有相關(guān)的振動(dòng)躍遷。這意味著至少有一個(gè)泵浦/斯托克斯脈沖是廣泛可調(diào)的。例如，假設(shè)一個(gè)固定的泵浦波長為800納米，斯托克斯必須在835和1110 nm。2.脈沖持續(xù)時(shí)間為1 - 2 ps，對(duì)應(yīng)于變換限制脈沖的帶寬為以這種方式匹配壓縮相中振動(dòng)躍遷的典型線寬。這種選擇優(yōu)化了峰值功率和光譜分辨率之間的權(quán)衡。較佳脈沖持續(xù)時(shí)間也可以取決于實(shí)驗(yàn)條件，因?yàn)橐呀?jīng)表明，在某些情況下，響應(yīng)是一個(gè)與時(shí)間相關(guān)的函數(shù)，因此信號(hào)可以對(duì)調(diào)制光束強(qiáng)度具有非線性依賴關(guān)系。3.近紅外波長，從700到1200nm，較大限度地減少光損傷，這通常是由于多光子吸收，增加了組織穿透。4.高脈沖重復(fù)率，10 - 100MHz量級(jí)，較大限度地提高 ...

發(fā)頻率在電子躍遷附近調(diào)諧時(shí)，為熒光標(biāo)記目的開發(fā)的熒光團(tuán)顯示高達(dá)倍的振動(dòng)響應(yīng)的出色增強(qiáng)。結(jié)果是這種熒光探針可以通過CRS工藝在亞微米濃度下檢測(cè)到。這是重要的，因?yàn)樗_辟了在多標(biāo)簽樣品中映射不同探針的可能性，不同探針的數(shù)量受限于拉曼線的帶寬，而不是熒光的帶寬。由于檢測(cè)通道之間的串?dāng)_，在熒光顯微鏡中使用四個(gè)以上探針標(biāo)記樣品具有挑戰(zhàn)性，而在共振增強(qiáng)SRS成像中，多探針標(biāo)記可以擴(kuò)展到數(shù)十個(gè)不同的探針。就多重成像而言，這種能力是一個(gè)巨大的勝利，因?yàn)樵S多細(xì)胞生物學(xué)研究需要多個(gè)分子參與者的可視化來揭示細(xì)胞內(nèi)的過程和途徑。通過共振增強(qiáng)SRS提供的多路復(fù)用能力可以進(jìn)一步推動(dòng)到更低的探針濃度。通過讓探針選擇性僅由S ...

激特定的振動(dòng)躍遷，從而增加信號(hào)的強(qiáng)度。簡(jiǎn)單地說，在SRS中，樣品用自發(fā)拉曼中的“泵浦”激光照射，并結(jié)合較低頻率的“斯托克斯”激光。斯托克斯激光器頻率的選擇使兩種激光器之間的能量差(?v)與特定振動(dòng)躍遷的能量差相似，從而增強(qiáng)了該躍遷的發(fā)生，并增加了其信號(hào)(圖1)。對(duì)于每個(gè)泵浦和斯托克斯頻率組合，可以獲得單個(gè)振動(dòng)峰值的窄帶測(cè)量。通過鎖定其中一個(gè)激光器的頻率并改變另一個(gè)激光器的頻率，可以獲得寬帶或高光譜測(cè)量，因此可以掃描和檢測(cè)振動(dòng)躍遷的整個(gè)范圍。信號(hào)強(qiáng)度的增加使得512 × 512像素圖像的視頻速率成像達(dá)到25fps。此外，在SRS中，信號(hào)隨采樣分子的濃度線性縮放，允許定量成像。CARS也是一種非線 ...

光子只能激發(fā)躍遷進(jìn)入自旋下子帶。躍遷到自旋向上子帶只有在光子具有較大能量時(shí)才有可能。圖1.左:大塊砷化鎵中左圓偏振光(lc)和右圓偏振光(rc)的光躍遷，從重帶(hh)和光孔帶(lh)躍遷到導(dǎo)帶。右:計(jì)算出n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的吸收光譜。α0表示非極化情況下的吸收。此外，躍遷必須遵守砷化鎵中的偶極子選擇規(guī)則。因此，兩個(gè)圓形光模式只能耦合到某些過渡。例如，左圓偏振光可以激發(fā)從重空穴帶到自旋向下子帶的躍遷，但不能激發(fā)從重空穴帶到自旋向上子帶的躍遷。綜上所述，導(dǎo)帶的自旋不平衡結(jié)合光學(xué)選擇規(guī)則，導(dǎo)致左右圓偏振光的吸收光譜如圖1右側(cè)所示。計(jì)算曲線清楚地揭 ...

粒子發(fā)生光學(xué)躍遷。在磁場(chǎng)的作用下，這種躍遷使得在磁光材料內(nèi)部傳輸?shù)淖笮龍A偏振光和右旋圓偏振光產(chǎn)生一定的色散差，導(dǎo)致zui終透射光的偏振面相對(duì)入射光旋轉(zhuǎn)了一定角度。（２）磁線振雙折射當(dāng)一束線偏振光以垂直于磁場(chǎng)方向的方向從磁光材料傳輸時(shí)，線偏振光被分解成兩個(gè)偏振光，兩種偏振光在材料中以不同的相速度傳播，即產(chǎn)生磁雙折射，這就是磁線振動(dòng)雙折射效應(yīng)。磁線振動(dòng)雙折射效應(yīng)與磁性材料的磁致伸縮密切相關(guān)，根據(jù)磁光材料的磁線振動(dòng)雙折射現(xiàn)象不同，可分為Cotton-Mouton效應(yīng)和Wagert效應(yīng)。（３）塞曼效應(yīng)塞曼效應(yīng)是指當(dāng)光源置于磁場(chǎng)中時(shí)，光源發(fā)出的譜線在磁場(chǎng)的作用下分裂成數(shù)條，分裂后的譜線之間的間隔的磁光現(xiàn) ...

度。對(duì)于電子躍遷,當(dāng)光波能量遠(yuǎn)高于帶隙時(shí),同時(shí)考慮電子和晶格的貢獻(xiàn)：這就是Selmeier色散公 式,實(shí)際應(yīng)用中用波長代替能量作為參量：5.EMA(有效介質(zhì))模型有效介質(zhì)模型應(yīng)用于兩種或兩種以上的不同組份合成的混合介質(zhì)體系,多達(dá) 5種不同材料組成的混合材料、多晶膜、金屬膜、表面粗糙的膜、多孔膜、不同材料或合金的分界面、不完全起反應(yīng)的混合材(TiSi、WSi)、無定形材料和玻璃；其基本思想是將混合介質(zhì)當(dāng)作一種在特定的光譜范圍內(nèi)具有單一有效介電常量張量的“有效介質(zhì)”,是把均勻薄膜的微觀結(jié)構(gòu)與其宏觀介電常數(shù)相聯(lián)系.它包含3種有效介質(zhì)模型：5.1 lorentz-Lorenz有效介質(zhì)模型zui簡(jiǎn)單的異 ...

，所需的光學(xué)躍遷矩陣元素尚未計(jì)算，而只是估計(jì)。這種情況隨著密度泛函理論和局部自旋密度近似(LSDA)的出現(xiàn)，使得精確的能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算成為可能。在此基礎(chǔ)上，并采用線性響應(yīng)理論的光電導(dǎo)率表達(dá)式，Callaway及其同事采取了下一個(gè)決定性步驟，他們計(jì)算了Ni和Fe的對(duì)角線和非對(duì)角線光電導(dǎo)率的吸收部分。由于MO克爾效應(yīng)和法拉第效應(yīng)與非對(duì)角線光電導(dǎo)率直接相關(guān)，這是MO光譜的第1個(gè)波段理論計(jì)算。理論和實(shí)驗(yàn)之間的一致性并不是壓倒性的?？ɡ退耐聸]有繼續(xù)計(jì)算對(duì)角線和非對(duì)角線電導(dǎo)率的色散部分，從這些部分他們可以計(jì)算法拉第和克爾光譜。八十年代末，幾個(gè)研究小組又開始研究MO光譜的計(jì)算問題。Ebert和Uspen ...

范圍內(nèi)的光學(xué)躍遷，即光子能量高達(dá)約12 eV。Erskine和Stern(1975)提出，從核心能級(jí)到價(jià)態(tài)的x射線激發(fā)中也會(huì)出現(xiàn)MO效應(yīng)。十年后，van der Laan等人(1986)和Schutz等人(1987)首次發(fā)現(xiàn)了x射線磁二色性效應(yīng)。由于歷史原因，磁圓二色性一詞被用來代替法拉第橢圓性。在zui初發(fā)現(xiàn)x射線MO效應(yīng)之后，又發(fā)現(xiàn)了許多其他的MO效應(yīng)，例如共振x射線散射、x射線法拉第旋轉(zhuǎn)、x射線橫向MOKE和x射線縱向MOKE中的MO現(xiàn)象。一種新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象是，在價(jià)帶能量體系中沒有對(duì)應(yīng)的MO效應(yīng)，它可以用圓偏振或線偏振入射光來觀察。除了觀察到新的效應(yīng)外，求和規(guī)則的理論進(jìn)展也刺激了x射線磁光 ...

自旋偏振光學(xué)躍遷的系統(tǒng)。當(dāng)系統(tǒng)松弛時(shí)，會(huì)有一個(gè)優(yōu)先的自旋方向，這將表現(xiàn)為PL中兩個(gè)圓螺旋度(I+(?))之間的強(qiáng)度差。通過計(jì)算圓極化度，可以直接讀出自旋極化，P = (I+?I?)/(I+ + I?)。描述半導(dǎo)體P的穩(wěn)態(tài)速率方程為：式中P0為激發(fā)時(shí)圓偏振度。τr和τs分別為復(fù)合壽命和自旋壽命。這種極化可以在磁場(chǎng)中進(jìn)一步研究。事實(shí)上，對(duì)于相對(duì)于樣品施加的面外場(chǎng)，塞曼效應(yīng)將分裂自旋水平。這導(dǎo)致讀出偏振不平衡，即使是線偏振光，這一結(jié)果可用于研究磁場(chǎng)與材料中載流子自旋的耦合程度。注意，復(fù)合壽命與自旋壽命的比值決定了在半導(dǎo)體系統(tǒng)中觀察光學(xué)取向的能力。隨著比值的增大，P的量減小。這就是這種測(cè)量方法的局限性 ...

離的直接帶隙躍遷。對(duì)這些谷偏振態(tài)的光學(xué)訪問模擬了OISO所需的選擇規(guī)則。谷的應(yīng)用創(chuàng)造了一個(gè)與自旋電子學(xué)平行的“谷電子學(xué)”，其中基于谷的器件表現(xiàn)出“谷霍爾效應(yīng)”和強(qiáng)自旋谷鎖定，這有利于轉(zhuǎn)移以及信息的長期存儲(chǔ)。在tmd中研究的另一個(gè)值得注意的特性是，當(dāng)單層材料放入光學(xué)腔中時(shí)，會(huì)發(fā)生強(qiáng)烈的光-物質(zhì)相互作用。lmountain等人利用光學(xué)Stark效應(yīng)對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究。這項(xiàng)工作顯示了在tmd中對(duì)極化(光態(tài))進(jìn)行谷選擇控制的豐富潛力。這些激子-極化激子狀態(tài)在傳統(tǒng)半導(dǎo)體中已經(jīng)廣泛存在。因此，lmountain等人幫助進(jìn)一步證明了谷和自旋之間的相關(guān)類比。然而，即使具有與傳統(tǒng)自旋系統(tǒng)類似的特性，tmd ...