解釋
中文：間接帶隙半導(dǎo)體；英文：indirect band gap semiconductor的原理；中文：間接帶隙半導(dǎo)體；英文：indirect band gap semiconductor的定義；中文：間接帶隙半導(dǎo)體；英文：indirect band gap semiconductor是什么。
導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂具有不同的動(dòng)量，光子激發(fā)下的載流子在這兩個(gè)能量極值之間的躍遷必須有聲子參與才能維持的一種半導(dǎo)體。
