會同時影響到折射率n和消光系數k，在圖4-6(b，d)吸收系數中觀察到在長波范圍內(500-800nm)的波包變化但是在圖4-6(a，c)中的折射率系數n卻沒有監測到，這意味著這個吸收系數的波包變化可能是沉積材料的厚度導致的。對于沉積時間為360s時，相對于其它沉積時間n值和k值都有很大的變化，這可能是360s時的物相較為特殊。由于物相包括新物質或者是結構，如顆粒尺寸，所以這可能是由于在360s時沉積的CU2O成分或者是此時得到的顆粒尺寸或者結構有所不同，需要進一步驗證。圖4-6不同沉積時間得到的橢偏數據圖(a，c)n，(b，d)k了解更多橢偏儀詳情，請訪問上海昊量光電的官方網頁：https: ...

長變化圖，與折射率n的趨勢相似。隨著時間的變化，值發生變化。當沉積時間為180s的時候，在500-800nm長波范圍，其值從襯底的-20增加到-0.5，這也意味著新的物質沉積，導致襯底的信息減少。在沉積時間增加到360s和540s時，整體上值比180s減小了3左右，在350nm附近出現一個較明顯的波包，同時在550nm附近出現一個波包。當沉積時間增加到720s之后，的值恢復到沉積180s附近，但是在500-800nm波段稍小，且在500nm附近出現波包。沉積時間為900s時，值的變化和720s一致，但是出現的波包位置大概在530nm附近。當時間為1080s時，在300-500nm波段其值和72 ...

-10(a)折射率n值來看，沒有沉積之前即0s時，n值從300nm-800nm不斷減小，在300nm-500nm波段平緩，500nm處驟減，600nm-800nm達到zui小值且有波動。與0s相比，不同沉積時間在300nm-500nm波段每個沉積時間的變化趨勢一致，數值上180szui大，360szui小，其余介于二者之間；都在330nm和410nm附近存在波包。在500nm-800nm波段，變化趨勢比較相似，數值上比0s的大，但是存在波動，特別是180s在600nm附近存在驟減。從圖4-10(b)消光系數k值來看，0s時k值從300nm-800nm不斷增加，在300nm-500nm波段平緩， ...

OLED厚度測量OLED結構用于從電視屏幕到手機的許多應用中。典型的OLED結構包括夾在電極之間的三個薄有機層:HTL(空穴傳輸層)、EML(電子遷移率)或空穴阻塞層和ETL(電子傳輸層)。圖1 OLED的結構示意圖構成OLED結構的薄膜的計量是至關重要的。MProbe UVVis和MProbe UVVis- msp提供了一種廉價、可靠、非接觸的計量方法。可以測量材料的厚度和光學常數。MProbe UVVis可以測量毯狀(無圖案)樣品，MProbe UVVis-msp可以使用非常小的光斑尺寸在像素級進行測量。一、測量實例圖2玻璃上ITO(透明導電氧化物)的測量-使用參數化ITO模型確定厚度和光 ...

粗糙表面上的膜厚測量由于光散射，粗糙表面上的薄膜厚度測量通常具有挑戰性。事實上，表面粗糙度和厚度不均勻性是降低光譜反射系統厚度測量能力的兩個主要因素。然而，這些特性通常存在于許多現實生活中，例如金屬涂層。MProbeMSP提供了一種解決方案來克服這一限制，甚至可以測量z具挑戰性的應用。解決方案的關鍵是表面粗糙度和厚度不均勻性都取決于測量區域。通過減小測量點尺寸，可以減少有效粗糙度和厚度不均勻性（在該點內觀察到）。一、表面粗糙度表面粗糙度會導致光散射增加。這導致鏡面反射率降低和干擾減弱。編織長度越短，光散射越明顯。因此，長可見光和近紅外(NIR)波長范圍(700-1700nm)更適合表面粗糙度的 ...

該波導由一個折射率高于周圍材料的通道組成。圖1：集成光波導光通過通道壁的全內反射來引導。根據波長、襯底折射率、折射率差、通道的寬度和深度，可以激發一個或多個橫向振蕩模式。單模操作是非常有價值的，因為它是許多集成的光學元件的功能。集成光學元件特別是在光通信技術中通常配備光纖，線性電光效應，也稱為波克爾效應，是一種二階非線性效應，包括在外加電場時光學材料折射率的變化。折射率的變化量與電場強度、其方向和光的偏振率成正比。制造集成光調制器的shou選材料是鈮酸鋰（LiNb3）。如果使用長度為L的電極將電場施加于電導，則電極之間區域的折射率會發生變化，從而產生引導光的相移，相移與所施加的電壓會呈線性關系 ...

致電光晶體的折射率變化。然后可以用精確的測量設備檢測到這種變化。由于電光材料是一種介電材料，它不會干擾或散射電磁場。此外，由于光纖電纜用于傳輸信號，任何附加的布線都不會吸收噪音，因此，探頭可以在非常嘈雜的環境中使用，并且測量的信號僅與探頭位置的e場有關。zui后，電光響應非常快，因此電光電場傳感器可以用來調制光信號，從而檢測太赫茲范圍內的電信號。大尺寸回音壁模式環形諧振器調制器和波導馬赫-曾德爾調制器已被用于檢測射頻e場。具有高品質因數的光環諧振器可以提高傳感器的靈敏度，但測量帶寬(BW)將受限于微環諧振器的帶寬波導馬赫曾德爾調制器具有較高的帶寬，但體積大，空間分辨率低另外，塊狀晶體可用于測量 ...

場改變材料的折射率，產生偏振和相位調制，也稱為波克爾斯效應。電光效應在瞬間有效發生，實現了高時間分辨率。此外，全介電電磁傳感器產生的采樣電場畸變可以忽略不計。利用飛秒(fs)近紅外(NIR)激光脈沖與自由傳播的單周期亞皮秒太赫茲輻射脈沖或瞬態電場時間同步，探測太赫茲頻率電場誘導下電光晶體的折射率變化。靈敏度取決于光晶體的波克爾斯系數、在光晶體中傳播的太赫茲波和近紅外波的速度匹配以及它們的相互作用長度。鈮酸鋰(LN)是一種用于高頻電場傳感的通用材料，因為它具有大的電光材料系數，對可見光和近紅外波(0.4-5μm)具有高透明度，對RF, mm和THz波(< 10 THz)具有低吸收。由絕緣體 ...

同光波長下的折射率(R.I.)。可以創建新的柯西材料并指定特定光刻膠的柯西系數如果光致抗蝕劑的柯西系數不可用–使用類似光致抗蝕劑的柯西系數作為起點。步驟 2：創建膠片堆棧Filmstack 代表物理樣本的模型- 它定義了基材和材料層。如果3000nm 的光刻膠沉積在Si 晶圓上，薄膜疊層將是Si 襯底/3000nm PR。這里PR 將是步驟1 中定義的光刻膠材料。步驟 3. 進行測量測量實際上是一個兩步過程：數據采集和數據分析。它們由 TFCompanion 軟件透明地處理。在第1次測量期間，可能會也可能不會得到完美的結果——需要調整膠片疊層。如果光刻膠的厚度足夠厚（> 1um），可以從 ...

PETN的復折射率數據作為輸入。將閾值應用于得到的ACE檢測分數，得出圖2.4中的檢測圖，其中使用該方法確定被PETN污染的像素以藍色顯示。污染像元的平均光譜如圖2.5中藍色曲線所示，干凈區域和污染區域的平均光譜明顯顯示出反射光譜的差異。還請注意，圖2.4中包含的區域被確定為既沒有干凈的基材，也沒有足夠強的信號，因此被認為含有PETN，并被標記為“兩者都沒有”。圖3圖3顯示了PETN負載為0.2 ug的示例的結果。使用上述分析程序，在33個像素中檢測到該化學物質。在此基礎上，假設每個像素同樣被總0.2 μ g污染，我們估計檢測限約為6 ng/像素。事實上，我們期望真正的閾值甚至比這個值更小，因 ...