為2DEG對稱性的降低可能會嚴重影響光學選擇規則，從而影響pMOKE的強度。事實上，研究表明，在狹窄(約10 nm寬)的GaAs/(Al,Ga)As量子阱(QW)系統中，約束勢迫使價帶中重空穴態的軌道角動量和自旋角動量向垂直于QW平面的面外方向運動。此外，約束提升了Γ-point處重空穴態和輕空穴態的簡并性，將輕空穴帶移至較低能量處(見圖1)。考慮到這兩個因素，只有面外極化重空穴才能促進與導電帶電子的復合過程。這對磁光過程有重大影響。在 ...

效應、磁線陣雙折射、塞曼效應、磁光克爾效應等。（１）磁光法拉第效應磁光法拉第效應又稱磁光旋光效應，是指當一束線偏振光從磁光材料沿磁場方向透射時，由于材料折射率的不同，磁光材料中的左旋和右旋偏振光，即偏振面相對于入射光的偏振面偏轉一定角度的一種磁光現象。法拉第效應產生的根本原因是磁光材料中的電子等磁性粒子發生光學躍遷。在磁場的作用下，這種躍遷使得在磁光材料內部傳輸的左旋圓偏振光和右旋圓偏振光產生一定的色散差，導致zui終透射光的偏振面相對入射光旋轉了一定角度。（２）磁線振雙折射當一束線偏振光以垂直于磁場方向的方向從磁光材料傳輸時，線偏振光被分解成兩個偏振光，兩種偏振光在材料中以不同的相速度傳播， ...

及退偏。線性雙折射是指線偏光的兩個正交分量的折射率差，圓偏光雙折射是指左旋和右旋偏振光之間的折射率的差值。衰減則定義為偏振光zui大zui小透過率差值的比值。總之，有6個參數來表征非退偏樣品的延遲和衰減特性，線性位相延遲器的大小，線性位相延遲器和圓偏光位相延遲器的快軸角度,線性衰減器的大小,線性位相衰減器和圓偏光衰減器的角度。（4）PEM光彈調制器是一種基于光彈效應的共振偏振調制器。光彈效應是由機械應力導致的透明介質固體中的線性雙折射。光彈調制器發明于1960年。其中設計zui成功的光彈調制器包括了一個矩形的熔石英和一個有單晶石英制成的壓電傳感器。PEM是由各向同性的光學材料制成的，如石英等。 ...

的情況下，圓雙折射和二色性及其疊加如圖1所示，這種情況稱為極性法拉第效應。圖1.磁化誘導的圓雙折射(a)，圓二色性(b)，以及垂直入射平面偏振光的極性法拉第幾何中兩種效應(c)的疊加。在垂直于傳播矢量的平面上，顯示了光偏振的軌跡。兩個面外磁化疇對極化狀態有不同的影響，如與疇顏色相同的箭頭所示。在(c)中，法拉第旋轉是指橢圓長軸的旋轉。雖然法拉第旋轉讓人聯想到光活性介質的圓雙折射，但有一個重要的區別:如果光再次以相反的方向通過材料，在法拉第效應的情況下，旋轉不會取消，而是會加倍。這種不可逆性的原因是法拉第旋轉與磁化方向而不是光軸有關。磁化相對于傳播方向的反轉導致沿m軸的首xuan左圓形模式和右圓 ...

7)中出現磁雙折射。Voigt(1908)對MO現象的早期研究作了概述。在20世紀初，MO現象已經成為一個重要的研究課題。量子力學還沒有出現，因此對這些現象的理論理解是完全缺乏的。洛倫茲(1884)提出了法拉第效應的早期理論模型，該模型基于左圓偏振光和右圓偏振光與固體中的經典電子振子的耦合方式不同的觀點。德魯德(1900a, 1900b)進一步擴展了理論。對MO效應的基本認識隨著量子力學的發展而增長。Hulme(1932)和Halpern(1932)首先提出法拉第效應是由自旋-軌道(SO)耦合下的自旋極化電子運動引起的。休姆在他的考慮中使用了克拉默斯-海森堡色散方程，該方程根據電偶極子算子的能 ...

ac干涉儀對雙折射或地形效應等互反效應不敏感。這些影響通常會導致Kerr-SNOM圖像中的偽影。為了測試新的可變溫度UHV-Sagnac-SNOM的性能，人們使用了一小塊垂直磁化和大Kerr旋轉(紅光約0.41)的TbFeCo磁光(MO)盤。表面輪廓由1毫米寬的軌道組成，由0.6毫米寬和100毫米深的凹槽分隔。沿著磁道，等間距的磁位與相反的磁化被熱磁寫入。圖2圖2(a)和(b)顯示了MO盤的Sagnac-SNOM圖像以及同時記錄的地形圖像。在地形圖像中可以清晰地檢測到軌跡和凹槽，這表明在目前的設置下，尖端到樣本的距離控制在特高壓下工作得很好。圖像中的小波紋結構是由噪聲激發的尖端到樣品的振動引起 ...