0%。但由于帶隙寬度的限制，硅APD對波長1微米以上的光沒有響應。在近紅外光波段（1100~1650nm），目前性能很好的是基于銦鎵砷（）APD的單光子探測器，其量子效率在1.55μm波長處能達約25%，暗計數約10^3cps左右。總體而言，不論光電倍增管還是基于APD的單光子探測器，其量子效率、暗計數等性能遠不能滿足量子信息計數發展的需要，特別是針對所謂的線性量子計算，對單光子探測器性能要求更高。即使在傳統的光纖通信和熒光光譜領域的應用，對單光子探測器的性能提高也非常迫切。可是傳統的單光子探測器的性能已基本達到極限，很難再有本質的提高。2001年，俄羅斯Scontel公司基于超導納米線技術研 ...

構建光子晶體帶隙材料、制作生物或納米尺度的電子元件以及在電極上沉積不同的材料以便測量他們的電學特性。2007 年，美國的科學家利用紅外光形成的光鑷在硅片上控制微粒的運動，他們通過選擇合適厚度和摻雜濃度的硅片，使之透過紅外光進而能夠被CCD探測。這項技術突破了傳統的在液相中捕獲粒子的瓶頸。若將全息光鑷技術與之結合，則可以在特定的固體表面組裝一些有意義的結構。特別要指出的是，在全息光鑷發明之前，光鑷技術主要側重在單粒子的基礎研究方面，全息光鑷在對多粒子操控方面的優勢，為光鑷技術走向實用化、規模工業生產打開了新局面。產品舉例目前市面上商用光鑷系統大多采用聲光偏轉器（AOD），Meadowlark（B ...

晶體中的光子帶隙。早在1987年，多倫多大學的Sajeev John和貝爾通信實驗室的Eli Yablono-vitch就預言了光子帶隙，光子帶隙成為20世紀90年代初期光子學領域的研究熱點。他們的研究設想是通過建立合適的波導結構，從而有選擇性地阻止部分具有特定能級（相對光子帶隙而言是指波長）的光子傳輸，而讓其他波長的光子自由通過。此外，波導周期性折射率的微小變化會在光子帶隙中引入新的能級，猶如在傳統半導體的帶隙中產生新的能級。然而，此時建立這種合適的波導結構已被證明是相當困難的，直到1991年，Yablono-vitch等通過在一塊折射率為3.6的材料中鉆出多個直徑為1mm的小孔，實現了世界 ...

收系數、直接帶隙（1.52V）[2]和無毒性使其成為薄膜和量子點敏化太陽能電池的理想候選者。但是，似乎CIS太陽能電池的量子效率提升達到了瓶頸。為了不斷改進下一代CIS電池并打破這一限制，必須要清楚的理解制造工藝對太陽能電池性能的影響。 考慮到這一點，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員利用光致發光（PL）成像對多晶CuInS2太陽能電池進行了表征。高光譜顯微成像平臺（IMA Photon）可提供2nm的光譜分辨率和優于2μm的空間分辨率。該設備采用532nm的激發光在顯微鏡整視場下均勻的激發。如圖 1為 圖 2中選擇的不同研究區域的PL光譜。 圖 2 顯示的是整個器件的PL成像圖譜[3 ...

由于本征硅的帶隙約為1.12 eV，可以計算出晶體硅太陽能電池的帶間直接輻射復合的 EL光譜的峰值應該在1 150 nm 附近，屬于近紅外波段。這些電致熒光很微弱，只有在不受外光（即太陽光、可見光、紅外線、紫外線等）干擾下才能被CCD相機捕捉到，這就要求整個組件發光只有在暗箱狀態下才能被相機捕捉才能到，因而，整個EL測試過程是在一個不會被外光干擾的暗箱中進行的，只有這樣才可以準確地判別電池片或組件是否存在缺陷，否則將會對產品的性能產生重大影響。但是EL檢測面臨的兩個主要問題是：（1）太陽能電池發射出的電致熒光通常很弱；（2）市面上絕大多數的CCD相機在近紅外波段的靈敏度不高（近紅外探測到100 ...

1是一維光子帶隙光纖，即在空氣孔邊緣附件構造周期的輻射狀折射率改變。圖1、一維光子帶隙光纖二維光子帶隙光纖由P.Russell首次制備而成，如圖2所示，這種光纖具有比固態纖芯光纖更加低的傳輸損耗。圖2、二維光子帶隙光纖二、空心光纖的傳輸原理包層中含有空氣孔的周期性二維陣列的實芯光子晶體光纖的導波機制，通常被認為是傳統的全內反射（Total Internal Reflection-TIR）。在所謂的光子帶隙光纖（Photonic-Bandgap Fiber）中，空氣孔的周期特性至關重要，因為它通過包層內折射率的周期變化將光模限制在纖芯內。對于空心光子晶體光纖，充滿空氣的芯的折射率小于包層材料，空 ...

。與通過材料帶隙的電子-空穴對重組而發射電磁輻射的典型帶間半導體激光器不同，QCLs是單極的，激光發射是通過在半導體多量子阱異質結構的重復堆棧中使用子帶間躍遷實現的。這個想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續能帶中的一個——價帶，其中大量填充著低能電子；導帶，其中少量填充著高能電子。這兩個能帶被一個帶隙隔開，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態。傳統的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時，通過單個光子發出光。因此，光子的能量以及激光二極管的發射 ...

，稱其為光子帶隙引導型光子晶體光纖。圖1.折射率引導型光纖晶體光纖折射率引導型PCF的傳光機理，與傳統階躍光纖的纖芯與包層界面處全反射的傳光機理類似。纖芯為石英材料，其折射率為n1；包層則為由石英材料和空氣孔構成的二維光子晶體，其多孔的陣列結構有效地降低了包層的平均折射率（包層折射率可視為石英與空氣折射率的平均，并以空氣填充率加權），因而包層材料的有效折射率neff低于纖芯n1,即neff＜n1，其折射率差構成了與傳統階躍光纖類同的內反射傳光機理。為此，又稱之為內全反射（TotalInternalReflection）PCF，簡稱TIR-PCF。圖2.折射率引導型光纖晶體光纖特征參數由于PCF ...

同一區域上寬帶隙峰(a-d)和低帶隙峰(e-h)的原位高光譜PL圖(Cs0.06MA0.15FA0.79)Pb(Br0.4I0.6)3鈣鈦礦薄膜在白光照明下隨時間的變化，強度為290mW/cm2用于處理前(t=0)，處理期間(10和30分鐘)以及一旦發射強度達到穩定發射(180分鐘)的樣品。mapping是在405nm激光激發下拍攝的，激發強度為≈50mW/cm2，并且所有測量均在大氣環境中進行[4]。光致發光激發成像在Rolston等人的這項工作中[5]，使用PLE高光譜成像技術研究了采用兩種不同工藝制造的過氧化物太陽能電池的發光率：露天快速噴涂等離子處理(RSPP)和旋涂。將Photon公 ...

域。利用光子帶隙結構來解決光子晶體物理學中的一些基本問題，如局域場的加強、控制原子和分子的傳輸、增強非線性光學效應、研究電子和微腔、光子晶體中的輻射模式耦合的電動力學過程等。同時，實驗和理論研究結果都表明，光子晶體光纖可以解決許多非線性光學方面的問題，產生寬帶輻射、超短光脈沖，提高非線性光學頻率轉換的效率，用于光交換等。不難想象，隨著對PCF研究的不斷深入，相信PCF將在光學領域展現出更廣泛的應用前景，并為實現更高效、高性能的光學器件和系統開啟新的可能，從而推動光學技術和科學研究的發展。如果您對光子晶體光纖有興趣，請訪問上海昊量光電的官方網頁：https://www.auniontech.co ...